在近日于美国举行的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上,一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中,SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告,NAND产业正处于“十字路口”,主要是因为市场产能供应
0 引 言 目前,随着电子技术的不断发展,计算机技术也得到飞速的发展,产生了很多新技术。但就计算机的基本结构来说,还是基本采用了冯·诺依曼结构。然而冯·诺依曼结构的一个中心点就是存储一控制,所以存储器
在近日于美国举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上,一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中,SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告,NAND产业正处于“十字路口”,主要是因为市场产
在日前的快闪内存高峰会(Flash Memory Summit)上,人们普遍对该产业的前途感到悲观。有人说,NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为,新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然,
面临英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营的压力,东芝(Toshiba)下半年积极转进32纳米的NAND Flash制程技术,东芝原本预计32纳米制程产量,在年底可达产能30%,但以目前进度来看,势必会延后量产时间点,其控制芯片供应商
基于VxWorks的NAND FLASH驱动程序设计
在日前的快闪内存高峰会(Flash Memory Summit)上,人们普遍对该产业的前途感到悲观。有人说,NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为,新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然,
在日前的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上,人们普遍对该产业的前途感到悲观。 有人说,NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为,新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然,还
根据配备各种存储器的电子终端等的产量,笔者预测了2013年之前NAND型闪存和DRAM的需求走势。预测结果为,1990年代曾经拉动半导体元件投资增长的DRAM即将完成其使命,NAND型闪存将取而代之,一跃成为投资主角。 按8
根据配备各种存储器的电子终端等的产量,笔者预测了2013年之前NAND型闪存和DRAM的需求走势。预测结果为,1990年代曾经拉动半导体元件投资增长的DRAM即将完成其使命,NAND型闪存将取而代之,一跃成为投资主角。 按8Gb
英特尔公司(Intel Corporation)和美光科技股份有限公司(Micron Technology Inc.)近日宣布,双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺,推出每单元储存3比特(3-bit-per-cell,简称3bps)的多层单元(MLC)NAND技术试用产品