全球无线通讯及数字媒体 IC 设计领导厂商联发科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) 近日召开董事会,会中决议将依照《公开收购公开发行公司有价证券管理办法》,进行对开曼晨星半导体公司 (股票代码:3697;以下简称&ld
上海华虹NEC电子有限公司 (以下简称“华虹NEC”)与全球专业测试设备供应商爱德万测试(以下简称“Advantest”)近日共同宣布,已成功合作开发ISO14443协议标准的RFID芯片晶圆级大规模多同测解决方
《自然—通讯》(Nature Communications)最近发表了北京大学国际量子材料科学中心(冯济研究员和王恩哥教授为通讯作者)与中国科学院物理研究所和半导体研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of m
中共中央政治局常委、国务院副总理李克强18日到中国科学院半导体所考察。他强调,要围绕经济社会发展和民生改善的需要,着眼促进经济长期平稳较快发展,以体制改革推进结构调整,更好地发挥科技创新驱动作用,积极培
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
电子设计自动化技术的领导厂商 Mentor Graphics公司近日发表一篇署名文章,阐述电气仿真、MCAD和PLM在汽车设计中的应用。文章的全文可在 Mentor Graphics 的官方网站阅读和下载 http://www.mentor.com/。 作者 John
来自国外媒体的报道,AMD高级副总裁兼首席技术官马克佩特马斯特(MarkPapermaster)日前透露,AMD芯片制造工艺在2013年将迎来重大变化,或将从现有的SOI制造工艺切换到28nmBulkCMOS工艺。在GPU生产方面,AMD并没有打
最近,美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法,首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路,即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下,整个线路仍能工作。碳纳米管(CNTs)超越了传
AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化,将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改变。目前南方群岛系列GPU,已
21ic讯 莱迪思半导体公司日前宣布与全球销售代表和代理商合作伙伴共同举办“@MachXO2的速度”系列研讨会。本次研讨会包括动手技术培训和现场演示,展示了创新的MachXO2™ PLD,有助于缩短设计周期并加
21ic讯 赛灵思公司(Xilinx, Inc.)将在摩纳哥举行的 2012 年 WDM 和下一代光网络大会上展示了其针对电信级光网络的 All Programmable 技术的优势,其中重点演示支持下一代(CFP2)光学模块并采用 28 Gbps 收发器的赛
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
意法半导体宣布,引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消
超微(AMD)全球资深副总裁与技术长马克(MarkPapermaster)表示,2013年超微制程技术上将有新的改变,由绝缘层上覆矽(SOI)制程改为28纳米块状矽(BulkCMOS)制程。市场预期,台积电明年有望双吃超微部分28纳米的A
2010-2011年富士通半导体杯“两岸三地·创意未来”MCU设计竞赛颁奖典礼近日在上海浦东嘉里大酒店隆重举行。以“舞动巧思 放声未来”为主题的颁奖典礼现场表彰了一系列兼具创新与实用的未来