-
英特尔、美光合力3bps技术，推出业界最高效NAND产品
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品
-
英特尔联手美光推34纳米工艺NAND芯片
8月12日消息，据国外媒体报道，英特尔和美光科技今天宣布，双方已将当今最小的NAND芯片应用于消费存储设备。 新NAND闪存芯片采用34纳米生产工艺，每单元可储存3比特。新产品由两家公司合资企业IM Flash Technology公
-
英特尔和美光利用34纳米工艺开发32Gb 3bpc NAND芯片
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品。这
-
东芝公布中期经营计划 提出2011年度扭亏为盈
据报道，东芝计划在新兴市场国家投放低价格机型以扩大市场份额。与此前的3年相比，今后3年将减少5400亿日元的设备投资和1700亿日元的研发费用，以提高利润率。 公司将继续整合半导体等电子设备业务部门，将经营资源
-
减产效应加库存回补 第二季度NAND Flash市场收入大涨33.6%
在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格（ASP）约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一
-
第二季度NAND Flash市场收入大涨33.6%
在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格（ASP）约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季
-
基于 MC9328MX21的多功能开发平台设计
引言 在日益信息化的社会中，计算机和网络已经全面渗透到日常生活中。对于个人，需要的不仅仅是放在桌上处理的文档而是需要能够工作管理和生产控制的计算“机器”。而各种各样的新型嵌入式产品在应用数量上已远
-
东芝闪存工厂遭雷击 出货量下降价格上涨10%
据台湾媒体报道，东芝日前发生日本晶圆厂遭到雷击短暂停电事件，尽管NAND Flash产能并未受到影响，然令业界意外的是，由于该厂房主要生产包含快闪记忆卡控制芯片的逻辑IC产品，因此，使得东芝microSD卡供应量骤降，带
-
Pyramid：巴西移动宽带规模2011年将超过固网宽带
北京时间7月29日消息，电信调研机构Pyramid Research发布的最新报告显示，2011年，巴西移动宽带的市场规模将超越过固定宽带，到2014年，数据卡用户将从2008年的150万增至近2700万。Pyramid对移动宽带计算设备在巴西
-
海力士41纳米通过认证 切入苹果供应链
海力士(Hynix)NAND Flash产业之路命运多舛，之前48纳米制程量产不顺，加上减产之故，几乎是半退出NAND Flash产业，直到近期新制程41纳米制程量产顺利，才开始活跃起来，日前更打入苹果(Apple)iPhone 3G S供应链，获得
-
NAND Flash买气淡 7月下旬合约价仍稳住阵脚
7月下旬NAND Flash合约价在一片淡季声中，仍是稳住阵脚，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈现持平。模块厂表示，三星电子(Samsung Electronics)释出数量不多，因此即使市场的买气平平，NAND Fla
