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基于VxWorks的NAND FLASH驱动程序设计
基于VxWorks的NAND FLASH驱动程序设计
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美光：NAND尺寸持续微缩，挺进10纳米级有望
在日前的快闪内存高峰会(Flash Memory Summit)上，人们普遍对该产业的前途感到悲观。有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，
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美光对NAND未来充满乐观 挺進1x-nm有望
在日前的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上，人们普遍对该产业的前途感到悲观。 有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，还
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2013年闪存需求规模将达到08年的11倍 主要用途从智能手机转向个人电脑
根据配备各种存储器的电子终端等的产量，笔者预测了2013年之前NAND型闪存和DRAM的需求走势。预测结果为，1990年代曾经拉动半导体元件投资增长的DRAM即将完成其使命，NAND型闪存将取而代之，一跃成为投资主角。 按8
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2013年闪存需求规模将达到08年的11倍
根据配备各种存储器的电子终端等的产量，笔者预测了2013年之前NAND型闪存和DRAM的需求走势。预测结果为，1990年代曾经拉动半导体元件投资增长的DRAM即将完成其使命，NAND型闪存将取而代之，一跃成为投资主角。 按8Gb
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英特尔、美光合力3bps技术，推出业界最高效NAND产品
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品
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英特尔联手美光推34纳米工艺NAND芯片
8月12日消息，据国外媒体报道，英特尔和美光科技今天宣布，双方已将当今最小的NAND芯片应用于消费存储设备。 新NAND闪存芯片采用34纳米生产工艺，每单元可储存3比特。新产品由两家公司合资企业IM Flash Technology公
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英特尔和美光利用34纳米工艺开发32Gb 3bpc NAND芯片
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品。这
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东芝公布中期经营计划 提出2011年度扭亏为盈
据报道，东芝计划在新兴市场国家投放低价格机型以扩大市场份额。与此前的3年相比，今后3年将减少5400亿日元的设备投资和1700亿日元的研发费用，以提高利润率。 公司将继续整合半导体等电子设备业务部门，将经营资源
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减产效应加库存回补 第二季度NAND Flash市场收入大涨33.6%
在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格（ASP）约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一
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