当全球看好固态硬盘(SSD)是NAND Flash下一个杀手级应用的同时,手机内建NAND Flash内存的应用(嵌入式SSD)却抢先一步成为NAND Flash应用的新焦点。目前最普遍的嵌入式SSD的
苹果公司(Apple)日前已正式宣布新款iPhone 3G S上市的时间以及升级版规格,研究机构集邦科技(DRAMeXchange)估计,下半年iPhone 3G S出货量约在900万支以上,使用NAND Fla
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新NAND Flash价格调查显示,模块端客户对五一假期实际销售需求保守看待,加上自家库存仍充足下,造成4月上旬采购意愿偏低;另一方面,NAND Flash厂商的库
DRAM价格大涨之际,储存型快闪存储器(NAND Flash)报价跌幅也显著收敛,甚至出现持平走势,透露存储器景气全面转好。NAND价格回稳,群联(8299)、慧荣等业者都将受惠。根据集邦科技调查,第1季NAND颗粒合约均价受市
SK海力士无锡厂传出DRAM制程出状况,恐影响供货,引爆下游通路抢货潮、造成DRAM现货价大涨之余,市场也关注业者是否会将NAND Flash产能转为生产DRAM,一旦如此,有助舒缓现阶段NAND市场供过于求问题。法人指出,DRAM
海力士(skhynix)为转换快闪存储器(nandflash)微细制程,积极执行资本支出,周星工程(jusungengineering)等协力厂商可望受惠。三星电子(samsungelectronics)计划在2014年第2季投入nand制程转换,执行资本支出。据南韩
市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺,加上厂商库存水位依旧偏高,采购意愿薄弱,因此11月上旬合约价较
[导读] 很少人会想到 NAND快闪记忆体已经快要消失在地平线上、即将被某种新技术取代,笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于快闪记忆体储存系统的电话会议,听到不少储存系统专家试图把对话导引到IBM在下
全球DRAM及NAND Flash市场进入传统淡季,由于先前NAND Flash严重供过于求,近期业界传出存储器大厂祭出搭售策略,采购DRAM芯片需搭配NAND Flash芯片,藉由调配产品组合,在传统淡季维持出货动能,加上苹果(Apple)新系
很少人会想到NAND快闪记忆体已经快要消失在地平线上、即将被某种新技术取代,笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于快闪记忆体储存系统的电话会议,听到不少储存系统专家试图把对话导引到IBM在下一代记忆体
很少人会想到 NAND快闪记忆体已经快要消失在地平线上、即将被某种新技术取代,笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于快闪记忆体储存系统的电话会议,听到不少储
SunEdison日前宣布,智利一座50MW太阳能电站完成融资,该公司表示,该电站是拉丁美洲最大的运营光伏电站,并且还是世界上无补贴运营的最大光伏项目之一。EverStreamEnergyCapitalManagement领导的投资财团及金融服务
美国记忆体晶片制造龙头美光科技(Micron)上季转亏为盈,营收也优于市场预期,主因是供应短缺推高晶片价格。美光公布,截至2月27日的年度第2季净利达7.31亿美元或每股61美分,优于一年前同期的亏损2.86亿美元或每股
SK海力士(SK Hynix)为转换快闪存储器(NAND Flash)微细制程,积极执行资本支出,周星工程(Jusung Engineering)等协力厂商可望受惠。三星电子(Samsung Electronics)计划在20
应用材料公司半导体产品事业部执行技术总监 平尔萱由于2D(x-y dimension)半导体元件的尺寸已经接近极限,3D(z dimension)半导体能够经由精密材料工程进一步实现小型化,因此,3D技术有望为企业节约成本,使元件实现更
【导读】目前来说,中国的IC设计商至少有四五百家,以展讯、中芯国际等为代表。然而,在多年以后,能有多少家可以健康的存活下来,在全球发挥自己的影响力呢? 2014年IC行情:半导体大厂走势窥探! 转眼间,一年又过
三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升,节省电力消耗,并提高了急需的可靠性。V-NAND固态盘
3月26日电 据三星电子负责人26日消息,三星电子在西安的半导体工厂预计于5月竣工,开工后以生产10纳米芯片和3D垂直NAND Flash芯片为主。工厂始建于2012年9月,投资达70亿美元,是三星电子在中国进行的最大规模投资项
根据市调机构ICInsights统计,2014年全球半导体厂资本支出上看622亿美元,年增率约8%,前三大资本支出最高的业者分别为三星电子、英特尔和台积电,3者资本支出分别为115亿美元、110亿美元和100亿美元,贡献今年半导体
但是由于物理制程 / 制造方面的原因,导致 nor 和 nand 在一些具体操作方面的特性不同: 表 1 Nand Flash 和 Nor Flash 的区别 1. 理论上是可以的,而且也是有人