MOSFET
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下一代CoolMOS MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飞凌）
英飞凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻（RDS(on)）和品质因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMPS）、电机控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源
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关于MOSFET的双峰效应量化评估研究
摘 要：介绍一种关于双峰效应(Double－Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id～Vg曲线的分析，双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征，细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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关于MOSFET的双峰效应量化评估研究
摘 要：介绍一种关于双峰效应(Double－Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id～Vg曲线的分析，双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征，细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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利用集成化开关稳压器简化电源设计
本文讨论了如何利用集成化开关稳压器设计电源，并给出了在低输入电压应用中建议采用的输出电感和电容。
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利用集成化开关稳压器简化电源设计
本文讨论了如何利用集成化开关稳压器设计电源，并给出了在低输入电压应用中建议采用的输出电感和电容。
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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新款全桥式MOSFET预驱动器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障诊断和报告功能的新款全桥式 MOSFET 预驱动器 IC，扩展其现有全桥式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封装，提供灵活的输入接口、自举监控电路、 宽泛的工作电压（5.5
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新型IRS2093驱动IC（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 针对50W至150W高性能D类音频应用的需求推出新型IRS2093驱动IC，这些应用包括家庭影院系统和汽车音响放大器。IRS2093基于半桥拓扑结构，在一个IC上集成了4个高压通
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基于混合SET/MOSFET的比较器
1. 引言 据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
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基于混合SET/MOSFET的比较器
1. 引言 据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
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