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美光即将量产25nm工艺NAND
在半导体内存行业，美国美光科技（MicronTechnology）的地位在不断提高。该公司2010年2月宣布收购第一大NOR闪存厂商瑞士恒忆（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND闪存外，该公司今后还将涉足NOR闪存、MCP（Multi-chipPacka
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三星跳电 NAND、DRAM停止报价
DRAM龙头大厂三星半导体24日下午生产线意外跳电，旗下位于企兴（Kiheung）的12吋厂与8吋厂，分别负责生产NANDFlash、利基型DRAM产线跳电长达30分钟至40分钟，由于情形不明，厂商相继缩手，同步停止DRAM、NANDFlash报
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3月上旬NAND合约价小跌，厂商盼iPad带来需求
研究机构集邦科技表示，3月上旬主流MLC NAND Flash合约价下跌约1%~7%，但随着Apple宣布iPad将于4月3日上市后，目前NAND Flash相关业者期待iPad在第二季的后续销售状况及营运模式，能否为NAND Flash市场带来更多的需求
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iNAND嵌入式闪存驱动器支持e.MMC 4.4(SanDisk)
SanDisk（闪迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式闪存驱动器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4规格。这些驱动器基于3-bit-per-cell (X3) NAND闪存技术，在单一组件中提供最高达64GB1的容量，
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英特尔：不屑NAND竞争，力夺SSD龙头
芯片龙头英特尔(Intel)的NAND闪存事业群新主管透露，该公司立志成为固态储存(SSD)领域的一哥，但令人惊讶的是，他们没兴趣在NAND市场称王。 英特尔并不想步上三星(Samsung)、海力士(Hynix)与东芝(Toshiba)等NAND供货
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东芝宣布将关闭日本南部福冈内存封测厂
据台湾媒体报道，NAND快闪存储器大厂东芝3日下午宣布，将关闭位于日本福冈县宫若市的封测厂(TPACS)，今年中旬时该厂就将关闭，技术研发及设备等生产线，将移转到东芝NAND晶圆厂大本营的日本三重县四日市工厂内，预计
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东芝拟关闭福冈NAND工厂
据日本经济新闻报导，东芝计划今年关闭其国内2个NAND闪存工厂之一,而把存储芯片封装工作全部集中于另一工厂。即将关闭的工厂隶属于ToshibaLSIPackageSolutionCorp，位于福冈县宫若市,该厂生产设备以及约400名员工将被
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DRAM跌价袭击 模块厂1月营收处变不惊
2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而
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2010年NAND Flash价格发展持续两极化
NAND Flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple- Level Cell)成为市场
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海力士金钟甲：将扩增NAND Flash产能
据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。根据研究机构iSup
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3D电视：左眼看到商机，右眼看到挑战
消费性电子产业现在正透过立体3D眼镜看未来，但左眼虽看到了电视与多媒体产品新商机，右眼却看到一连串仍待克服的技术问题。 于是在刚落幕的2010年国际消费电子展(CES)上可看到一个有趣现象：当一般参观者挤在厂商摊
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一种在片上系统中实现Nand Flash控制器的方法
摘要:Nand Flash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成Nand Flash控制器成为一种趋势。本文提出了在一款基于ARM7TDMI CPU CORE的片上系统( SoC)芯片中的Nand Fl
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日月光、硅品 上季亮眼
半导体封测厂去年第四季营收普遍亮眼，不仅封测双雄日月光（2311）、硅品（2325）的第四季营收均逆势优于第三季，二线厂京元电（2449）、华东科（8110）、典范（3372）同样淡季不淡；在终端需求仍佳的情况下，封测厂
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英特尔Micron联手志重夺NAND工艺领先地位
英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。 预计Mi
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京元电与记忆卡封装厂群丰合作，提供Turn-key
晶圆测试厂京元电(2449)宣布与记忆卡封装厂群丰科技(3690)签署合作备忘录(MOU)，双方藉由结合在测试与封装领域的专业优势，提供客户最完整的Turn-key solution。 今年内存市况看好，从闪存、特殊型内存到标准型内
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英特尔、Micron联手志重夺NAND工艺领先地位
英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。 预计Mi
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韩结束3年反垄断调查 未发现芯片厂操纵价格
韩国公平交易委员会(FTC)周三宣布，并未发现NAND快闪记忆芯片制造商在韩国或其它地区有操纵市场价格的行为，也宣告终止近3年来对该产业的反垄断调查。反垄断监管单位声明，针对计算机记忆芯片产业 (包括DRAM">DRAM芯
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英特尔、Micron联手 志重夺NAND工艺领先地位
英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。预计Micr
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英特尔、Micron联手，志重夺NAND工艺领先地位
英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。 预计Mic
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传韩系三位元型MLC NAND芯片新品质量存稳定性问题
据业者透露，韩国厂商生产的三位元型MLC NAND闪存芯片新品在稳定性和耐用性方面不如现有两位元型产品，不过消息来源不愿意透露这家韩国厂商的具体名称。据消息来源透露，这家韩国厂商首批推出 的三位元MLC NAND闪存芯
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