MOSFET

量体裁衣 如何选择适合自己的功率器件？

功率器件的选择是做好一个电源系统的基本，所谓的“量体”，就是在选择器件的时候要首先根据我们的需要，定义出我们对功率器件的实际需求。就像定做衣服一样，我们系统的电流、电压、功率、功耗、效率等参数的要求，

11款500伏额定电压的MOSFET产品（AOS）

Alpha & Omega Semiconductor公司(AOS)宣布发行11款500伏额定电压的MOSFET产品。这标志着AOS不断壮大的高压MOSFET产品组合的重大扩展。在用于台式机、笔记本电脑、液晶电视、显示器和荧光灯照明应用等的一系列交

11款500伏额定电压的MOSFET产品（AOS）

Alpha & Omega Semiconductor公司(AOS)宣布发行11款500伏额定电压的MOSFET产品。这标志着AOS不断壮大的高压MOSFET产品组合的重大扩展。在用于台式机、笔记本电脑、液晶电视、显示器和荧光灯照明应用等的一系列交

190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7

190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7

190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7

业内最低导通电阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同

业内最低导通电阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。

完全自保护式低压侧MOSFET（Diodes）

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。

完全自保护式低压侧MOSFET（Diodes）

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。

半桥MOSFET驱动器（研诺）

研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech）宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的最低

半桥MOSFET驱动器（研诺）

研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech）宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的最低

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。

超低压差线性稳压器的拓扑架构及应用趋势

近年来，低压差稳压器(LDO)在各类电子设备，尤其是对电能有苛刻需求的消费类电子中，得到了广泛的应用。但随着更低压差应用需求的发展，由于LDO拓扑架构的限制，越来越难以满足应用的需求。于是，基于新型拓扑架构的

满足复杂DC-DC功率转换要求的解决方案

满足复杂DC-DC功率转换要求的解决方案

满足复杂DC-DC功率转换要求的解决方案