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集成电路的替换方法及原则(
在电子产品开发与维修中.在考虑其成本，或确认一块集成电路损坏后，通常要找一个与原器件的规格、型号一致的集成块来替换。而要找一个与原器件规格、型号一致的替换件并不容易，因此如何寻找能够替代原品的集成电路器件，就成了维修的关键。
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拆焊贴片式集成电路的方法
在业余条件下拆焊贴片式集成电路是件比较困难的事，笔者在维修实践中总结了一套拆焊贴片式集成电路的方法，介绍给大家，供同行参考。
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芯片设计问题须知及设计策略
电流密度过高导致金属原子逐渐置换，这时就会产生电子迁移问题。当很长时间内在同一个方向有过多电流流过时，在互连线上会开始形成空洞(Void，原子耗尽时出现)和小丘(hillock，原子积聚时产生)。足够多的原子被置换后，会产生断路或短路。当小丘触及邻近的互连线时，短路出现，从而引起芯片失效。
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错误使用派生时钟对逻辑时序的影响
两个从逻辑功能上看是一样的，但修改后因为只使用CLK48M时钟，逻辑都是以CLK48M为触发时钟，省去了一级触发器的延时，于是大大缩短了从源到目的寄存器的延时。提高了最高时钟速率。
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网络综合布线系统的防磁设计
电磁干扰是电子系统辐射的寄生电能，这里的电子系统也包括电缆。这种寄生电能能在附近的其它电缆或系统上影响综合布线系统的正常工作，降低数据传输的可靠性，增加误码率，使图像扭曲变形、控制信号误动作等。电磁辐射则涉及信息在正常传输中被无关人员窃取的安全问题，或者造成电磁污染。
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高介电常数栅电介质/金属栅极的FA CMP技术
高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是“先栅极”和“后栅极”。“后栅极”又称为可替换栅极(以下简称RMG)，使用该工艺时高介电常数栅电介质无需经过高温步骤，所以VT偏移很小，芯片的可靠性更高。
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场效应管使用注意事项及检测技巧
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
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光学光刻和EUV光刻中的掩膜与晶圆形貌效应
半导体制造中微型化的进展使得光刻掩膜和晶圆上的几何图形不断增加。准确模拟这些图形产生的衍射要求运用精确的电磁场(EMF)模拟方法。这些方法是在给定的几何形状、材料参数和入射场(照明)条件下，用合适的数值方法解麦克斯韦方程组。
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移动芯片变革趋势及设计注意事项
由于出现了如此规模有待开拓的市场，设备制造商不断寻找能够以合理价格为目标市场提供新一代“杀手”级设备的半导体解决方案。供应商使用能够充分满足消费者对处理、功耗以及连接等设备期望的芯片积极响应这一需求。
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双向晶闸管过零检测电路设计
双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
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晶体管驱动负载技巧及选择的注意事项
在电子制作时，经常涉及到需要控制蜂鸣器、继电器、电机等元件，发现晶体管负载的不同接法，效果差别很大，有的接法甚至会导致电路工作不可靠，下面将介绍常见的负载驱动电路、驱动电路及元器件的选择和使用进行讨论。
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TCXO晶振控制芯片设计思路
各种电子设备中，从最简单的玩具、家电、钟表到复杂的计算机、手机、卫星导航和尖端的通讯、航空设备上都要大量用到晶振，目前，以高精度温补晶振(TCXO)的市场发展最为迅速，例如，采用高精度温补晶振的GPS手机的年增长率就超过30%，还有3G 手机，GPS照相机和汽车电子等发展迅速的市场。
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教你认识如何看懂集成电路的线路图
有些集成电路应用电路中，画出了集成电路的内电路方框图，这时对分析集成电路应用电路是相当方便的，但这种表示方式不多。
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利用新一代硅调谐器IC设计主流电视
硅电视调谐器IC正在迅速取代传统的混频振荡器锁相环(MOPLL)CAN调谐器技术，以降低成本缩小尺寸并提高性能。硅调谐器IC在2007年以前就已开始采用，并在2010年由于平板电视和机顶盒销量大增而大量应用。硅电视调谐器能否被广泛采用，关键在于设计出的性能水平能否媲美MOPLL，而一旦半导体供应商达到了这个性能标准要求，硅电视调谐器IC加速出货的障碍就彻底扫清了。
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EDA工具提供便携高效设计环境
我国的便携能源消费市场会比2011年提高30%-50%的购买量。随着FPGA硅芯片的更新换代，FPGA产品的门数量不断增加，性能与专门功能逐渐加强，使得FPGA在电子系统领域能够取代此前只有ASIC和ASSP才能发挥的作用。但是，FPGA必须有适当的设计工具辅助，让设计人员充分发挥其作用，否则再好的产品也毫无意义。
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