• 飞兆半导体全球移动资源中心提供产品测试帮助设计人员实现最终产品差异化

    随着移动系统设计周期缩短,能够及时验证产品成功的能力是开发过程中至关重要的步骤。第一步即正确设计和制造产品有助于缩短上市时间,并提供争取市场份额所需的竞争优势。为了帮助移动产品设计人员取得设计成功,全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)设立全球移动资源中心(Global Mobile Resource Center, GMRC),让移动技术设计人员联系飞兆半导体的技术专家,获取兼容性测试资源和多样化的技术解决方案。 位于上海的全球移动资源中心具备先进的移动设备测试能力,能够提供个性化的客户体验。移动产品设计人员现在拥有支持早期产品设计的宝贵选择。GMRC工程技术人员将进行严格的实时测试,应对高速信号、模拟/数字音频和视频、RF无线通信、移动功率管理和其它移动应用的设计挑战。 观看中心优势和特色重点介绍视频,请访问网址 http://bcove.me/uql0w6ad。 飞兆半导体高级技术经理罗勇进表示:“与客户密切合作开发实用的解决方案,是飞兆半导体所有工作的目标。GMRC配备先进的测试设施和业界领先的工程技术人员团队,可为客户提供竞争优势。” GMRC提供的测试包括: · USB 2.0/3.0、HDMI™/ MHL™、MIPI®兼容性测试,以及TDR测试 · 序列逻辑分析、ESD和移动功率管理 · 模拟/数字音频和视频信号测试 · 移动RF设备的仿真器测试、基带与IP数据流量、RF功率和频谱测试 飞兆半导体全球移动资源中心的成立目标为提供创新的移动解决方案并成为移动设计工程师的重要工具,帮助快速改进设计并缩短上市时间。中心提供即时响应和优化的解决方案,能够减少产品退货情况,并进一步证实飞兆半导体积极扩大并提升客户支持的承诺。

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  • 三星 挑战英特尔半导体龙头地位

    已在电视和智慧手机市场称霸的三星电子,接下来准备挑战英特尔的半导体制造商龙头地位。三星看好智慧行动装置中最重要的逻辑晶片需求将强劲成长,正大举投资。 野村证券的研究显示,到2014年底止,行动应用处理器(AP )需求每年可望成长40%,个人电脑中央处理器(CPU)仅有个位数成长。NH投资和证券公司估,到2015年前全球AP市场规模可望三级跳至330亿美元,CPU市场将萎缩逾10%至340亿美元。 这对三星、高通(Qualcomm)和德仪(TI)等大型AP制造商、及行动晶片设计商安谋(ARM)而言,是利多消息。英特尔在个人电脑CPU市占率高达80%,但在新兴的行动应用处理器市场却没有太大表现。 三星正将部分记忆体晶片生产线转为生产逻辑晶片,并在南韩投资近20亿美元建新逻辑晶片厂,反映三星预期,智慧手机和平板电脑将成为全球半导体市场的成长驱动力。 HMC投资证券公司的分析师葛雷格.卢说:「整体竞争态势将随着CPU和AP的界线模糊化而改变,英特尔正尝试打进行动晶片,安谋阵营的AP效能也改良到逼近CPU水准,三星的终极目标可能是挑战英特尔和高通。」 研究机构IHS iSuppli分析师希德可预估,三星有可能在半导体总产量超越英特尔、夺下市场龙头地位,但要在「三星AP产品除供应自己和苹果使用外,也向外扩大客户基础,而且英特尔错失行动晶片良机」的条件下,才可能发生。 三星已抢得市场先机,举凡iPad、iPhone和自家Galaxy系列产品,当前最畅销智慧手机和平板电脑所用的AP都来自三星。相较下,英特尔在AP市场才刚起步,首款搭载英特尔新Medfield处理器的智慧手机4月在印度推出,联想和摩托罗拉行动的部分智慧手机也将采用英特尔晶片,但仍无法和苹果、高通和三星等主流行动晶片相提并论。    

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  • 美国:莱迪思半导体下调第2季度营收预期

    据美国6月14日媒体报道,近日美国莱迪思半导体公司(LatticeSemiconductor)下调了2012年第2季度财务业绩预期,因为战略客户业务所得增幅被持续疲软的全球分销渠道(尤其是欧洲)所抵消。该公司目前预计第2季度营收将环比持平或下降3%,而此前该公司预测营收将较上季度持平或增长4%。不过,该公司仍维持第2季度总经营开支预期保持不变,仍为3950万美元,其中包括收购相关费用约100万美元。

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  • 日本扩张光伏投资 REC股价随之上涨

    6月18日,为削减对原子能的依赖性,日本政府正式公布光伏补贴费率。受此影响,挪威光伏产品制造商RenewableEnergyCorp.ASA(REC)的股价在奥斯陆证券交易所上涨至两周以来的最高点。REC公司总部位于桑维卡,公司股价上涨7.9个百分点,收于2.69挪威克朗,创下自6月1日以来的最高点。截至挪威当地时间下午1点20分,股价上涨5.6个百分点,成为当日挪威证券基准指数中最大的赢家。2011年日本福岛发生核灾难以后,日本计划削减对原子能的依赖,而原子能展该国发电量的30%左右。日本产业部长YukioEdano昨日公布最新的光伏优惠费率大约是目前传统电价的三倍。这将推动硅片及电池制造企业的需求量,其中包括REC、Solarworld和Q-Cells公司。据了解,今年REC公司的股价市值已蒸发99%。2007年9月,该公司股价盘中最高点曾触及224.017挪威克朗。目前该公司正关闭挪威Heroeya工厂的剩余硅片产量。

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  • 新西兰太阳能发电产业期待政府大力倡导

    新西兰可持续能源机构负责人日前表示,随着太阳能电池组件成本的下降和发电成本的上升,政府是时候开始认真考虑支持家用太阳能发电系统的配套安装了。新西兰电力协会主席(SEANZ)BrendanWinitana也强调,新西兰的家庭目前正面临冬季取暖费用的增加,现在必须做出相应的举措来减轻民众的负担。Winitana还陈述说,过去的18个月时间里,太阳能发电系统的价格下降了50%,这使得太阳能发电逐渐成为一种经济实惠的新途径。新西兰电力协会期待政府能够在倡导太阳能发电方面起到领导作用,并呼吁大力发展分布式太阳能发电。Winitana表示,太阳能发电可以与其他某种发电方式结合发展。“地方政府已经在支持太阳能热水系统和太阳能发电系统方面做出了很好的典范,中央政府应该多向地方政府学习。”利用太阳能分布式系统不但可以降低家用能源的整体成本,还能就多余的电力送入电网。根据新西兰电力协会调查的数据,去年全国家庭太阳能电力系统的安装量达到了400个,而之前一年的数字为180。Winitana说,在这些家庭太阳能发电系统中,只有不到200个接入了电网,可以将多余的电力出售给电力公司。新西兰的2011-21能源战略规定了政府要实现到2025年,90%的能源需求来自于可再生能源。新西兰能源效率和环境保护管理局(EECA)执行主席MikeUnderhill说,目前新西兰最便宜的大规模可再生能源是风能和地热能。他说:“新西兰可再生能源潜力巨大,目前已有3000MW的可再生能源项目获得批准,足以满足15年的增长需求,还有大批项目在调查中。”MikeUnderhill还表示,新西兰目前还是过多地依赖集中式能源发电,电力传输设施的建设和维护成本过高,以后的方向时集中发电和分布式发电之间的更好的组合。现在太阳能电力系统价格不断下降,越来越多的家庭会考虑投资。MikeUnderhill说,这是市场趋势,也是人们喜好所决定的。

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  • 高通收购电源管理解决方案商Summit

    6月19日消息,据国外媒体报道,高通今日宣布,公司已经收购了位于美国加州桑尼维尔市的领先可编程电源集成电路开发商和供应商SummitMicroelectronics。有了Summit的专业技术和产品,高通的电源管理计划将得到显著增强。完成这项收购交易之后,高通就能提供一套更完备的电源管理解决方案,满足客户们的各种需求,解决产品设计上的许多难题。Summit的所有员工已经加入高通旗下的CDMA技术部门。随着具备先进计算能力、高分辨率显示屏和高级连网技术(比如4GLTE)的各种智能设备越来越多,客户们对电源管理解决方案提出了更高和更严格的要求。SummitMicroelectronics是电源管理解决方案领域的领先供应商,它提供的电源管理解决方案灵活性强、集成度高、还可通过单芯片上的数码控制技术精确调整电源。另外,高通的快速充电解决方案已经被应用于各种领先的手机、平板电脑和电子阅读器中。高通总裁兼首席运营官史蒂夫莫兰科夫(SteveMollenkopf)表示:“SummitMicroelectronics带来了重要的专家、技术、产品和设计,这项收购交易可增强高通芯片组解决方案的竞争力,让我们可以为客户们提供行业领先的电源管理和充电解决方案。”高通没有透露这项收购交易的具体财务条款。

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  • 太阳能光伏市场 日本将超越德国?

    日本“皈依”太阳能也许对该国不是好消息—但是对于世界市场将带来积极的影响。在日本福岛核灾难后,日本开始转移注意力,远离核武器而转向可再生能源,到目前为止,日本已经关闭其所有核能源的发电设施。虽然日本首相最近下令重新使用两个核反应堆,但是同时还推出了非常远大的方案,以支持可再生能源的利用。工业部长由纪夫枝野已拟定的支付给太阳能发电系统业主的价格水平,据彭博新能源财经表示,3.2GW的太阳能光伏装机容量将推动至少达96亿美元的投资。日本公用事业公司须以每度42日元(52.4美分)的代价向生产太阳能电力者买电20年。新能源财经表示,按照去年全球新增光伏发电装置数据,日本排在第六位,且2013年的安装量将介于3.2至4.7GW之间-可提供一百万日本家庭清洁和安全电源的使用。彭博社预测,在太阳能光伏发电容量增长方面,日本将超越过去的德国和意大利。而只有中国排在它前面。关于这些消息,日本的太阳能产业是可以理解为让人欣喜若狂的。增加新能源的利用不只能看到太阳能企业的利润,而同样伴随竞争的同时,加大投资力度也会导致研究和开发的增加-推动太阳能电池板,光伏逆变器以及相关设备的创新和价格的下降。关于福岛灾难受影响的核电厂运营商仍在挣扎。据上《福岛新闻》发布的一份报告显示,东京电力公司说,还未能从反应堆中找到一种新的方法停止放射性水泄漏,在停运的道路上还需要完成一个关键步骤。

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  • 跨国半导体巨头在中国市场赖以生存的四大规则

    瑞迪科微电子公司CEO戴保家表示,跨国半导体巨头将难以在消费电子IC业务和中国无晶圆芯片厂商抗衡,它们已经“玩完”了!建立于2004年的瑞迪科微电子,并在2010年11月份在纳斯达克交易所正式上市。瑞迪科微电子是中国领先的无晶圆IC厂商,主要为中国本土手机制造商研发应用于手机及无线通信的RF和混合信号芯片。瑞迪科(以下简称RDA)为中国移动手机市场主要供应商之一。根据IHSiSuppli预估数据显示,瑞迪科微电子在国内白色家电的功率放大器、蓝牙、调频调谐器和DVB-S等市场处于领先地位。然而,要和类似博通这些巨头在全球半导体市场展开竞争,RDA还有很长的路要走。可是,戴保家表示,在中国做领导者却无疑是一个很好的选择。RDA令人艳羡的一个增长预期,该公司将会主导全球电子市场,戴保家指出。他引用知名国际巨头,ADI和德州仪器(TI)退出中国基带芯片业务来进行说明。当没有中国内地的芯片公司在技术上的与之抗衡,台湾联发科(MediaTek)和Mstar利用资本杠杆在中国获取主要市场。确实,正如戴保家提出的预期,留给国际芯片巨头的日子已经是屈指可数了,特别是在中国移动手持设备和机顶盒市场。他指出,因为在中国的供应链中,毛利不可能达到50%。当谈及代工、设计、封装和系统OEMs原厂整个产业生态时,戴保家指出“要想做大市场蛋糕,首先必须本土化”。在中国市场赖以生存的四大规则规则1:中国手机制造商“周期”非常短。在国外,通常需要花六个月(诺基亚则需要一年)去完成新手机设计,中国的手机制造商则是三个月。规则2:中国手机厂商不会提供市场需求信息给芯片供应商。规则3:芯片制造商必须在较低的毛利中挣扎求得生存。规则4:在中国的系统厂商一般不懂技术。跨国巨头在与中国同行们竞争时,在为期半年的新系统开发中会抽出100个人进行研发,而中国只需5到10个人,开发周期只需三个月。外国公司不光是在他们的产品升级换代中显得反应迟缓,在应对消费者的投诉问题也是很久才得到处理。外国芯片厂商离“gameover”还会远吗?

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  • 以碳纳米管为基础的全晶片数字电路首次研制成功

    据物理学家组织网6月15日(北京时间)报道,最近,美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法,首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路,即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下,整个线路仍能工作。碳纳米管(CNTs)超越了传统的硅技术,在能效方面有望比硅基线路提高10倍。第一个初级纳米管晶体管诞生于1998年,人们期望这将开启一个高能效、先进计算设备新时代,但受制于碳纳米管本身固有的缺点,这一愿景一直未能实现。“作为未来的密集型高能效集成电路,碳纳米晶体管极具吸引力。然而当人们想把它们用在微电子领域时,却遭遇到巨大的障碍。最主要的就是它们的位置和电属性的变化。”IBM托马斯·瓦特森研究中心物理科学部主管苏布拉迪克·高华说。在碳纳米管能变成一种有现实影响力的技术之前,至少还要克服两大障碍:第一,研究已证明,要造出具有“完美”直线型的纳米管是不可能的,而扭曲错位的纳米管会导致线路出错,以致功能紊乱;第二,迄今还没有一种技术能生产出完全一致的半导体纳米管,如果线路中出现了金属碳纳米管,会导致短路、漏电、脆弱易受干扰。针对这两大难题,研究人员设计了一种独特的“缺陷-免疫”模式,生产出第一个全晶片级的数字逻辑装置,能不受碳纳米管线向错误和位置错误的影响。此外,他们还发明了一种能从线路中清除那些不必要元素的方法,从而解决了金属碳纳米管的问题。他们的设计方法有两个突出特点,首先是没有牺牲碳纳米管能效,其次还能与现有的制造方法和设施兼容,很容易实现商业化应用。他们的研究最近还被作为国际电子设备大会(IEDM)的邀请论文,以及美国电器与电子工程师协会(IEEE)会报集成线路与系统计算机辅助设计方面的“主题论文”。下一步,研究人员将尝试造出数字集成系统的基本组件:计算线路与序列存储,以及首个高度一体化的整体三维集成电路。

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  • 无晶圆厂/晶圆代工模式还能存活好久

    两个月前,英特尔(Intel)高层MarkBohr指“无晶圆厂经营模式快不行了”的说法,引发不少热烈讨论;以下这篇由顾问机构InternationalBusinessStrategies(IBS)执行长HandelJones所撰写的分析文章,或许可以提供一些反驳论点。 目前半导体产业面临的挑战究竟有哪些? 1.28奈米制程节点的参数良率尚未到达预期水准: 在28奈米节点,包括随机掺杂扰动(randomdopantfluctuations)、线宽、线间距变动,以及导孔电阻值(viaresistance)等会影响RC相关时序的种种问题,为目标规格带来不可预知且低落的参数良率。这种制程变异带来不断增加的漏电、功耗与良率等冲击,而晶圆代工业者与无晶圆厂晶片供应商所面临的挑战如下图所示。 为了弭平图中所示的鸿沟,晶圆代工厂的制程技术团队与无晶圆厂晶片供应商设计团队之间,需要有一个IDM形式的沟通介面。大型无晶圆厂晶片业者与晶圆代工厂,具备建立该种介面的财源,也能合作解决问题;但是较小型的厂商将会面临财务挑战。不过关键是,谁应该负责建立那种IDM形式的沟通规则,并支付所需成本?是无晶圆厂业者、晶圆代工厂,还是两边都要负担?看来其中有很多都是需要双方共享的。 半导体制程演进过程中,晶圆代??工厂与无晶圆厂业者之间的技术鸿沟越来越深 2.要成为晶圆代工产业龙头,所需支出的资本越来越高: 台积电(TSMC)的2012年资本支出为80亿美元,也就是每1万片晶圆需要10亿美元成本,以因应每月8万片晶圆的28奈米与20奈米制程额外产能。三星(Samsung)的非记忆体业务2012年资本支出金额也在80亿美元左右(官方公布为65亿美元),大约也是供应每月8万片的额外产能。 Globalfoundries则是正在提升Malta晶圆厂的产出,计划在目前Dresden晶圆厂每月8万片晶圆产能之外,再增加每月3万片晶圆的额外产能。至于联电(UMC),其2012年资本支出金额为20亿美元,并宣布其Fab12厂将筹资80亿美元。只有很少数的半导体厂商有能力在14奈米节点投资更大产能所需的成本,因此无晶圆厂晶片供应商也会去选择最佳的合作对象。 3.随着晶片微缩,制程技术复??杂度也更高: 无论是对IDM厂商或是晶圆代工业者来说一个很大的问题是,随着晶片微缩,开发先进制程技术的成本也越来越高,如下方图所示。在20奈米节点,主要的成本来自于bulkCMOS技术,但到了14奈米节点则是FinFET(已知英特尔在22奈米节点就使用FinFET)。 开发新一代制程技术所需成本 据估计,要成为领导厂商,开发FinFET制程技术所需成本约在20至30亿美元,若不想落后太多最起码也要投资18亿美元;以研发成本占据总营收10%的比例来计算,需要达到90亿美元的营收才够,而且技术开发时间超过2年。而在14奈米节点,要拥有适合的晶圆制程技术以及厂房设备,以每月4万片晶圆产能计算,成本将超过50亿美元。 若要升级18寸晶圆,以每月4万片晶圆产能计算,则需要100亿美元的额外投资,不过每年也有达到100亿美元营收的潜力。因此有能力投入18寸晶圆领域的,会是那些能取得庞大资金来源的厂商;但对晶圆代工厂来说,如果能建立适当的业务模式,回收也会不错。这么样一个高风险、高回收的产业环境,如果晶圆代工厂与无晶圆厂晶片供应商之间能建立IDM形式的沟听介面,其效益没理由会比一家IDM厂来得差。 下图是在不同半导体制程节点的晶圆代工市场规模;估计到2018年,整体晶圆代工市场将达630亿美元。一家拥有40%全球市占率的晶圆代工业者,2018年的营收规模可达252亿美元;拥有越高市占率的晶圆代工厂,也能确保高利润(这也会成为厂商继续参与晶圆代工业务的动力)。 不同半導體製程節點的晶圓代工市場規模 不同半導體製程節點的晶圓代工市場規模(列表) 那些有能力弭平设计与制造之间鸿沟的晶圆代工业者可获得庞大的财务回收,但前提是需要开发能拉近设计与制造部门之间距离的介面与沟通桥梁。在14奈米这样的先进制程节点,大概只有两家──或者最多三家──晶圆代工厂能拥有大量晶圆产能(每月5万片以上),这些业者还需要开发能让他们获利的业务模式。 那么,类似IDM的晶圆代工厂与无晶圆厂晶片供应商关系是怎样的呢?无晶圆厂业者需要提供更详细的设计资讯给晶圆代工伙伴,晶圆代工厂则需要有专门团队与无晶圆厂晶片供应商的设计团队合作,好让客户的产品能顺利在晶圆厂生产。晶圆代工厂也需要在设计布建阶段,与策略性无晶圆厂客户在程式库、IP等支援上有更紧密的合作。无论是晶圆代工厂或无晶圆厂内部的技能都必须强化,并应该建立一种类IDM的运作架构。 到20奈米与14奈米技术节点,晶圆代工业务模式还能生存;但未来制程节点的演进,等待时间会越来越长。前面说的两年时间是不切实际的,未来进展至每个制程节点的新产品开发周期,会需要适应更长的制程演进时间。英特尔虽在晶圆制造领域扮演领导者角色,但关键问题是英特尔将如何利用其领导地位优势;英特尔有许多种选项,该公司正遭遇十字路口。 晶圆代工与无晶圆厂晶片供应商的业务模式,虽然会遭遇投资与技术方面的挑战,但那些问题在14奈米节点之后都能被解决。然而在FinFET的时代过去之后,半导体产业将会经历一段非常阴霾的时期,那对无晶圆厂/晶圆代工业务模式,以及IDM厂商来说,将是另一个挑战的开始。

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  • 多国确定人工制造石墨烯指南

    尽管石墨烯具有非凡的特性,但并不完美。然而,它是一个非常好的样品,可以基于它改造出具有新特性的完美材料。据物理学家组织网近日报道,一个来自美国、加拿大、法国和捷克共和国的国际科学家团队在一项新研究中已经确定人造石墨烯所需的主要标准,为在实验中合成这种材料提供了指南。该研究成果发表在最近一期《新物理学杂志》上。 美国纽约布法罗大学维博尔尼补充说,在未来的实验中人为制造石墨烯将充满挑战,但却是可行的。我们没有看到任何阻止制造石墨烯的主要障碍,但技术上却相当棘手,比如找到一定数量参数的合适材料,包括载流子密度、调制电势强度和晶格常数等。我们的工作是系统地解决问题,把数量上的实验结果与理论上明确的标准相比较。 人造石墨与天然石墨相比具有一定的优势,例如其晶体结构形式可以是多种多样的。正如研究人员解释的,天然石墨烯的晶体结构是固定的,包括一个完美的蜂窝晶格,碳与碳的距离为0.142纳米。与此相反,通过电子束光刻的方式,可将人造石墨烯形成半导体多分子层,而不是只有一个精确的晶格形式或一个晶格常数。 研究人员说,下一步计划在实验室用可行的方法创造人造石墨烯,以进一步将晶格常数(应用潜力的周期性)降低到几十纳米。为了实现这一目标,他们打算利用更高分辨率的电子束光刻或聚焦离子束技术,并希望广泛存在的实验技术(红外/赫兹、可见光谱或电子运输)能够在人造石墨烯中提供狄拉克费米子的证据。

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  • 欧洲正徘徊于晶片制造业的十字路口

    欧洲半导体市场将经历重大的转型,可能影响到欧陆主导制造商的地位。除非欧洲能采取强化生产力的策略以及增加对于下一代技术的投资,否则将严重地冲击到该区的经济成长。 由法国经济与市场咨询公司DecisionEtudesConseil以及英国半导体研究公司FutureHorizo??ns共同合作展开一项为期14个月的研究调查后,根据这份报告显示:由于缺乏一个长期产业观的引导以及促进相关利益各方的协调合作,欧洲将失去其先进与具竞争力的半导体制造基础架构。」 研究人员们指出,半导体市场仍然是一个「具策略意义的重要产业,提供了可产生全球10%GDP的知识与技术。」但该报告也提出了警告,部份的欧洲主导晶片公司由于无法导入最新技术,将「威胁到目前欧洲的供应链制造基础,包括技术开发与元件设计。」 该报告发出的警语反映出欧洲当前的思考──由于近来的市场变化迫使欧洲晶片制造商面临建立新晶圆厂可能带来高昂成本而缩减晶片生产研发花费与资本开支的现象,使得许多政府领导者担心将动摇欧陆半导体生产市场的根基。 事实上,Decision与FutureHorizo??ns的研究就是由欧盟执行委员会(EC)委托进行调查的,并已形成了部份的成果,可重新检讨欧洲目前在高科技制造的位置,同时也提出一些得以提升当地厂商竞争位置的建议策略。 研究人员们的结论是,有能力开发下一代半导体晶圆厂(主要是450mm晶圆)的半导体供应商与制造地区将主导未来的产业。根据FutureHorizo??ns公司CEOMalcolmPenn解释,原因之一在于450mm晶圆厂可带来的良率更高、生产力提升,制造商更具成本优势。能够成功生产450mm晶圆(目前最大的是300mm晶圆厂)的公司将可超越竞争对手。 「对于半导体产业来说,为了使晶圆厂产能需求保持10%的年成长率,转型至450mm晶圆厂势在必行,」Penn在其研究声明中说。 「450mm晶圆的表面积更大2.25倍,每块晶圆所能产生的IC数也更多,因而打造一座450mm晶圆厂所具有的效率比两座300mm晶圆厂更高。转移至450mm预期可使成本更低30%,从而为4500mm晶圆厂带来更明确超越300mm的竞争优势。」 然而,欧洲在这方面正处于劣势。由于成本太高,以及与推动300mm晶圆厂时的部份合作伙伴关系陷于紧张,目前欧洲最大的晶片制造商们似乎并不急于将珍贵的资源投入于450mm晶圆厂中。 美国和亚洲的几家晶片商都致力于在其最新的晶圆厂中推出450mm技术。包括IBM、英特尔(Intel)、GlobalFoundries、台积电与三星等公司已率先形成了G450联盟。但目前这一联盟看来还少了意法半导体(STMicroelectronics)、恩智浦半导体(NXP)和英飞凌科技(InfineonTechnologies)等几家欧陆最大的半导体供应商。 「该研究报告中的一项结论是──转移至450mm将会发生,而且它很可能是这个产业界最后一次的晶圆微缩,」该研究机构在寄给记者的一份新闻声明中说。「这也将确定出下一轮(也许是最后一轮)十到十五个全球最先进半导体生产地区的地理位置。」 Decision与FutureHorizo??ns公司的这份研究报告中提到了几点重要结论: 「由于缺乏一种长期产业观的引导以及促进相关利益各方的协调合作,欧洲将失去先进与具竞争力的半导体制造基础架构。这种长远的眼光并非阻碍300mm或450mm的发展,而是同时思考如何导入这两种技术作为延续先进制造业发展的一部份,并考虑到半导体供应链的所有阶段。」 「虽然欧洲在300mm转型期间未能有效利用其优势,但过渡到450mm时则可望为其带来真正的机会,让欧洲得以藉由稳定其完整的供应链以及确定最先进的半导体技术继续在欧陆制造,重新取得其于半导体制造业领域曾经拥有的位置。欧洲可以在短期内启动一项五年期计划,紧急在欧洲建立450E试产线,以支持欧洲设备与材料供应商转移至450mm,同时也与位于阿尔巴尼以美国为主导的G450C计划共同合作。」 「业界应进一步探讨IDM与私有450mm晶圆厂之间共同合资建造450mm「超越摩尔定律」(MtM)晶圆厂与协议共同发展的机会。无论结果如何,欧盟执行委员会都必须竭尽所能地确保所有潜在机会与位置,特别是确保欧洲现有最先进的制造中心仍是晶片公司选择下单与运转的最佳地点。」 「高科技产业只在技术转移期间缩小竞争差距。对于半导体产业而言,450mm技术的转移就是其中之一,而且很可能也是最后一次:欧洲半导体产业正徘徊于十字路口。」

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  • 日本制造出只有一个原子厚的硅薄膜

    日本北陆尖端科学技术大学院大学宣布,其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜,可具备半导体的性质,有望用于制造高速电子线路等。 研究小组在1厘米长、1厘米宽的硅基板表面,覆盖上陶瓷薄膜,然后在特殊真空装置中将其加热到900摄氏度。于是,硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄膜,出现在陶瓷薄膜表面,形成硅薄膜。如果将基板做得更大,就可以制作出更大面积的硅薄膜。 只有一个碳原子厚的石墨烯是迄今世界上最薄的材料,它的发明者因为这种具备诸多神奇性质的材料获得了2010年诺贝尔物理学奖。“silicene”被誉为硅版石墨烯而受到物理学界的关注。 研究小组带头人、北陆尖端科学技术大学院大学副教授高村由起子指出:“今后的课题是弄清‘silicene’的形成机制,并开发出将这种薄膜从基板上剥离下来的技术。”

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  • 新研发定向自组装技术扫清14nm节点障碍

    由半导体研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所资助的一个研发团队日前宣布,已经开发出一种新颖的自组装技术,该技术之前仅在实验室进行实验,但现在已经能针对14nm半导体工艺完善地建立所需的不规则图案了。 藉由解决芯片微缩过程中一项艰难的光刻挑战──即连接半导体和基板的微型接触过孔──这些斯坦福大学(StanfordUniversity)的研究人员展示了一款22nm的实作电路,声称可朝14nm转移,而且还能直接朝10nm以下节点发展。 “虽然也有其他研究单位证实了自组装的规则图案,”负责带领斯坦福大学SRC先导研究团队的PhilipWong说。“然而,这是首次针对未来次22nm芯片上的标准单元库,成功地运用定向自组装(DSA)建构所需的关键接触孔。 Wong的研究小组所开发的半导体不仅仅是测试架构,它是一款真正的22nm的实作电路,展示了DSA可用在未来的逻辑或存储器芯片中所需的任何不规则图案。该研究小组还证明了他们已经能应对模式中的缺陷问题,而且能维持整个晶圆的高分辨率和超精细功能。 “我们看到了Wong针对先进工艺节点所需的接触过孔所获得的关键性进展,而这正是当前业界面临的最艰困挑战,”SRC的纳米制造科学主管BobHavemann说。“Wong还使用了环保材料来进行开发,这也是另一个需要克服的障碍。” 斯坦福大学首次使用了标准光刻技术来为需要建构接触过孔的区域形成图案,使用的线宽可以是最终接触孔尺寸的两倍。如果接触孔对的间距是22nm,那么模版便可能会蚀刻出一个50nm长的椭圆型压痕。接下来,第二步骤是在晶圆上沉积自组装嵌段共聚物(block-copolymer),而且只活化压入区域(indentedareas)。透过精心制定共同聚合物的两个部分,便可自组装到需要以极密集间距蚀刻22nm过孔的精确图案位置。 “根据目前的展示,我们已经能够蚀刻22nm孔的不规则图案了,”该研究团队成员LindaHeYi说。“不过,我们目前的共聚物(copolymer)已经能处理小至14nm的图案中过孔。” 在涂层和蚀刻工艺中使用的溶剂是聚乙二醇乙醚醋酸脂,这是公认可取代传统溶剂的绿色替代产品。其它正在进行中的SRC专案也正藉由改善不同的聚合物配方,朝使用绿色材料将定向自组装技术推广到10nm以下的目标迈进。 这项研究专案同时独得美国国家科学基金会(NSF)提供的资金挹注。

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  • 中国移动互联网终端应用处理器产业发展:好景正当时

    应用处理器是集成电路领域的重要产品,是信息技术的核心,大力发展应用处理器产业对于我国正在进行的产业结构调整具有重要意义。近年来,智能手机、平板电脑的广泛普及直接拉动了上游应用处理器行业的快速发展。 目前中国已经成为全球移动互联网终端生产制造基地,其中智能手机产量占全球产量的60%以上。由于移动互联网终端制造是劳动密集型产业,国外终端品牌如Apple、Samsung、Nokia、Motorala等为了降低成本,纷纷在中国建设生产厂,或寻求富士康、东信等电子制造服务(EMS)企业代工。中国移动互联网终端的产量也随之迅速增长。在终端产量快速增长的拉动下,国内移动互联网终端应用处理器市场规模也在逐年迅速扩大。2011年中国移动互联网终端应用处理器市场规模达到328.1亿元,同比增长232.9%。   图 2007-2011年中国移动互联网终端应用处理器市场规模与增长 数据来源:赛迪顾问2012,04  随着移动互联网终端应用处理器市场的不断增长,越来越多的半导体厂商开始进入这一领域以寻求新的业务增长点,如Intel、AMD、nvidia等。国内其它企业,如瑞芯微、盈方微、北京君正、珠海全志等也纷纷推出移动互联网终端应用处理器产品,并将其作为未来重点拓展的业务发展方向。虽然众多的新进入者短期内尚难改变Qualcomm、Apple、TI三强并立的市场格局,但芯片厂商的增多将给下游终端厂商带来更多的选择,进而推动产品性价比的提升,从而促进产业的进一步快速发展。 目前来看,移动互联网终端操作系统将对应用处理器行业的发展起到至关重要的作用。一款应用处理器支持什么样的操作系统,以使终端的体验感更好,是移动互联网终端厂商选用芯片的一个重要因素。目前Android已成为市场上应用最广的移动互联网终端操作系统,iOS在苹果系列产品的热销下也不断抢占市场份额,而昔日的霸主Symbian则每况愈下。终端操作系统的兴衰将左右与其紧密相关的应用处理器厂商的发展,成为影响产业发展的重要因素。 在下游智能手机和平板电脑市场快速增长的带动下,尤其是中低端智能手机、平板电脑迅速普及的大趋势下,未来五年中国移动互联网终端应用处理器市场仍将保持快速增长态势,预计年均复合增长率将保持在40.5%左右。国内发展移动互联网终端应用处理器产业正当其时。

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