-
Linux下NAND FLASH驱动开发
但是由于物理制程 / 制造方面的原因，导致 nor 和 nand 在一些具体操作方面的特性不同： 表 1 Nand Flash 和 Nor Flash 的区别 1. 理论上是可以的，而且也是有人
-
Mobile DRAM市场供应持续紧缺 原厂更有成本优势
由于NAND Flash与DRAM的生产设备差异不大，上游芯片厂DRAM与NAND Flash产线会按照市场的供需及价格的变化而转换生产。以下是原厂存储工艺状况。 目前全球Mobile DRAM主要供应商仅限于三星、尔必达(美光)、SK 海力士三
-
可管理NAND：适用于移动设备的嵌入式大容量存储
与多年前相比，现在的移动消费电子装置结构复杂，功能丰富，能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是，存储系统的体系结构能够适应这些新的数据密集型应用。例如，
-
嵌入式系统常用接口规范
一、引言嵌入式系统的硬件除了核心的微处理器之外就是外围器件和接口。接口技术在嵌入式系统设计处于如此重要的位置，是嵌入式系统设计师硬件部分的重要考试范围。目前嵌入
-
垂涎SSD商机NAND Flash厂强化布局
转自台湾新电子的消息，NAND快闪记忆体(NAND Flash Memory)业者正对三层式储存(TLC)颗粒的固态硬盘市场虎视眈眈。继三星(Samsung)于2012下半年以其优良的控制技术，成功推
-
创见董事长：未来3个月DRAM、NAND Flash价格将缓跌
创见资讯董事长束崇万表示，因市场需求较弱，预计未来3个月DRAM、NAND Flash价格都将缓跌。 创见董事长束崇万今日指出，包括动态随机存取记忆体(DRAM)及储存型快闪记忆体(NAND Flash)今年市场都有点供过于
-
东芝诉海力士 因技术流失损失一千多亿日元
【导读】日前，东芝公司就有关闪存研究数据被非法泄露给韩国SK海力士公司一事，宣布已向东京地方法院提起民事诉讼，要求SK海力士赔偿损失。 报道称，东京警视厅警方以涉嫌违反不正竞争防止法(公开营业秘密)为理由
-
NAND技术被窃损失千亿，东芝怒向海力士索赔
东芝于3月13日向日本东京地方法院提起诉讼，指控韩国竞争对手SK海力士窃取技术机密，并要求对方支付赔偿金。东芝提起这诉讼的同一天，东京警视厅警方逮捕了一名52岁男子杉田吉隆（Yoshitaka Sugita），他曾是东芝企业
-
半导体设备产业展望
根据国际半导体设备暨材料协会(SEMI)统计，2013年全球半导体制造设备市场营收规模约320亿美元，较2012年减少13.3%，但台湾仍成长7%，针对2014年全球半导体设备市场，预估可以强劲反弹23.2%达394.6亿美元，且此成长趋
-
供应商销库存 NAND Flash价格呈现跌势
根据全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 调查显示，主要系统OEM客户因淡季需求疲弱而持续砍单，迫使 NAND Flash 供应商必须采取更为积极的价格策略来减轻库存压力，因此 2月份NAND Flas
-
2015年开始3D NAND Flash将取代2D NAND Flash
新芯是国内一家12英寸集成电路制造企业。该公司只生产12英寸晶圆，目前产能还比较小(每月有1万多片)，产品包括NOR Flash和BSI(背照式)图像传感器。该公司董事长王继增表示，公司定位从一开始就是生产NOR Flash，制程
-
半导体设备产业展望
根据国际半导体设备暨材料协会(SEMI)统计，2013年全球半导体制造设备市场营收规模约320亿美元，较2012年减少13.3%，但台湾仍成长7%，针对2014年全球半导体设备市场，预估可以强劲反弹23.2%达394.6亿美元，且此成长趋
-
半导体厂拚20奈米与3D制程 相关设备商机展翅
看准半导体厂力拼20奈米和3D制程技术，设备厂努力扮演军火供应商角色，瞄准商机进行布局，其中晶圆代工业者和NAND Flash业者进入20奈米和3D世代后，由于有新材料和制程改变，对于设备需求将分别增加25~35%，这是半
-
受SK海力士火灾等因素影响 NAND品牌供应商Q4营收下滑4.5%
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，在NANDFlash业者原先对于2013年第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK海力士(Hynix)火灾影响NA
-
力成：3月起稼动率看9成，今年营运料逐季增
IC封测力成(6239)董事长蔡笃恭(见附图)指出，今年1、2月间力成因工作天数较短，营运偏淡，惟与Tessera的授权合约终止诉讼尘埃落定，力成将可全力冲刺业务，不仅要重返DRAM封测领域，包括逻辑IC、NAND Flash与晶圆凸块
-
闪迪 iNAND EXTREME 嵌入式闪存加快旗舰级手持设备响应速度
全球闪存解决方案领导厂商闪迪公司2 月 24 日宣布推出新一代 iNAND Extreme™ 嵌入式闪存盘 (EFD) – 这是迄今为止闪迪推出的最快、最薄、最精良的嵌入式存储产品。 容量高达 64GB1 的 iNAND Extreme 样品已送至
-
为eMMC5.0而生，闪迪新款iNAND闪存亮相
2月24日，闪迪推出首款128G TF卡，刷新了TF卡的存储记录。除此TF卡外，闪迪在MWC2014大会上还带来新一代iNAND Extreme至尊级eMMC闪存存储卡，支持eMMC5.0接口，高达300MB/s的读取速度，提升了I/O性能。
-
2013年第四季NAND品牌供应商营收下滑4.5%
全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示，在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK海力士(Hynix)火灾影
-
记忆体市场翻身 封测厂华东否极泰来
记忆体专业封测厂华东科技总经理于鸿祺指出，记忆体历经前几年的大洗牌后市况大翻身，从2013年开始，无论是标准型DRAM或特殊型如Mobile DRAM均呈现价扬走势，而NAND Flash的需求也稳健成长，预估2014年对华东将是否极
-
三星：本季DRAM供需较平衡，库存调整冲击系统LSI
三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)24日公布，2013年第4季(10-12月)半导体部门合并营收年增9%(季增7%)至10.44兆韩圜；合并营益年增40%(季减3%)至1.99兆韩圜。三星指出，10-12月存储器营收年增22%(季增2%)6.52兆
xiahuan1130
雪山飞狐D
yygdzjs
mxt93r
sunspnet
eagle0
fastar01
lidahai123456
linxi6414
zw60606019
wyaj
whuhustwit
bjstar
lydzzhx
森与海巷
shaoye7031
zhangcw321
j543211
jasom.D
yanhaijian
