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武汉新芯：自主3D NAND研制成功，全靠“产学研用”
近日，武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)，一家迅速发展的300MM集成电路制造商，今日宣布其3D NAND项目研发取得突破性进展，第一个具有9层结构的存储测试芯片通过存储器
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指甲大小芯片装千部高清电影，超级存储器有这么不可思议
想象一下，在指甲大小的芯片上盖起9层高楼，难度有多大?昨日，楚天金报从总部位于光谷的武汉新芯集成电路制造有限公司(下称：武汉新芯)获悉，经过半年技术攻关，该公司首个
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苹果拉动NAND FLASH，供需终于要平衡了
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，受到新款智慧型手机上市以及 2015年度苹果(Apple)新款iPhone即将开始拉货的影响，NAND Flash市况将逐渐增温
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武汉新芯“3D NAND”项目获业内权威专家一致认可
武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会，业内专家对该项目的技术先进性
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SK海力士业务重整 DRAM、NAND等目标并进
南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士将把事业重心放
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三星、东芝竞扩产，NAND Flash恐跌三成
全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。市调机构IHS iSuppli最新报告预测，NA
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东芝扩大符合e·MMC 5.1版标准的嵌入式NAND闪存产品阵容
支持“command queuing”和“secure write protection”特性东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出符合JEDEC(电子元件工业联合会) e∙MMC™ 版 5.
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NAND FLASH扇区管理
首先需要了解NAND FLASH的结构。如图：以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
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8月NAND合约价 较上月跌近2成
根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，NAND Flash合约价在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬续跌5~10%，亦即8月合约价较7月重跌11~18%。集邦科技表示
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IC Insights：NAND与DRAM朝3D发展
随着 DRAM 和 NAND 技术持续迈向更先进几何制程与多层次记忆体的道路，IC Insights密切观察有关 DRAM 和 NAND 供应商的最新动态，期望能提供更清楚的 DRAM / NAND发展蓝图
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应用材料公司推出革命性的针对FinFET晶体管和3D NAND器件的电子束量测设备
21ic讯 全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司，在加利福尼亚州圣何塞举行的国际光学工程学会(SPIE)先进光刻技术大会上，推出了业界首款在线3D扫描电子线宽量测系统，成
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美光：始终专注企业级闪存 观望3D NAND
在全球第二大DRAM芯片制造商的密切关注之下，2D或者说平面NAND仍将在3D技术普及之前继续统治存储领域。作为佐证，美光(Micron)公司有意将这套已出现两年的NAND设计方案推向
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S5PV210之Nand flash驱动编写
大家好，又到了天嵌【嵌入式分享】的时间，相对于前几期【嵌入式分享】做的主要是TQ335X开发板的技术分享，本期决定做同是cortex-a8系列的TQ210开发板的技术分享。本期是关于TQ210开发板的Nand flash驱动编写，可能
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DRAM近期拉货强劲 本月价格可望强弹
主攻个人计算机市场的标准型动态随机存取存储器(DRAM)近期呈现强劲的拉货力道，本月价格可望强弹;应用行动装置的储存型快闪存储器(NAND Flash)因补货需求落空，价格看跌。
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TDK开发出eSSD系列控制器
NAND型闪存和闪存控制器一体化，以17mm×17mm尺寸实现了容量为1GByte～4GByte的SATA 3Gbps SSD TDK株式会社(社长：上釜健宏)成功开发出Single Chip固态硬盘eSSD系列
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存储技术变局为中国制造带来了什么机遇？
纵观半导体发展历史，一种新兴技术的出现，影响的不只是个别公司的兴衰，更是推动了某个产业的转型，新技术是变革者赶超传统技术列强的利器，也是产业升级的动力源，当年的
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DRAM近期拉货强劲 本月价格可望强弹
主攻个人计算机市场的标准型动态随机存取存储器(DRAM)近期呈现强劲的拉货力道，本月价格可望强弹;应用行动装置的储存型快闪存储器(NAND Flash)因补货需求落空，价格看跌。
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DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势
转自台湾digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高端桌上型电脑平台，并与LP-DDR3存储器将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪存储器也跨
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SSD前景因延迟和错误率蒙上阴影
加州大学和微软的研究发现，随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura
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苹果3.9亿美元收购闪盘组建供应商Anobit
1月12日消息 据彭博社报道，有消息人士表示，苹果以3.9亿美元的价格完成收购以色列闪存盘部件制造商Anobit。据称，该收购价格较此前Anobit方面的报价要低。收购传闻最早于
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