模拟
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采用射频功率MOSFET设计功率放大器
1. 引言 本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器
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新型视频“帧捕获器”参考设计（科胜讯）
科胜讯系统公司推出新型视频“帧捕获器”参考设计，帮助用户通过一个集成的通用串行总线接口（USB）捕捉和传送来自摄像机和 VCR的采用旧技术的模拟视频文件到个人电脑。这将有助于用户在因特网上更轻松地数字化、编辑
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业内最小的快速采样/保持IC（Maxim）
Maxim推出采用2mm x 2mm µDFN封装的快速采样/保持电路DS1843。该器件可以通过其差分输入在低于300ns时间内采集信号，并在输出端保持长达100µs。低输入失调电压(约5mV)保证了精确的测量。DS1843包含差分、
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3线总线收发器XE1201
XE1201是XEMICS公司生产的RFIC，它集无线电发射与接收功能于一身，并具有外用元件少，功率损耗低等特点，可使用3线总线接口来选择发射、接收与待机三种传输状态。文中介绍了XE1201的引脚功能、工作原理、外部元件的选择及其相关的匹配网络电路，最后给出了它的典型应用电路。
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业界最薄的表面贴装车用TVS（Vishay）
高功率器件采用TO-277A封装，具有6.8V～43V的击穿电压和10.5V～61.9V的钳位能力 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列1500W表面贴装车用瞬态电压抑制二极管(TVS) --- TPC系列，器件的厚度为业界最薄
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莱姆：铁路建设热潮带出巨大电量传感器市场
中国铁路建设热潮给半导体与元器件厂商带来了千载难逢的发展机会，除了DSP、电力电子器件等主要核心器件供应商外，电量传感器厂商也从中收益颇丰。“莱姆集团(LEM)是全球电量传感器行业的领导者，我们在全球铁路
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Diodes音频DAC及前置放大器芯片助力THX Big Room演示
近期在美国亚特兰大举办的CEDIA Expo 2009上，Diodes公司的多通道DAC及数字前置放大器Zetex ZXCZM800在世界首次THX "Big Room"音频概念演示中起到了举足轻重的作用。Big Room是THX公司全新的产品设计和经过认证的概念
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3C热销 封测接单转强
中国十一长假才刚结束，但通路业者端已传回好消息，包括计算机、手机、消费性电子产品等3C产品实际销售（sell through）成绩斐然，让国内封测厂松了一口气，普遍认为第四季接单情况应比先前预期要再乐观一点。 由
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联电新加坡工厂扩产使用45/40nm工艺
据报道，联电近日表示，他们在新加坡的Fab 12i晶圆厂已经开始启动扩产计划进行45/40nm工艺生产，联电的此次扩产计划也是为满足客户对先进制程技术的需求。Fab 12i晶圆厂是联电的首个300mm晶圆厂，于2002年4月完工，并
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消息称台积电将扩产追加资本支出至25亿~30亿美元
据台湾媒体报道，业内人士预计，由于台积电看好明年IDM(集成器件制造)厂扩大委托代工，台积电月底可能将再度调升今年资本支出预算至25亿~30亿美元以上。台积电花钱扩产不手软，由于看好明年IDM厂扩大委托代工，及65纳
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台湾联电9月收入2.96亿美元 连续4个月增长
据报道，联电近日公布了9月份的财政收入报告，联电9月份总收入2.96亿美元，创下了自2007年以来的月收入新高。与此同时，联电的季度收入也在逐步增加，并朝着同比增长的趋势发展。联电9月份总收入同比去年增长了18.41
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德州仪器启用德州Richardson晶圆制造厂
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">德州仪器(TI)宣布启用位于德州Richardson的晶圆制造厂，并预计于十月份将设备迁入厂内。该晶圆厂为美国绿建筑协会(
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基于FPGA和USB2．0的高速数据采集系统
USB是近年来在计算机领域日益流行的一种总线形式。在数据采集领域，基于FPGA和USB2．0的数据采集系统不但具有速度快、易扩展等特点，而且凭借即插即用的功能，适用于更广泛的应用场合。本文介绍了数据采集与传输系统的工作原理。硬件部分，给出了各模块的内部结构设计，以及FPGA内部各个功能模块的设计思路和具体实现过程；软件部分，给出了系统的软件结构，以及固件程序流程。
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英特尔缩减工厂投资 中国研究中心改名研究院
10月12日上午消息，英特尔首席技术官(CTO)贾斯汀(Justin R. Rattner)12日上午在北京透露，为了应对金融危机，英特尔已缩减了在工厂方面(晶圆厂、芯片封装测试厂)的投资，但芯片技术的研发投资没有减少，与往年相当。
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台积电扩产追加资本支出至30亿美元以上
由于看好明年IDM厂扩大委外代工，及65纳米以下先进制程产能供不应求，台积电今年来公告取得设备及厂房等总投资金额，已超过新台币700亿元，换算已达21亿至22亿美元，今年额定23亿美元资本支出几乎都已用罄。设备业者
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