冗余电源是高可用系统中关键的部分。在最简单的解决方案中,两只电源可以利用二极管来通过或门输出以驱动负载。这样,这两只电源既可以共同工作,也可以一只工作,一只备用。 场效应晶体管(FET) ORing控
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS™新一代600V超级结MOSFET系列产品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N,以及具有1
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ,该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench® 工艺 技术,为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最
死了都要卖仙童,不卖到最好不痛快—— 歌曲《死了都要爱》松下问仙童,言师卖IGBT去,只知在飞捷,云深不只去 —— 贾岛的《寻隐者不遇》 Panasonic ask fairchild ,,Where are Simon,Fairchild said 'Simon sel
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ,该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench® 工艺 技术,为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术,Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列,推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装,具有高功率处理和快速开关功能,可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on)),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。IRF6718在新
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术,Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列,推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装,具有高功率处理和快速开关功能,可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on)),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。IRF6718在新
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on)),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。IRF6718在新
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64
为满足这些需求,在上世纪90年代晚期开关电源设计师开始采用同步整流(SR)技术——使用MOSFET来替代常用二极管实现的整流功能。SR提高了效率、热性能、功率密度、可制造性和可靠性,并可降低整个系统的电源系统成本。本文将介绍SR的优点,并讨论在其实现中遇到的挑战。