器件采用PowerPAK® SO-8单体封装,导通电阻降至2.35 mΩ,栅极电荷为55 nC,COSS为614 pF。
2 A和3 A器件反向电压从45 V到200 V,正向压降低至0.36 V
为节省PCB空间,减少元件数量并简化设计,该器件采用优化封装结构,两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列,加大连接提高PCB接触面积,与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V,内部补偿功能减少外部元器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V,内部补偿功能减少外部元器件。
与全向发光的标准红外发射器不同,SurfLight VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01几乎所有光和功率都从芯片顶部发出。由于大部分光集中于表面,因此红外发射器辐照强度可达13 mW/sr,适用于接近传感器、光开关和小型光障。
日前发布的器件采用体积更小的 MicroSMP 封装,典型额定电流与 SMA 封装相当,具有更高功率密度,PCB 占用空间节省 57%。VS-1EQH02HM3和VS-2EQH02HM3采用非对称设计,大面积金属垫片有利于散热,热性能极为出色,FRED Pt 技术实现 13ns 超快恢复时间,Qrr 降至 11nC,在-55 °C至+175 °C整个工作温度范围内具有软恢复功能。
器件尺寸60 mm,精度大于13位,分辨率达19位,重复精度大于16位。
节省空间的200 V器件额定电流高达2 A,采用2.5 mm x 1.3 mm紧凑型封装,高度仅为0.65 mm。
目前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出2颗通过AEC-Q101认证的透射式光传感器---TCUT1630X01和TCUT1800X01,可用于汽车和工业领域。Vishay Semiconductors TCUT1630X01和TCUT1800X01采用小尺寸5.5mm x 5.85mm x 7mm封装,分别是业内首款3通道和4通道的透射式传感器。
器件额定功率高达2W和3W 阻值范围5 m至500 m
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款WSBS8518...34和WSBS8518...35 Power Metal Strip®电池分流器,采用固体金属镍铬合金电阻层,接头采用校准槽和“升压”设计,改进TCR性能(低至± 10 ppm/°C),提高工作温度范围内的精度。
介绍了精密金属箔电阻的特性和优势
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款全新系列采用紧凑型DIP-6和SMD-6封装的光可控硅输出光耦,进一步扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOT8025A和VOT8125A断态电压高达800 V,dV/dt为1000 V/μs,具有高稳定性和噪声隔离能力,适用于家用电器和工业设备。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型5050外形尺寸器件扩展其汽车级IHLP® 薄形、大电流电感器--- IHLP-5050EZ-5A。Vishay Dale IHLP-5050EZ-5A电感器可在 +155°C高温条件下连续工作,高度仅为5mm,节省汽车发动机舱的占用空间。
日前, Intertechnology, Inc.宣布,推出19款采用、、、TO-262、和改进型封装的汽车级 Pt和HEX极快和超快和软恢复。新器件具有极快恢复和软恢复特性,以及低正向
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装,有效提升板级可靠性。