美国市场研究公司iSuppli周三发布报告称,苹果产品在全球的巨大需求推动这家消费电子巨头成为全球最大的芯片采购商。 苹果去年的芯片采购额约为175亿美元,超越全球第一大PC制造商惠普,位居全球之首。后者去年的芯片采购额约为152亿美元。 苹果的庞大采购量源于iPhone等产品的热销,每部iPhone中包含约80美元的芯片。苹果去年售出4800万部iPhone,同比增长89%。 “苹果2010年在半导体开支上的领导地位提升受益于无线产品的巨大成功,也就是iPhone和iPad。”iSuppli分析师叶文烈(Wenlie Ye,音译)在报告中说,“这些产品消耗了大量的NAND闪存,iPod同样需要这类产品。正因如此,苹果2010年也成为全球第一大NAND闪存采购商。” 三星和戴尔分列全球第三和第四大芯片采购商,诺基亚则位列第五。 iSuppli预计,苹果今年的领先优势将会继续扩大,芯片采购总额将达224亿美元,惠普预计为148亿美元。
据国际半导体设备材料产业协会(SEMI)透露,其编制的全球芯片厂数据库(WorldFabDatabase)的数据显示,2011年半导体芯片公司在芯片厂资本投资数额和芯片厂装机制造产能两个方面均较往年有所提升,但是今明两年半导体芯片公司在新建芯片厂方面的花费却将下降。 SEMI的高级分析师ChristianGregorDieseldorff表示:“2011年是半导体芯片厂购买半导体制造设备最为热火的一年。自今年 2月份以来,便已经有公司调高了对芯片厂的资本投资金额,这样一来,今年芯片厂在制造设备采购方面的投资恐怕会达到创纪录的440亿美元。不过到明年,有关的投资金额会下降6%,达到410亿美元的水平,即使如此,其数值仍然是除了2011年以外最高的一年。” 然而,新建的芯片厂数量则“创了历史新低”,而历来新建芯片厂的数量都可以反映出半导体业界未来几年之内的总产能提升状况。 据SEMI的统计数据显示,今年全球有17间芯片厂(包括13间LED应用方向的芯片厂)有较高的几率(大于60%)会开始新建。也就是说,除了LED有关的芯片厂之外,仅有4间半导体芯片厂今年会开始动工,而明年新建的芯片厂数量则同样也是4间。 另外,SEMI的数据还就450mm项目的投资发展力度方面进行了预测。根据SEMI的预测,明年业内将对450mm项目试产所用的制造设备进行初步资本投资,而全球首间可适用于450mm晶圆加工的芯片厂则已经于去年开始新建,今年则会有更多类似的工厂开始建造。但是总的来看,今明两年芯片厂建造用费用增加的幅度将会减缓。
据国际半导体设备材料产业协会(SEMI)透露,其编制的全球芯片厂数据库(World Fab Database) 的数据显示,2011年半导体芯片公司在芯片厂资本投资数额和芯片厂装机制造产能两个方面均较往年有所提升,但是今明两年半导体芯片公 司在新建芯片厂方面的花费却将下降。 SEMI的高级分析师Christian Gregor Dieseldorff表示:“2011年是半导体芯片厂购买半导体制造设备最为热火的一年。自今年2月份以来,便已经有公司调高了对芯片厂的资本投资金额,这样一来,今年芯片厂在制造设备采购方面的投资恐怕会达到创纪录的440亿美元。不过到明年,有关的投资金额会下降6%,达到410亿美元的水平,即使如此,其数值仍然是除了2011年以外最高的一年。” 然而,新建的芯片厂数量则“创了历史新低”,而历来新建芯片厂的数量都可以反映出半导体业界未来几年之内的总产能提升状况。 据SEMI的统计数据显示,今年全球有17间芯片厂(包括13间LED应用方向的芯片厂)有较高的几率(大于60%)会开始新建。也就是说,除了LED有关的芯片厂之外,仅有4间半导体芯片厂今年会开始动工,而明年新建的芯片厂数量则同样也是4间。 另外,SEMI的数据还就450mm项目的投资发展力度方面进行了预测。根据SEMI的预测,明年业内将对450mm项目试产所用的制造设备进行初步资本投资,而全球首间可适用于450mm晶圆加工的芯片厂则已经于去年开始新建,今年则会有更多类似的工厂开始建造。但是总的来看,今明两年芯片厂建造用费用增加的幅度将会减缓。
外电报导指出,半导体产业协会(SIA)公布的数据显示,2011年4月全球半导体3个月移动平均销售额为246.7亿美元,较前月的修正后的252.2亿美元减少2.2%;与2010年同期的237.4亿美元相较则是成长3.9%。SIA总裁BrianToohey表示,尽管4月份销售较前月微幅下滑,但是由于销售仍呈现年增局面,因此对于产业仍抱持乐观看法。估计年底前,半导体销售仍将持续呈现温和增长态势。4月份半导体销售呈现月减局面,部分因素与日本311大地震有关。随着供应链受到干扰的情形有所好转,估计下半年产业将会出现明显的改善。同时,年初迄今,整体半导体产业的增长表现,出现优于各国国内生产毛额(GDP)表现的趋势,而且2010年全球半导体销售也创下2,980亿美元的历年高点,年增率达31.8%。SIA这份统计数据还显示,4月美洲、亚太以及欧洲半导体3个月移动平均销售额分别月减3.7%、1.0%以及1.7%。日本市场锐减5.2%,为6个月来第5度下滑。根据日本半导体制造装置协会(SEAJ)日前公布的初步统计显示,4月份日本制半导体制造设备订单出货比(BB值)较前月微升0.02点至0.97,3个月来第2度呈现上扬,惟已连续第2个月低于1。0.97意味着当月每销售100日圆的产品中,仅接获价值97日圆的新订单;BB值低于1显示半导体设备需求低于供给。
日本政府所属的新能源暨产业技术总合开发机构(NEDO)5月31日发布新闻稿宣布,日本将携手欧盟(EU)共同研发聚光型太阳能电池技术,目标为研发出光电转换率可达全球最高45%以上的产品。NEDO指出,该研发企划的实施时间为自今年6月开始至2014年度为止的约4年内,投资金额约13亿日圆,其中日本端负担6.5亿日圆、欧盟则负担500万欧元(约6亿日圆)。NEDO表示,总计有来自6个国家(日本、西班牙、德国、英国、义大利和法国)的产官学界将携手研发上述聚光型太阳能电池技术,其中参与该研发企划的日本企业有Sharp和大同特殊钢等。NEDO指出,日本和欧盟于2008年就同意于能源技术领域进行合作,而上述聚光型太阳能电池的研发则为双方第一个合作企划。
近日,全球领先的半导体、显示器和太阳能行业制造设备解决方案供应商应用材料公司发布了其2011财年第二季度财务报告(截至2011年5月1日),其营业收入超过预期。本季度应用材料公司所获得的订单总额达31.9亿美元,净销售额为28.6亿美元,营运收入为6.77亿美元,净收入4.89亿美元(即每股收益为0.37美元)。应用材料公司董事会主席兼首席执行官麦克•斯普林特先生表示:“应用材料公司此次发布的季度财务报告是本公司历史上最好的季度业绩之一。尤其是我们的太阳能业务,其净销售额还刷新了历史记录。虽然近期的经济环境让我们的增长预期备受考验,但我们仍然对今年的增长前景保持乐观,因为我们的客户正计划对先进技术领域进行投资,以满足市场对移动设备和消费电子产品的持续增长的需求。”“本月早些时候,我们还宣布了收购Varian半导体公司的计划,以加强我们在半导体行业的领导地位,并向全球的客户、股东和员工提供有价值的产品和服务。”斯普林特补充道。应用材料公司首席财务官乔治•戴维斯先生表示:“公司第二季度的净销售额超出预期,所产生的每股收益也达到历史高点。在本季度内,我们还将公司的股息提高了14%,至每股8美分,并获得了超过7亿美元的营运现金流。”
最近,瑞士联邦材料科学与技术实验室将柔性太阳能电池(CIGS)的效率从17.6%提高到18.7%。该实验室的首席研究员AyodhyaN.Tiwari表示:“18.7%的柔性CIGS太阳能电池效率纪录几乎达到了多晶硅电池的水平。CIGS太阳能电池更加灵活与轻便,加上可与一流太阳能电池媲美的效率水平,有很大潜力在不久的未来实现电池模式的转变,并大大降低太阳能发电的成本。”位于德国弗赖堡的Fraunhofer太阳能系统研究所独立验证了这个新纪录。
北京时间5月31日,BCD半导体今天宣布,该公司以560万美元现金已经收购了Auramicro公司,后者是一家在开曼注册成立的私营公司,运营业务主要在台湾。此次收购将有利于加强BCD半导体公司电源管理IC研发团队,扩大该公司DC/DC产品组合和解决方案,加快该公司仍处于发展阶段的Fab2制造进程。此项交易预计将在2011年第二季度完成。根据这项交易,该公司在每个季度里将在运营支出方面增加约50万美元初始投入,这项交易对BCD半导体公司2011财年和2012财年每股盈利的影响预期分别为中性和增加。
根据全球半导体贸易统计机构(WSTS)最新的数据,四月份日本市场半导体芯片销售创过去23个月以来的新低。这一结果可能和日本311大地震影响有关。四月份日本市场半导体芯片销售实际金额为29.4亿美元,和三月份相比下降了26.4%,而和去年同期相比则下降了18.8%。
IHSiSuppli公司的研究显示,在出口的刺激下,中国芯片设计市场走上高速增长道路,2010-2015年销售额将扩大一倍。 2015年中国无厂半导体公司的营业收入将从2010年的52亿美元增长到107亿美元,如图所示。2010年营业收入比2009年的42亿美元增长23.6%。2011年营业收入将达到57.4亿美元,比2010年增长11.3%。 手机半导体需求大增,在2010年让中国无线半导体公司受益非浅。去年中国设计的手机出货量增长近60%。 中国无厂供应商展讯通信有限公司利用这种增长机会,为手机设计了多种半导体,包括核心芯片组、射频收发器和总体无线解决方案。该公司2010年实现营业收入3.46亿美元,是中国首家营业收入超过3亿美元的无线半导体公司。展讯2011年营业收入预计超过5亿美元,保持领先地位。 为了在未来几年实现增长,中国无厂半导体公司可能专注于IHSiSuppli公司所说的“3C”:中国(China),消费者(Consumer)与融合(Convergence)。 无厂公司将重视中国国内科技产业,抓住该市场的扩张机会。他们也必须利用中国的国内优势,如该国的巨大需求。 中国的无厂半导体供应商还必须专注于消费电子产业,因为该市场所强调的技术、价格和质量,正是中国芯片设计厂商的强项。 此外,中国无厂供应商现在必须致力于其产品的功能融合,智能手机与平板电脑日益流行,正在推动这种融合趋势。他们还必须重视产品功能融合所带来的产业与商业模式的变化。 但是,为了采取下一步措施和超越国际竞争对手,中国无厂公司还有三个C需要重视:文化(Culture),内容(Content)和贡献(Contribution)。这些厂商必须适应海外客户的不同文化。他们必须更多地了解推动技术市场发展的终端内容领域。中国政府为促进无厂产业的发展,在投资、税收和资本投资等方面推出了一系列激励政策,中国无厂公司必须利用政府对产业的这些贡献。 虽然无厂产业增长前景光明,但仍面临一些障碍。 首先,该产业在渗透逻辑半导体市场方面存在困难。2010年上半年,代工与装配产能处于短缺状态,而鉴于国内无厂供应商的规模较小,难以获得产能。 半导体市场由少数几家巨头把持,半导体产业还要应对这种垄断结构。中国无厂公司规模太小,也使其更难以与大型竞争对手抗衡。 无厂产业的一个亮点仍然是政府加大对它的扶持力度,中国政府今年推出了针对软件与集成电路产业的新政策。新政策更加灵活,中国无厂产业有望步上快速增长轨道。
随著芯片制程逐渐微缩到28纳米,在芯片密度更高及成本降低压力下,铜柱凸块(Copper Pillar Bump)技术正逐渐取代锡铅凸块,成为覆晶主流技术,封装技术变革大战再度开打。由于一线封装大厂包括艾克尔(Amkor)、日月光、星科金朋(STATS ChipPAC)、矽品等皆具备铜柱凸块技术能力,业界预期2012年可望放量生产,并跃升技术主流。 芯片制程逐渐自40纳米往28纳米微缩,芯片体积变小,对空间、密度要求更高,加上成本压力有增无减,促使芯片厂纷改采铜柱凸块技术,封测相关业者表示,主要通讯芯片大厂如德仪(TI)、高通(Qualcomm)、迈威尔(Marvell)、博通(Broadcom)、英飞凌(Infineon)纷跟进采用,目前主要封装大厂皆具备铜柱凸块技术能力,其中以艾克尔因与德仪合作OMAP4平台,进展脚步最快,其次为日月光、星科金朋和矽品。 事实上,以英特尔(Intel)为首的IC芯片制造业,已开始在特定产品采用铜柱凸块覆晶技术,初期主要用在PC相关芯片,然近期通讯芯片产品采用铜柱凸块情况益趋增加,象是德仪基频芯片平台OMAP4便采用铜柱凸块技术。封测业者表示,由于智能型手机讲求短薄、功能多元及电力持久等特性,为预留较大电池空间,不仅需提高芯片密度,芯片厚度亦必须变薄,使得铜柱凸块成为较佳的覆晶植球技术。 面对封装技术演变,日月光在铜打线制程脚步相对领先,但在铜柱凸块落后艾克尔,近期已开始送样认证,根据客户产品蓝图规画,随著28纳米制程在2012年跃升主流,将推升铜柱凸块需求大幅成长。 对于以逻辑IC为主的封装厂,覆晶植球技术自锡铅凸块转为铜柱凸块,封装厂仍可沿用旧机台,只需更换电镀液即可,转换成本不高,但对于以金凸块为主的厂商,转换技术可能较不易,以颀邦为例,由于金价高涨,降低成本不易,其虽拥有铜柱凸块技术能力,但由于金凸块和铜柱凸块制程不同,必须投资新产线,以投资1万片12寸晶圆所需铜柱凸块制程产线而言,全线资本支出恐达新台币10亿~20亿元,所费不赀。 在英特尔促使下,PC相关元件已率先采用铜柱凸块,估计自2010~2016年铜柱凸块市场复合成长率为19.68%(研究机构Yole Developpement资料),2012年铜柱凸块技术将取代锡铅凸块跃升技术主流,预期到2016年将有一半覆晶植球晶圆采用铜柱凸块技术。
据南韩电子新闻报导,全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业,然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中,一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida),可能会更快完成制程转换作业,并动摇海力士数年来维持的竞争力。对此说法,海力士反驳道,目前皆依照计划日程顺利进行转换中。 南韩相关业者引用DRAMeXange报告指出,三星电子(SamsungElectronics)、海力士、尔必达等主要DRAM内存芯片业者展开转换至30纳米等级以下微细制程的激烈竞争,其中三星与其他竞争业者维持相当大的差距。 三星30纳米制程比重持续扩大,至2011年底预估将可扩大至50%。尔必达计划从6月开始投入30纳米制程量产,以年底达到整体产量50%为目标积极作业中。 而海力士从2011年第1季开始在30纳米制程中首度采用6F2Layout进行生产,但至2011年下半在扩大30纳米制程比重仍受限制,主要原因在海力士是首度在30纳米制程中采用6F2技术,而30纳米制程转换作业又有技术上的困难。南韩证券专家对海力士是否能顺利扩大30纳米制程比重也抱持尚待观察的态度。 9个多月前三星便已开始转换到30纳米制程,目前仍未能大幅扩大比重,而海力士转换制程至今约4个月,仍难说会有怎样的成果。南韩MiraeAssetSecurities分析师表示,40纳米以下的制程比起现有制程,在技术方面的难易度较高,因此较难预测未来是否能顺利转换成功。三星从以前就已经使用6F2技术,而海力士则是从30纳米制程才开始采用6F2技术,在扩大比重方面较难抱持乐观态度。如果海力士在转换到30纳米制程上仍无法摆脱瓶颈,恐怕会被尔必达赶过。 对于外界的评价,海力士表示,进行尖端技术开发已有一段时日,且扩大资本支出,在扩大比重方面不会有问题。海力士相关人员表示,从第1季开始投入30纳米DRAM量产,计划至年底将比重扩大至40%。且海力士为了使用6F2技术,从过去就已持续进行相关研究,目前正顺利进行制程转换当中,在扩大比重方面也将会依照日程顺利进行。
亚洲开发银行副行长赵晓宇30日在曼谷举行的“亚洲太阳能论坛”第三次会议开幕式上说,亚洲地区必须提高太阳能发电量,以适应该地区强劲的经济增长和节能减排需要。“到2050年,亚洲将占全球贸易额和投资额的一半,”赵晓宇说,“亚洲各国必须在保持经济增长和提高能源安全的同时构建一条全新的低碳发展之路。”亚洲拥有丰富的太阳能资源,但统计数据显示,2010年亚洲地区太阳能发电量仅为500兆瓦,占亚洲地区总发电量的0.25%。赵晓宇介绍,“亚洲太阳能计划”的阶段性目标是,在2013年实现亚洲的太阳能发电量占总发电量的比重增加到3%到5%。终极目标是使太阳能电力成本低于电网电力成本,让更多发展中国家享受到太阳能电力的实惠。“亚洲太阳能论坛”第三次会议为期两天,来自中国、孟加拉国、斯里兰卡、泰国等国家和地区的300多名政府官员、私营企业代表和太阳能专家出席论坛。“亚洲太阳能论坛”作为亚行“亚洲太阳能计划”的主要组成部分,旨在通过开发适合亚洲地区的太阳能项目,大幅提升太阳能在这一地区的利用率。为了实现这一目标,亚行计划在2011年至2013年,每年为太阳能开发项目提供20亿美元贷款。
据IHSiSuppli公司的研究,第一季度的过多半导体库存,帮助半导体产业避免了组件严重短缺。最初人们担忧,日本地震与海啸会带来严重的组件短缺问题。2011年第一季度结束的时候,不包括内存厂商在内的芯片供应商半导体库存估计为82.0天,比2010年第四季度时的79.4天上升3.3天,比去年同期增加10.8天。总体来看,半导体渠道的平均库存天数(DOI)自2009年第三季度以来持续稳定上升,同时库存金额自2010年第一季度以来不断增长,如图所示。今年第一季度库存金额估计为272亿美元。 现在看来,厂商在2010年第四季度到2011年第一季度这段淡季时期增加库存实属幸运,因为它为原材料、在加工产品和产成品创造了2-4周的缓冲。IHS公司认为,日本灾害发生在3月11日,属于第一季度末段,因此第一季度供应链受到直接冲击的时间有限。日本灾害对第二季度的影响也可能小于先前的预期。许多最初受到破坏或者受到供电不足影响的半导体工厂已经恢复正常运行,减轻了对第二季度半导体销售额的不利影响。受破坏比较严重的工厂,已经把生产业务转移到其它工厂或者外部代工厂商。例如,瑞萨电子受到破坏的Naka工厂在地震后不久就把生产业务转移到了其它地方。与此同时,该公司计划在7月底以前恢复到震前的生产水平。第二季度库存上升,但未来前景变得更加模糊IHS公司认为,第二季度半导体供应商的库存水平预计进一步上升。这将是供应商有意为之,在第二和第三季度为满足需求增长而做准备,而且半导体库存增长也不一定是出于对组件短缺的担忧。但是,某些终端产品却呈现出不同的趋势,包括用于电视、监视器和笔记本电脑的显示器。品牌电子厂商正在增加储备,以防止供应链可能出现问题。尽管近期库存上升,但未来前景变得有些模糊。一旦内部库存减少,渠道可能无法及时补充库存来满足所有终端需求,从而给供应链的参与者造成风险。日本灾害也促使厂商重新审视库存政策,原来坚持及时制(JIT)库存策略的厂商重新评估潜在的订单损失。这种损失可能归因于缺乏某种组件或原材料导致其产品无法出货,尽管JIT可以实现成本节省。厂商可能发现,这场灾害导致客户开始采用第二货源,而且可能从此失去某种组件的订单。时间将会告诉我们,日本灾害等最近发生的全球性事件是否催生一种长期做法,而不只是权宜之计:保持额外库存,作为预防手段,防止意外事件破坏市场供应。作者SharonStiefel,IHS公司半导体市场情报分析师。
三星公司日前将其太阳能业务部门并入了子公司三星SDI(SamsungSDI),而三星SDI此前负责平板显示设备及锂离子电池的制造。公司称这一价值1.48亿美元的转让是为了“更有效地整合公司资源”并使公司把更多的注意力放在核心业务方面。三星SDI将从2011年7月1日起接手太阳能业务。三星曾在几天前的一份公告中表示,公司将在下月于慕尼黑举办的Intersolar展会期间召开一次新闻发布会,届时将介绍公司在光伏产业的扩张计划及新品发布。这也将是三星首次为其光伏业务召开官方新闻发布会。作为公司GreenManagementPlan计划的一部分,三星将在2020年前在光伏领域投资55亿美元。在去年的慕尼黑展会上,PV-Tech曾独家专访负责太阳能业务的三星电子副社长崔昌植,当时三星正专注于制造高效太阳能电池,不过现在三星已经开始销售组件并转型为业务涵盖多晶硅生产、组件加工和大规模光伏电站项目开发的一体化供应商。