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  • 发展碲化镉薄膜太阳能电池的几个关键问题

    碲化镉薄膜太阳能电池的发展日益受到重视。碲资源、电池成本、电池生产和使用对环境的影响等问题是碲化镉薄膜太阳能电池发展中受到很多人关注的问题。本文对此进行了分析讨论，最后分析了工业化规模生产碲化镉薄膜太阳能电池组件的关键技术。引言碲化镉薄膜太阳能电池的发展受到国内外的关注，其小面积电池的转换效率已经达到了16.5%，商业组件的转换效率约9%，组件的最高转换效率达到11%。国内四川大学制备出转换效率为13.38%的小面积单元太阳能电池，54cm2集成组件转换效率达到7％，正在进行0.1㎡组件生产线的建设和大面积电池生产技术的研发。成本估算考虑电池的结构为玻璃/SnO2：F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe：Cu/Ni，碲化镉薄膜的厚度为5微米，转换效率为7%，1MW碲化镉薄膜太阳能电池所消耗的材料的成本如下表所示。碲化镉薄膜太阳能电池的材料成本 可见，碲化镉和透明导电玻璃构成材料成本的主体，分别占到消耗材料总成本的45.4%和38.2%。消耗材料的成本还可以进一步降低，如将碲化镉薄膜的厚度减薄1微米，则碲化镉材料的消耗将降低20%，从而使材料总成本降低9.1%，即从每峰瓦6.21元降为5.64元。如使用99.999%纯度的碲化镉，效率依然能达到7%，材料成本还将进一步降低。因此，材料成本达到或低于每峰瓦5元人民币是可能的。考虑工资、管理、电力和设备折旧等其他成本，碲化镉薄膜太阳能电池的成本大约是每峰瓦13.64元人民币或更低。因此，即使销售价格为每峰瓦20~22元人民币，约为晶体硅太阳能电池现在价格的60%，也能保证制造商有相当的利润空间。由于碲化镉薄膜太阳能电池成本低，其发展对于解决我国西部地区分散居住人口的电力供应具有重要意义。碲资源碲是地球上的稀有元素，发展碲化镉薄膜太阳能电池面临的首要问题就是地球上碲的储藏量是否能满足碲化镉太阳能电池组件的工业化规模生产及应用。工业上，碲主要是从电解铜或冶炼锌的废料中回收得到。据相关报道，地球上有碲14.9万吨，其中中国有2.2万吨，美国有2.5万吨。在美国碲化镉薄膜太阳能电池制造商FirstSolar年产量25MW的工厂中，300~340公斤碲化镉即可以满足1MW太阳能电池的生产需要。考虑到碲的密度为6.25g/cm3，镉的密度为8.64g/cm3，则130~140公斤碲即可以满足1MW碲化镉薄膜太阳能电池的生产需要。由以上数据可以知道，按现已探明储量，地球上的碲资源可以供100个年生产能力为100MW的生产线用100年。环境影响由于碲化镉薄膜太阳能电池含有重金属元素镉，使很多人担心碲化镉太阳能电池的生产和使用对环境的影响。多年来，一些公司和专家不愿步入碲化镉太阳能电池的开发和生产。那么，碲化镉薄膜太阳能电池的生产和使用中镉的排放究竟有多严重呢？为此，美国布鲁克文国家实验室的科学家们专门研究了这个问题。他们系统研究了晶体硅太阳能电池、碲化镉太阳能电池与煤、石油、天然气等常规能源和核能的单位发电量的重金属排放量。在太阳能电池的分析中，考虑了将原始矿石加工得到制备太阳能电池所需材料、太阳能电池制备、太阳能电池的使用等全寿命周期过程。研究结果表明（见图1），石油的镉排放量是最高的，达到44.3g/GWh，媒次之，为3.7g/GWh。而太阳能电池的排放量均小于1g/GWh，其中又以碲化镉的镉排放量最低，为0.3g/GWh。与天然气相同，硅太阳能电池的镉排放量大约是碲化镉太阳能电池的两倍。图1太阳能电池组件与其他能源的镉排放量的比较图 他们还研究了硅太阳能电池和碲化镉太阳能电池生产与使用中其他重金属的排放。研究结果表明（见图2），碲化镉太阳能电池的砷、铬、铅、汞、镍等其他重金属的排放量也比硅太阳能电池的低。该研究报告结论基于对美国FirstSolar公司碲化镉薄膜太阳能电池生产线、碲化镉太阳能电池组件使用现场的系统考察，和对其他太阳能电池、能源的实际生产企业的工艺、相关产品的使用环境研究分析得出。研究结果的科学性、公正性得到国内外的认可。研究者在2006年欧洲材料年会硫系半导体光伏材料分会作的报告引起了与会人员的强烈关注。图2硅太阳能电池和碲化镉太阳能电池的重金属排放量的比较图 美国的研究人员还针对碲化镉薄膜太阳能电池组件使用过程中，遇到火灾等意外事故造成组件损毁时镉的污染进行了研究。他们将双玻璃封装的碲化镉薄膜太阳能电池组件在模拟建筑物发生火灾的情况下进行试验，实验温度高达1100℃。结果表明，高温下玻璃变软以至于熔化，化合物半导体薄膜被包封在软化了的玻璃中，镉流失量不到电池所含镉总量的0.04%。考虑到发生火灾的几率，得出使用过程中，镉的排放量不到0.06mg/GWh。虽然实验表明碲化镉薄膜太阳能电池组件的使用是安全的，但是建立寿命末期电池组件和损毁组件的回收机制可以增强公众的信心。分离出的Cd、Te及其他有用材料，还可用于制造生产太阳能电池组件所需的相关材料，进行循环生产。美国、欧洲的研究表明，技术上是可行的，回收材料的效益高于回收成本。事实上，美国FirstSolar公司的碲化镉太阳能电池组件在销售时就与用户签订了由工厂支付回收费用的回收合同。[!--empirenews.page--]综上所述，碲化镉太阳能电池在生产、使用等方面是环境友好的。大面积碲化镉薄膜太阳能电池组件制造的关键技术与小面积单元电池相同，硫化镉、碲化镉、复合背接触层等三层薄膜的沉积和后处理是获得高效率的技术关键。不同的是，需要在电池的制备过程中对在特定的工艺环节分别对透明导电薄膜、CdS/CdTe半导体层、金属背电极进行刻划，实现单元电池的串联集成。此外，工业化大面积组件生产要求工艺条件重复性高，薄膜性质均匀性好，使一些在制备高效率小面积单元电池时使用的有效技术，并不适用于大面积组件的制造，需要发展新的技术。图3碲化镉薄膜太阳能电池组件集成结构示意图 图4碲化镉薄膜太阳能电池组件制备工艺流程图 1．集成技术集成工艺对组件的转换效率具有决定性的影响。实现集成的刻划技术有机械刻划、激光刻划两种。机械刻划的刻划速度比激光刻划的慢得多，而且对于如碲化镉等厚度到微米量级的较脆的薄膜，保证刻槽的平直无渣工艺难度较大。激光刻划能够获得较窄的刻槽，宽度最低可到100微米。通常，使用基频（1.064微米）YAG：Nd激光刻划系统刻划透明导电薄膜，使用倍频（532nm）YAG：Nd激光刻划系统刻划硫化镉/碲化镉膜层和金属背电极。激光刻划系统有两种，其一是移动样品实现激光刻划，其二是样品固定激光头移动实现激光刻划。前者受微动台的限制，刻划速度只能达到300mm/Sec~500mm/Sec，后者的刻划速度可高达3000mm/Sec以上。刻痕形貌对串联集成的电子学特性有极大影响。激光入射方向、激光模式、刻划速度和Q开关调制频率是决定刻痕形貌的主要参量。从玻璃面入射比从薄膜面入射更容易得到高质量的刻痕。图5是分别用1064nm激光和532nm的激光刻划CdS/CdTe薄膜后，用探针式表面轮廓分析仪测量的刻痕形貌。1064nm激光刻划的刻槽边缘有高达4微米的“脊状峰”，这不利于后续沉积的背电极接触层及金属背电极与透明导电薄膜之间形成连续的具有良好欧姆特性的连接。图5CdTe薄膜激光刻划刻痕形貌 2．碲化镉薄膜的表面腐蚀技术刚沉积的碲化镉薄膜载流子浓度低，需要在含氧、氯的气氛下进行380℃～450℃的热处理。该工艺同时也促进CdS/CdTe的界面扩散，减少界面的格子失配程度和钝化了薄膜的晶界势垒。但该工艺在碲化镉膜面形成了一高阻氧化层，可以用化学腐蚀或离子刻蚀去除CdTe膜面的高阻氧化层。物理刻蚀技术废料少，容易和其他工艺环节集成，但是不易获得厚度在10nm～100nm的高质量富碲层，该层对于形成良好欧姆接触特性的背电极是非常关键的。化学腐蚀方法中，常用体积浓度为0.1%的溴甲醇溶液作为腐蚀液，腐蚀时间8～15秒。虽然使用该腐蚀工艺制备的小面积电池转换效率高达16.5%，但是溴甲醇溶液在空气中容易氧化，不适合工业化生产使用，需要发展更稳定的腐蚀液和速度慢的腐蚀工艺。使用磷酸-硝酸混合溶液可以获得较好的腐蚀效果，典型溶液的体积浓度为（硝酸：磷酸：水）0.5：70：29.5，室温下腐蚀时间为1分钟。降低硝酸浓度和温度可以进一步延长腐蚀。磷硝酸溶液沿晶界的择优腐蚀较为严重，容易在沉积背电极后形成局部的短路漏电通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以进一步减轻晶体择优腐蚀程度，获得更好的膜面腐蚀效果。图6不同温度下使用硝酸-冰乙酸腐蚀后碲化镉的XRD谱图 前景展望碲化镉薄膜太阳能电池正日益受到国内外的关注。全球最大的碲化镉太阳能电池制造商——美国FirstSolar公司正加速扩大产能，该公司正在德国建设年产量100MW的工厂，该工厂得到欧盟4000万欧元的投资。同时，FirstSolar还计划在美国本土和亚洲分别建设一个100MW的工厂。鉴于碲化镉薄膜太阳能电池的发展前景，日本计划再启动碲化镉薄膜太阳能电池的工业化生产技术研究，意大利和德国也在进行类似的工作。国内四川大学的碲化镉薄膜太阳能电池工业化生产技术研究进展顺利，将推动我国碲化镉薄膜太阳能电池的规模生产。

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  • 精功科技太阳能光伏装备制造技改项目竣工

    精功科技年产200台（套）太阳能光伏装备制造技改项目竣工，该工程决算审定工程总造价为2,708.71万元。本次竣工决算将增加公司的固定资产规模，进一步推进太阳能光伏产业的发展。精功科技4月3日发布公告称，公司董事会审议通过《关于公司年产200台（套）太阳能光伏装备制造技改项目2C、2D生产车间工程竣工决算的议案》。该工程系经公司2008年11月25日召开的2008年第六次临时股东大会审议同意而委托浙江精工轻钢建筑工程有限公司、浙江精工世纪建设工程有限公司进行。目前上述工程已竣工，公司委托浙江中兴工程项目管理有限公司出具审计报告。本次关联交易的标的为公司位于浙江绍兴柯桥经济开发区柯西工业区的建设工程项目，包括装配车间（2C号车间）和焊接车间（2D号车间）及附属工程共计24,485.50平方米。经股东大会审议同意，上述工程建设总金额预计为2,820万元，其中，委托浙江精工轻钢建筑工程有限公司主要为新建车间及附属工程的钢结构工程建设，协议金额预计为1,400万元；委托浙江精工世纪建设工程有限公司主要为新建车间及附属工程的土建工程建设，协议金额预计为1,420万元。目前，上述工程已竣工，根据审计报告，上述工程决算审定工程总造价为27,087,080元（其中，浙江精工轻钢建筑工程有限公司承建的2C、2D钢结构工程造价为13,156,459元，浙江精工世纪建设工程有限公司承建2C、2D及其场外工程造价为13,930,621元）。本次关联交易主要是为加快公司年产200台（套）太阳能光伏装备制造技改项目的实施进度及满足公司发展所需而委托浙江精工轻钢建筑工程有限公司、浙江精工世纪建设工程有限公司进行的工程建设，本次竣工决算将增加公司的固定资产规模，进一步推进太阳能光伏产业的发展，促进公司持续、快速、健康发展。

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  • 日本2010年太阳能上网电价补贴不变

    3月29日，日本贸易部长表示，自4月1日起的一年内，该国的太阳能上网电价将保持不变。日本上网电价政策规定，日本家庭每利用太阳能发一度电就能从公共事业部门得到48日元（约合0.51美元）的补贴，而公司、企业等享受的太阳能上网补贴则少了一半，为24日元（约合0.25美元）。在国外，太阳能产业的发展通常有两种途径，一种是实施“上网电价法”，对太阳能的上网电价进行确定。根据德国的法律，太阳能的上网电价每年下降约5%。第二种就是对光伏太阳能发电进行补贴，日本走的就是第二种模式。不过有分析人士认为，从世界几大光伏发电大国的经验来看，“上网电价法”是迄今为止全球采取的启动光伏市场最有效、最科学的举措。

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  • 全球半导体收入2月下降1.3%但全年将超预期

    据国外媒体报道，据半导体行业协会(SIA)发表的报告称，虽然今年2月全球芯片销售收入为220亿美元环比下降了1.3%，但是，SIA重申今年半导体市场的整体表现要好于它在去年11月的预测。SIA总裁GeorgeScalise在声明中称，一些鼓舞人心的迹象表明全球经济复苏仍在继续。我们对于今年半导体市场的增长将超过我们去年11月的预测持谨慎乐观的态度。SIA去年11月预测2010年全球半导体销售收入将达到2421亿美元，比2009年增长10.2%。SIA在计算每个月的数字的时候采用3个月移动平均数字。Scalise说，2月份的销售数字反应了半导体销售的继续复苏。半导体的需求主要是新兴市场的电子产品销售增长推动的。推动半导体销售增长的两个主要产品PC和手机在2010年的销售量预计将增长10至15%。今年2月全球半导体销售同比增长了56.2%。但是，投资者在高兴之前应该注意到，由于去年全球经济危机，这个同比标准是非常低的。

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  • 专利战升级尔必达反告英飞凌芯片侵权

    尔必达近日向美国法院对英飞凌提起两项专利侵权诉讼，此次诉讼可以看作是尔必达对英飞凌起诉的反击，双方的半导体芯片大战开始升级。诉讼之一，尔必达称英飞凌侵犯了其三项与手机有关的微控制器美国专利，这其中就涉及英飞凌为苹果iPhone生产的微控制器。第二项诉讼是英飞凌侵犯用于汽车组件的微控制器专利。尔必达在手机微控制器侵权声明中表示，英飞凌拒绝了尔必达的专利授权，在不顾尔必达专利的情况下继续出售微控制器。该手机微控制器诉讼中还提到了百思买，原因则是后者销售使用侵犯尔必达专利微控制器的手机。尔必达要求经济赔偿，并要求法院禁止英飞凌使用尔必达相关专利。今年二月份，英飞凌对尔必达提起诉讼称，尔必达侵犯了四项英飞凌DRAM芯片专利，并要求法院禁止尔必达的内存芯片销往美国。　

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  • Spansion重组计划获新进展法庭就遗留问题提供指导意见

    Spansion公司近日宣布美国德拉维尔区地方破产法庭就Spansion公司重组计划事宜作出了以下决议：法庭否决了一系列的反对意见，并就重组计划遗留下的少数问题提供指导意见。这项法庭的决议也拒绝了由Spansion可转让公司债券的持有人所组成的特别委员会发起的动议。此动议寻求撤销法庭早前颁布的批准Spansion的公开声明的命令和任命一名审查人员或第11章的受托人。Spansion公司CEOJohnKispert表示，“我们很高兴又朝着重组计划最终批准的目标迈进了一大步。我们感谢法庭提出细致周全的意见，同时我们期待能解决法庭所担心的遗留问题。”为了能尽快获得重组计划的最终批准以及成功脱离第11章，Spansion会努力解决法庭所担心的遗留问题。

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  • 创新是保持半导体营业收入稳定关键

    据iSuppli公司，尽管2010年半导体营业收入预计增长15.4%，摆脱2009年的锐减局面，但保持增长的关键其实就是两个字：创新。预计2010年支出仍将承压，在这种情况下，产品创新性越强，最终会卖得越好。设备制造商和硅片供应商都在依靠创新来推动制造业务的增长，尤其他们都专注于下一代技术。创新性新产品的销售增长，使得相关各方获得更多的利润。但是，对于半导体制造产业来说，创新也是向300毫米晶圆转变的关键。iSuppli公司预测，2010年硅片总体需求将增长17.4%。但是，300毫米硅片需求将增长27.2%。这与2009年形成鲜明对比，当时对于硅片的需求下降了11.1%。iSuppli公司预测，2013年300毫米晶圆产量将从2008年的36亿平方英寸增长到61亿平方英寸，复合年度增长率(CAGR)为12.4%。相比之下，200毫米晶圆将从2008年的30亿平方英寸下降到27亿平方英寸，复合年度增长率为负2%。图1所示为iSuppli公司对2008-2013年硅片面积总产量的预测，按晶圆尺寸细分。 由于经济形势改善和正常的增长周期正在形成，厂商将更加倾向于增加硅片订单。但是，关键问题依然存在： ● 出货量模式如何？ ● 哪些技术将驱动硅片出货量？ ● 向300毫米晶圆转变会对其它尺寸晶圆有什么影响？iSuppli公司2010年将持续关注这些方面。衰退过后的转变 在衰退之后，半导体制造业通常会发生一些变化，而2009年衰退过后也不例外。例如，在2001年的衰退之后，半导体产业开始出现三个主要技术转变：光刻向0.13微米的更小尺寸转变，采用新型金属化方案，转向300毫米晶圆。当时，由于制造商转向成本最合算的200和300毫米晶圆，6英寸晶圆显然已经无人问津。这是一个离我们更近的例子。2009年衰退之后，半导体产业采用300毫米晶圆的趋势非常明显，50%的制造业务都转向了这种尺寸较大的晶圆。就像150毫米晶圆在2001年的衰退之后失宠一样，iSuppli公司预测200毫米晶圆将在2009年衰退过后淡出。产业积极向300毫米晶圆过渡，将继续给硅片生产商带来压力，因为有些厂商尚未收回在200毫米产品制造设备上面的投资。

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  • AESSolar为意大利的光伏项目募集$23,470万资金

    AESSolarEnergyLimited募集17300万欧元($23,470万)的资金，用于一座在意大利43兆瓦光伏项目的施工。CellinoSanMarco位于普利亚地区，据说，这是太阳能光伏项目获得的最大融资。法国兴业银行的一位总经理MassimilianoBattisti表示，意大利的太阳能光伏项目对于投资具有高度的吸引力，因为这个国家实施有利的政策，并且可实施创新融资解决方案。法国兴业银行、意大利联合信贷银行、法国巴黎银行、法国农业信贷银行以及DexiaCrediop参与了本轮的融资。他表示：“在这种背景下，我们认为，能够与AESSolar等这一领域最具经验的公司进行合作，对于我们来说非常重要，因为他们具有行业和金融方面的专业经验，并且能够了解当地市场的复杂之处”。这次募集的资金占项目预计投资的大约85％，融资最终到期日为施工结束后18年。预计这座太阳能电站将在年底完工，根据意大利二位装机容量超过1兆瓦的光伏电站提供激励措施的“contoenergia”计划，该电站可享受20年调节上网电价。CellinoSanMarco项目将让AESSolar在全球的装机容量增加两倍多，目前该公司在法国、希腊以及西班牙的装机容量为38MW。AESSolar是总部位于弗吉尼亚州AESCorporation(NYSE:AES)与私人股权公司RiverstoneHoldingsL.L.C.建立的合资企业。AES通过其多样化的热能和可再生燃料资源为29个国家提供廉价、可持续利用的能源。据报道，该公司在2009年的收入为$140亿。同时，总部位于纽约的RiverstoneHoldings管理总额大约为$170亿六个投资基金，其中就包括世界最大的可再生能源基金。

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  • 创新是保持半导体营业收入稳定关键

     据iSuppli公司，尽管2010年半导体营业收入预计增长15.4%，摆脱2009年的锐减局面，但保持增长的关键其实就是两个字：创新。 预计2010年支出仍将承压，在这种情况下，产品创新性越强，最终会卖得越好。设备制造商和硅片供应商都在依靠创新来推动制造业务的增长，尤其他们都专注于下一代技术。 创新性新产品的销售增长，使得相关各方获得更多的利润。但是，对于半导体制造产业来说，创新也是向300毫米晶圆转变的关键。iSuppli公司预测，2010年硅片总体需求将增长17.4%。但是，300毫米硅片需求将增长27.2%。这与2009年形成鲜明对比，当时对于硅片的需求下降了11.1%。 iSuppli公司预测，2013年300毫米晶圆产量将从2008年的36亿平方英寸增长到61亿平方英寸，复合年度增长率(CAGR)为12.4%。相比之下，200毫米晶圆将从2008年的30亿平方英寸下降到27亿平方英寸，复合年度增长率为负2%。 图1所示为iSuppli公司对2008-2013年硅片面积总产量的预测，按晶圆尺寸细分。 由于经济形势改善和正常的增长周期正在形成，厂商将更加倾向于增加硅片订单。但是，关键问题依然存在： ● 出货量模式如何？ ● 哪些技术将驱动硅片出货量？ ● 向300毫米晶圆转变会对其它尺寸晶圆有什么影响？ iSuppli公司2010年将持续关注这些方面。 衰退过后的转变   在衰退之后，半导体制造业通常会发生一些变化，而2009年衰退过后也不例外。 例如，在2001年的衰退之后，半导体产业开始出现三个主要技术转变：光刻向0.13微米的更小尺寸转变，采用新型金属化方案，转向300毫米晶圆。当时，由于制造商转向成本最合算的200和300毫米晶圆，6英寸晶圆显然已经无人问津。 这是一个离我们更近的例子。2009年衰退之后，半导体产业采用300毫米晶圆的趋势非常明显，50%的制造业务都转向了这种尺寸较大的晶圆。就像150毫米晶圆在2001年的衰退之后失宠一样，iSuppli公司预测200毫米晶圆将在2009年衰退过后淡出。产业积极向300毫米晶圆过渡，将继续给硅片生产商带来压力，因为有些厂商尚未收回在200毫米产品制造设备上面的投资。

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  • ADI高管：向联发科出售芯片部门后并未放弃TD

    近日，由新浪科技携手TD技术论坛联合举行的TD-SCDMA厂商高层系列访谈第十八场在北京举行，新浪科技特意邀请TD技术论坛秘书长王静博士作为本次系列访谈的主持人，与ADI通信基础架构行业市场全球总监MartinCotter进行了访谈。ADI是最早一批加入TD-SCDMA(下称“TD”)阵营的外资企业之一，在TD发展早期做出了突出贡献：“ADI芯片+大唐协议栈”曾经号称TD领域最成熟的TD终端芯片解决方案。2007年9月，联发科以3.5亿美元现金收购ADI旗下Othello和SoftFone手机芯片产品线相关的有形及无形资产以及团队，这一“有历史有技术”的手机芯片部门正式易主。然而，ADI并未像外界所猜测的那样就此放弃TD，而是步入与TD的另一段机缘。嘉宾介绍：MartinCotter，通信基础架构行业市场全球总监，亚德诺半导体。1986年毕业于爱尔兰Limerick大学，从事半导体行业24载。职业生涯的第一个8年，从事CMOS模数转换器的设计。从90年代中期到2000年，从事视像产品的工程管理和产品管理。2000年后直到2008年，作为先进电视产品线的总监一直不懈地大举拓展这一混合信号消费产品的生意。2009年至今，Martin负责ADI通信行业的生意运作。MARTIN拥有工程硕士和工商管理硕士学位，拥有涉及不同混合信号技术的5个专利。以下为访谈内容实录：奋勇投入期冀TD未来王静：Martin先生，欢迎您来到TD技术论坛与新浪网联合举办的高层访谈系列的第18次访谈。ADI公司是较早加入TD技术论坛的外国公司，最早介入TD-SCDMA芯片的研发，TD圈内的人是很清楚的。但是，大部分网友不是很熟悉它，能否请你先给大家介绍一下ADI公司？Martin：谢谢TD技术论坛和新浪科技给我们这个机会。很多人知道ADI是一个终端芯片的公司，这确实是我们的基本业务之一。从最最基本的信号处理的角度解读，ADI从历史来看是最早从事这个行业的公司之一。我们拥有的能够给客户带来好处的各种工艺，从现在的BICMOS，到更好的SiGe硅锗工艺，和其他基础工艺。所以，从我们信号处理和半导体设计历史来看，ADI有很宽的架构覆盖，而这并不广为大家所知道。当然，在很多地方，我们能体会到熟悉的便利，这些便利正是由ADI领先的混合信号技术带来的。同时，在基础设施方面的模拟信号领域，我们拥有领先的技术和市场。王静：ADI的组织架构和地域分布是怎么样的？能否具体介绍一下ADI在中国的情况？Martin：我们是一家美国公司，成立于1965年。总部在美国的波士顿。我们在爱尔兰、美国加州、中国等地有大的设计中心。公司有大约7000名员工，在中国我们大约有300人左右。其中包括销售、现场技术支持和研发团队。在上海和北京我们各有一个不错的研发中心。ADI的产品覆盖通信、工业仪表、汽车电子、终端、消费等大的领域。其中通信和工业类的销售比重比较高。在通信方面的销售额占到公司总收入的20%左右。另外，作为一个技术推动型公司，我们在研发方面的投资比重也比较高，大约超过公司销售额的20%被投资在研发上。即便在经济形势不好的情况下，我们依然能够维持高于20%的比重。同时，在技术创新方面，我们在中国一直持续投资于大学计划，我们寄希望这样的合作能够产生双赢的结果。王静：很久以前在美国的时候我就知道ADI。2005年我开始担任TD技术论坛秘书长，期间，我与ADI的联系人有过很多接触，平均每年3到4次。那个部门在TD-SCDMA终端领域真的是开路先锋。也许您知道，4年前TD-SCDMA终端芯片的产业是很薄弱的一个环节，ADI做得非常的不错。同时我想这也是MTK并购了ADI终端芯片组业务的一个原因。这里，您能否介绍一下为什么ADI能在那么早的阶段投资于TD-SCDMA的终端芯片？Martin：考虑到市场的发展方向，我们会选择一些我们能够提供价值的领域来投资。TD终端便是我们看到的一个领域。王静：但是在那个时候，很多外企对TD-SCDMA的未来还持有怀疑态度，他们不想在这个领域投太多的钱。Martin：对！对于ADI来说，这得益于我们在混合信号处理方面的历史经验，我们能够较早的切入一些特定的市场。我们的客户大量使用了我们的放大器、数据转换器等产品。所以，我们能比较早的看到这个领域的未来。当然，这只是一个典型例子，我们在其他重点关注市场领域还有一些例子(比如说电表芯片)。我们善于发现这些能够给我们带来增长特定的技术方向。TD-SCDMA就是其中之一。王静：是不是可以这么说，尽早研发一个技术进而切入特定市场始终是ADI的一个战略？Martin：是！我们是一个非常重视技术投资的公司，我们能够在一些特定的市场发育的早期能够依靠我们的技术更好的定位自己。在TD-SCDMA方面，我们通过在中国的设计中心与中国的业界建立了很好的联系。我们知道TD-SCDMA会变得越来越强大。王静：我想说的是，也许从TD-SCDMA这个事情上，你们在战略上总是这样做新技术的开路先锋，你们认为TD-SCDMA的未来会很好，这在2004～2005年是一件不寻常的看法。也许80～90%的外企那个时候还在观望当中，他们不是真正地想投资来做研发。所以从这一点上，我想谢谢ADI在TD发展的早期作出的贡献。据我所知，这个是中国政府非常认可的一件事。Martin：很好！我想我们今后还会复制相同成功。专注核心领域王静：为什么ADI会把终端芯片出售给MTK？Martin：最大的因素是芯片的竞争性在那个时候已经开始背离公司设定的模式了。我个人的观点，从投资的层面看，出售这项业务也许是一个相比之下比较好的策略。因此，我认为MTK在产生投资收益方面是一个更好的选择。同时这也是我们在遇到投资难题的时候，我们用来保护自己的一个方法。我想我们可以通过出售把研发资金投入到其他的领域。王静：我还了解到的一个原因是投资效率的问题，对吗？ADI投了很多资金在终端芯片上，但是作为一个领路者并没有获得最好的市场位置。(Martin：是的)。所以这也是一个出售的原因。从那以后，包括我在内的很多人认为ADI撤出TD-SCDMA产业了。但是我们在ADI的联络人告诉我们，ADI并没有离开这个市场，因为你们还是TD-SCDMA基站芯片的主要供应商。您能否给我们谈谈这方面的事情？Martin：是的。通信行业对混合信号技术有这很巨大的需求和依赖。实际的情况是，需要整个信号链。ADI是这个行业内少数几个能提供完整模拟信号链的公司之一，这个信号链包括射频、电源管理、线性和控制、混合信号转换器等等。所以从模拟信号处理的角度看，我们认为自己能够提供完整的模拟信号链。通信领域是我们公司的核心业务之一，大约占了公司销售额的20%以上的比例。所以，多年来，我们在这一块的位置很好。[!--empirenews.page--]王静：20%全部来自于无线混合信号芯片？那你们的市场份额排名如何？在中国的情况又是怎样的？有哪些强力的竞争对手？很多TD-SCDMA设备公司说，ADI是他们的供应商之一。Martin：20%的销售额中，大约75%来自与无线领域，其他的25%来自于有线通信。市场份额主要取决于如何定义细分市场。我想在模拟信号链方面，我们是领先的。在中国，我们可能占市场主导地位。竞争对手嘛，在中国我们主要有德州仪器、美信、凌特、国家半导体等等。王静：市场份额第一，我想这一点可能很多人都不知道。Martin：很可能！王静：在系统设备领域，ADI扮演了一个很关键的角色。我想我们需要强调这一点。当然，你们的客户早已经明白这一点了。但是对于大多数网络读者来说，当中的很多人都以为TD-SCDMA主要由中国本土的公司参与的；尤其在核心网和接入网这两块，中兴、华为和大唐广为人知。但是他们不知道，在这些公司提供的设备中，很多元器件是像ADI这样的外国公司提供的。所以，我们需要澄清这点。Martin：我想，我还要说的是，我们有非常宽的混合信号技术覆盖，我们投资于中国本土的研发设计团队，我们与主要的通信设备制造商有着很好的合作。我们先提供合适的技术，然后再根据客户的需求来帮助优化他们系统中信号链。这是我们所提供的方式。拓宽轨道助力世博王静：我们已经经过了3轮TD-SCDMA的设备建设期，这3轮建设由中国移动来承担。我想问的是你们开始赚钱了吗？有没有从TD-SCDMA上赚到钱？你们觉得结果满意吗？Martin：是的，我们在TD上赚了一些钱，并对我们在TD市场的位置、在TD业务上的增长和份额以及对技术演进的方向都比较满意。有一点关键的是，我们很自豪作为一个混合信号的公司能够解决行业所必须解决的问题。比如说，不断增加的带宽需求，包括A和B频段以至于最终包括C频段。又例如，我们客户致力于开发小型化的基站设备，这将会带来对芯片集成度和电源效率的要求。在如此等等这些方面，ADI的技术确实能解决很多挑战和问题，提供更多的未来选择。王静：你们的产品是如何对应到空中接口的？GSM和TD使用的产品是相同的？还是说你们新产品包含了TD-SCDMA的协议栈？Martin：我们在定义产品的时候需要顾及到TD-SCDMA产品的需求，例如带宽、动态范围、集成通道数等等。通常来说，在混合信号这部分，不是很需要集成协议栈的。但是确实是不完全相同的产品。王静：您是不是说这两种技术和相似，就像我们通常说的双模？简而言之，就是GSM上用的产品也可以用在TD-SCDMA上？Martin：是的，在某些应用中，我们的产品可以支持客户需要的双模系统，针对不同市场，我们有不同的产品，有些甚至是定制的，比如说，中国TD-SCDMA设备上用的产品有些是我们为TD-SCDMA做了专门优化的，或者说专门为中国市场设计的。王静：您刚才提到20%的销售来自于通信类芯片，中国占其中的多少？Martin：中国的影响力在显著增加，中国的公司也在变得越来越强大。去年，我们通信类最大的客户就来自中国。随着时间的推移，我们看到越来越多的影响力来自于中国。您可以看到，所有的电信类公司都在增加在中国市场的资源投入。王静：截止到2009年年底，中国移动已经安装了大约10万台基站设备。在接下来的第四轮建设中，时间点大概在今年3、4月份，会有另外的7至8万的基站，这又将是个巨大的机会。这次建设将会涉及240个城市，更多的关注会在室内覆盖上。我不太清楚ADI在这轮会有什么样的机会，但是我想说，对ADI这样的公司来说，这会是个很不错的机会。另外，用户的数量也在增加。今年我们已经发展了500万左右的用户。我们希望能够在2010年发展到上千万用户，这个目标是有可能实现的，总的预估是乐观的。往前看到TD-SCDMA演进和LTE，ADI有什么计划？Martin：首先是意识到即将到来的大规模的设备需求。2009年的需求是很巨大，我们相信2010年同样巨大需求依然存在。然而，在大规模需求的初期，TD-SCDMA的网络建设将面临一个加速过程，做好一个合格的供应商比早期投入更加重要。你将必须具备强劲的生产能力和供应链。这也是我们在去年和今年得到的一个关键教训，你需要能够满足短期的需求，这意味着灵活的生产能力，这对于通信领域的半导体供应商来说是很关键的。其次，从设计规范来说，你需要做的事情将会是很挑战的。我们需要提供能支持宽带的产品从20MHz到100MHz来满足AB频段、C频段乃至LTE的需求，我们已经计划好去提供这样的解决方案。类似的，我们需要更高的集成，从单通道到双通道、4通道、甚至于8通道。我们还有计划去集成更多信号链上的功能块。另外，我们还注意到在提高功放效率的同时，设备大小的要求也在进一步升级。在这些要求下，我们看到ADI的直接变频技术和高性能的中频架构能够给这个市场提供极具竞争力的方案。所以说，我们能够支持这些需求。对于ADI来说，这是一个不错的投资领域，因为我们看到了这个趋势是宽带、多通道、严格的电源管理。这个与我们的技术覆盖是相当匹配的。王静：今年世博会在上海召开，中国移动准备在世博会上演示一些LTE的应用。一些设备供应商正在参与试验。这个LTE的试验是有中国政府的工信部(MIIT)协调主持的。你们是不是已经有了这样产品来支持你们的客户做这个测试？Martin：我们已经提供了元器件给我们的客户，以支持他们做早期的概念的验证。另外，我们已经从转换器扩展到射频，这对我们来说是一个关键的开始。因此，我们以前主导了转换器领域，我们现在在射频和电源管理领域正取得长足的进步。王静：你们有没有申请专利？有没有在3G上的专利？甚至于具体到TDD系统方面；很多人对于一个问题很感兴趣：有多少公司在TDD技术上申请了专利？Martin：是，我们在这个领域的专利涉及很宽的产品大类，我们能够在完整的模拟信号链和电源链上提供许多好处。我们在信号处理方面专利的数量是业内第一的，而且我们在射频和电源方面的专利也正在铺开。我不认为我们有相关的TDD技术方面的专利，但在具体的系统架构实现方面有一些，这主要是我们能够提供实现TDD系统所需要的好处，基于ADI把大量专利应用于信号链的实现上。[!--empirenews.page--]王静：考虑到中国电信市场的规模和成长，ADI是否有打算增加在中国的投入，比如说，增加在中国的研发投入？Martin：我们已经在中国有了很好的研发中心。当我们的成功在持续增长，我们的投资也会相应增加。在这一点上，我们说我们在中国的成功是相当可观的；正因为这样，我们需要持续的投资。这也是我们在任何市场上的自然而然的演进。在中国市场，大家可以看见通信基础设施对未来趋势的影响是很强的。基于新的行业市场组织架构，引导我们发展与客户的合作伙伴关系也是一个问题。行业市场的需求意味着我们需要与客户紧密合作来根据客户的需求开发合适的架构。我们需要在系统层面开展紧密合作。因此，我们组建了系统工程团队，我们计划在客户产品定义上有紧密的接口和互动，这样我们可以在非常早期就把我们的技术优势提供给客户。所以，从这一点上说，我们会在客户端投资于系统工程。王静：我们正在开发TD-SCDMA，我们也在测试TD-LTE。也许您的系统工程部必须了解TD-SCDMA到TD-LTE的演进过程，我是说HSDPA，UPA，PA+等等…我想这是一个无法绕过的趋势。在我们最终到达TD-LTE之前，我们也许不得不沿着这条路走下去。当然，这也是很多人现在还在争论的一个话题，也就是，TD-LTE多久能实现？甚至于LTEFDD多久能实现(商用)？所以，我认为你们的系统工程团队在这一点上很重要，能从很宽的层面上给公司提供咨询，来理解中国市场技术路线和趋势，乃至于全球市场。TD技术论坛会提供这样一个平台，让我们的会员能攻在这上面有更多的互动和交流，比如说ADI和中国移动，或者说那些中国政府下属的技术规范定义机构－CATR、CCSA等。这可以帮助我们的会员合理控制他们的产品和研发策略。Martin：是的，我们需要跟论坛合作以确保我们了解这些观点和趋势，这对我们很重要。因为ADI认为有必要通过这种系统级的讨论来提高公司的投资效率。这是我们认为的一种双赢合作。我们很高兴能够投资于这样的平台，并能够使客户和其他会员得益于我们提供的技术。王静：好的。Martin，谢谢您！我认为这是一次信息量非常大的谈话。我们的读者会对ADI了解的更多，而且在今后的网络建设中对ADI有更多的关注。我希望ADI也能通过雇用更多的中国年轻工程师来为中国的人才培养做出更多的贡献。Martin：谢谢TD技术论坛和Sina科技给我这个机会来探讨未来通信市场的趋势和TD-SCDMA演进。我们一直有很强的意愿做技术开发。中国是一个绝佳的工程师来源地，有一流的人才库。我们也看到很多不错的回报来自于这里的人才投资。我们乐于认为这是我们成功的一部分，包括中国设计中心的成功和客户端的成功。谢谢！

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  • 未来三年内存价格将持续攀升

    DRAMeXchange传来噩耗称内存芯片的价格在未来三年内将持续走高。这家市场分析公司将内存产业的兴衰周期定为3年左右，据该公司的分析师表示，2001-2003年，内存业者一直处在亏损期，而2004-2006年则恢复为持续盈利的状态，2007-2009年间则再度出现亏损期，因此他们预计从2010年开始，在全球经济危机缓和，Windows7日渐流行等因素的影响下，内存业者将再度扭亏为盈，进入新的一轮三年盈利期。不过内存业者仍然面临另外一个重要的难题，他们要将制程水品提升到50nm以上级别则一般需要购买昂贵的沉浸式光刻设备。而除了内存业者以外，其它半导体厂商如台积电/联电灯公司也需要采购这类新设备。目前在沉浸式光刻机市场上占据老大地位的是ASML公司，这家公司的产品占到了同类产品市场的90%份额。在这种情况之下，沉浸式光刻机的供货期将大大延长，而这则会使内存业者试图提升制程的计划放缓。

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  • 日立东芝三菱和解芯片价格诉讼

    据国外媒体报道，美国旧金山联邦法院的文件显示，日立、东芝和三菱同意支付2780万美元和解芯片价格操纵指控。该案原告为DRAM芯片的直接采购方，他们指控上述三家公司在1999年至2002年间向美国用户收取了超额费用。根据原告方律师周四提交的文件，日立将支付1150万美元，东芝将支付920万美元，三菱则支付710万美元。但根据和解协议，上述三家公司均未承认不当行为。三家公司的律师和发言人也均未对此置评。DRAM是一种被用于电脑、手机和其他电子设备的芯片。美国司法部曾于2002年对多家厂商操纵全球DRAM芯片价格一事展开调查，消费者、系统集成厂商和电脑分销商随后也对涉案企业提起诉讼。美国司法部表示，当时的调查共对4家公司和至少16人处以总额约7.327亿美元的罚款。其他芯片厂商此前已经同意支付3.26亿美元和解这一诉讼。日立、东芝和三菱并未被列为上一起诉讼的被告。和解文件显示，律师将从和解费用中最多抽取30%的费用。法院文件显示，加州其美国其他各州此前曾经代表消费者和其他于1998年至2002年间购买了包含DRAM芯片的电脑和电子产品的机构起诉相关厂商，并最终达成和解，但并未披露具体条款。

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  • 全球半导体联盟公布2010年董事会选举结果

    全球半导体联盟(GSA)公布2010年董事会成员选举结果并宣布任命一位新董事。GSA董事会是该组织战略愿景和发展方向的制定机构。MarvellSemiconductor制造业务副总裁陈若文(RoawenChen)博士成功当选，填补了唯一一个半导体领域的空缺职位，任期三年。陈博士有着15年的全球半导体行业从业经验，行业知识与经历丰富，从晶圆代工业务和工程设计运营到国际业务开发、跨大陆合作伙伴关系战略和全球营销和业务计划的愿景式领导均有涉足。陈博士于2000年加入MarvellSemiconductor，管理晶圆代工运营，为公司的增长和业务架构贡献力量。2005年升任制造运营副总裁，在此之后，还在该公司担任过其他职务和岗位。2007年至2009年之间，陈博士兼任Marvell连接业务部门总经理一职，领导通讯和计算业务部门并管理Marvell智能手机平台、基于ARM的应用处理器和电源管理IC等消费驱动型人气产品系列。陈博士的努力、承诺和成就充实了Marvell和半导体行业。加入Marvell之前，陈博士在台积电和英特尔公司担任技术职务。他持有国立清华大学颁发的物理学学士学位和加州大学伯克利分校的电机工程与计算机科学博士学位。陈博士表示："获选出任GSA的这一领导职位让我深感荣幸。GSA为该行业的健康发展做出了巨大贡献，我期望利用自身经验使它已经打下的坚实基础更加牢固。"由于外包业务模式的兴起和可信度不断提升，GSA战略性地增加了一个价值链制造者(VCP)的职位，用以代表越来越多提供和利用这一模式的公司。VCP指与晶圆厂、知识产权(IP)和服务提供商、EDA供应商、无晶圆IC芯片设计、制造封装测试、整合组件制造商、代工厂等进行合作的公司。VCP优化客户价值链经济，协助客户专心发展差异化产品、拓展市场。VCP通过发售印有客户标识且经过测试的包装产品获得收益。eSiliconCorporation董事长、总裁兼首席执行官JackHarding当选该全新价值链制造者(VCP)职务，任期两年。Jack此前在GSA董事会担任过三年半导体方面的职务。他还担任过GSA财务委员会的职务。JackHarding为eSilicon带来了20多年的电子行业行政管理经验。在联合创办eSilicon之前，他担任CadenceDesignSystems总裁兼首席执行官，在他的任期内，Cadence曾经一度成为全球最大的电子设计自动化(EDA)软件供应商。Harding先生是在Cadence收购Cooper&ChyanTechnology(CCT)之后加入Cadence的，在此之前他担任CCT总裁兼首席执行官，负责该公司的公共推广。进入CCT之前，Harding担任ZycadCorporation执行副总裁。他第一份工作是为IBM效力，期间成绩出众。Harding持有杜尔大学经济学和化学学士学位，曾经就读于纽约大学斯特恩商学院。Harding还曾在公共和私营组织的众多管理岗位上工作过，目前任职RFMicroDevices（纳斯达克股票代码：RFMD）董事会。Harding还曾在杜尔大学和印第安纳大学担任过领导职务，做过印第安纳大学教育委员会副会长，以及该校公共与环境事务咨询委员会成员。在公共政策方面，Harding曾是美国竞争力委员会指导委员会成员，还曾经是负责软件、增长和美国经济未来的美国国家学术委员会成员。他经常在国际上发表关于创新、企业家精神和半导体趋势和政策的演讲。Harding称："当选GSA董事会首任VCP董事让我深感荣幸。GSA承认VCP市场的重要性，VCP市场由VCP厂商、客户和这一生态系统中的供应链公司组成，我期望代表这一市场的需求和担忧。"除了上述两位当选成员之外，GSA还任命GLOBALFOUNDRIES首席执行官DouglasGrose博士担任晶圆代工董事，这是阿布达比公司AdvancedTechnologyInvestMEntCompanyLLC(ATIC)收购特许半导体制造公司并于稍后与GLOBALFOUNDRIES合并后留下的空缺。在GLOBALFOUNDRIES担任首席执行官期间，随着公司在尖端半导体制造创新方面取得新的突破，Grose为公司制订了愿景和全球业务战略。加入GLOBALFOUNDRIES之前，Grose担任AdvancedMicroDevices，Inc.(AMD)技术开发、制造和供应链高级副总裁。在该岗位上，他负责管理AMD的全球制造和生产工艺业务，包括AMD生产设备、AMD晶圆代工关系和AMD全球供应链等。于2007年加入AMD之前，Grose在IBM工作了25年，担任该系统与技术集团的技术开发与制造总经理。进入IBM之前，Grose担任NanotechResources，Inc.执行副总裁兼首席运营官。Grose持有材料工程学博士学位以及企业管理与科学硕士学位。DougGrose称："GSA是半导体行业中的杰出组织之一，我很乐意接受这一任命，加入这样一个受人敬重的领导团队。我期望与董事会其他成员一起努力，打造强大而多样化的生态系统，识别市场挑战与机遇，为整个半导体行业创造新价值。"2010GSA董事会成员具有所需的领导能力，将引导半导体行业继续走向成功。成立15年来，GSA不断扩大其全球代表范围，目前成员众多，从大型跨国公司到处于初期融资阶段的初创企业悉数包括在内。从地理分布看，GSA代表了半导体行业的各大主要地区。该联盟已在董事会中增设地区领导董事(RegionalLeadershipDirectors)一职，增强在欧洲、中东和非洲以及亚洲地区的国际地位。GSA共同创始人兼总裁JodiShelton表示："我们热烈欢迎2010年的董事，并很乐意与这样思想敏锐的领导人共享组织愿景。我们代表的公司众多，反映了整个供应链，大家观点不尽相同，为应对全球半导体行业的机遇与挑战提供了指导方向。"GSA共有25位董事会成员，将在2010年展示其领导能力。除了三位新任GSA董事会成员外，其他当选成员包括：GSA董事会主席、钰创科技股份有限公司董事长兼首席执行官卢超群(NickyLu)博士GSA董事会副董事长、CSRPlc首席执行官JoepVanBeurdeGSA共同创始人兼总裁JodiShelton创锐讯通信总裁兼首席执行官CraigBarratt博士阿尔特拉公司市场营销高级副总裁DannyBiran台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）北美总裁RickCassidyADDSemiconductor首席执行官Guillaumed'EyssautierSynopsys，Inc.董事长兼首席执行官AartdeGeus博士PMC-Sierra，Inc.首席运营官ColinHarrIS三星半导体有限公司系统整合晶片技术副总裁AnaMolnarHunterIBM半导体平台副总裁MarkIrelandAmkorTechnology，Inc.总裁兼首席执行官KennethJoyceBroadcomCorporation运营与中央工程高级副总裁NeilKim意法半导体公司业务开发副总裁LoicLietarEXarCorporation运营与研发品管副总裁SteveMichaelQUALCOMMCDMATechnologies(QCT)执行副总裁兼总裁SteveMollenkopfOpen-Silicon，Inc.创始人、总裁兼首席执行官NaveedSherwani博士英伟达公司运营执行副总裁DeborahShoquistCadenceDesignSystems，Inc.总裁兼首席执行官Lip-BuTanXilinx，Inc.全球质量与新品导入高级副总裁VincentTong联华电子股份有限公司(UMCUSA)总裁JasonWang日月光半导体制造有限公司(ASEInc.)董事兼首席运营官、ISE实验室首席执行官吴田玉(TienWu)博士[!--empirenews.page--]

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  • 德国太阳能补助大刀将轻舞

    德国参议院近期针对新太阳光电补助费率调整案，提出下砍幅度不应超过10%建议，虽尚未立法定案，但可确定的是，德国政府与民间协商已渐产生共识，若该费率原则通过，预估对于2010年下半全球太阳光电产业冲击将明显减缓，在第2季太阳能市场飙升后，第4季可能呈现淡季不淡，德国太阳能补助案出现新转折，引发全球业者高度关注。德国参议院由16位参议员共同提出声明，针对新太阳光电补助费率提出建议，太阳能电价买回费率下砍幅度不应超出10%，相较于先前德国政府所提议，在7月1日下砍屋顶补助16%，9月1日下砍地面型(Ground)补助15%，下砍幅度明显缩小，可望减缓对产业所造成冲击。太阳能业者指出，德国政府提出新太阳光电最后补助办法时候已到，但因该案从2009年新内阁改选提案至今争议不断，尤其该法案波及德国太阳光电产业发展及就业人口，使得德国政府对于新法案立法犹豫不决，但下砍补助将势在必行。此次新提案建议除费率下砍幅度缩小外，落实时间亦倾向于不论是屋顶或地面型电厂，均于7月1日开始实施。太阳能业者表示，若补助下砍幅度缩小，可望减缓对产业冲击，改善德国或其它欧洲太阳光电业者被迫快速外移情况，并保住诸多就业机会。由于德国太阳能系统市占率约达全球5成，牵一发而动全身，就整个太阳光电产业来看，不论费率下砍多少，2010年下半下砍补助势在必行，因此，第2季可望维持原先预估出现太阳能系统安装高峰潮，将创下历史新高。至于第3季虽然受到德国政府下砍补助影响，使得市场需求下降，但考量到2011年1月德国政府可能再下砍补助影响，第4季可望出现淡季不淡，加上系统安装需有前置运作期，因此，对于第3季冲击亦可望大幅减缓。太阳能业者指出，由于第1季末亚洲产业供应链已出现供应不及现象，包括太阳能矽晶圆、电池、模块等，都出现调涨价格情况，德国减缓补助下砍幅度，加上包括日本回归补助，以及美国及大陆等新兴市场需求成长，产业持续发烧的可能性极高，不过，2010年下半诸多业者新产能陆续开出，仍可能抑制发烧热度。至于台系业者包括矽晶圆厂绿能、中美矽晶等，电池厂如茂迪、昱晶、益通、新日光、升阳科等，亦可望受惠于下半年德国市场冲击减缓。

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  • 发改委官员：光伏上网电价年内无果

    发改委官员表示，近期光伏上网电价和补贴政策还很难出来。并且强调光电产业并不是产能过剩，现在光伏行业最需要的可能就是国家的扶持政策。据每日经济新闻4月1日报道，行业内外都热切盼望的光伏电站上网电价近期还将难产。昨日，发改委相关领导向记者表示，近期光伏上网电价和补贴政策还很难出来。并且强调光电产业并不是产能过剩，现在光伏行业最需要的可能就是国家的扶持政策。尚无明确时间表昨日，就上网电价的问题，国家发改委可再生能源与新能源国际合作计划办公室副主任赵刚向记者透露：“目前还是一直争论上网电价的相关事宜，并且现在也没有一个明确时间点，现在只能说是走一步看一步。”赵刚坦言政策迟迟未能推出，主要是在制定过程中存在两方面原因，他说：“第一，就是产业的发展问题，第二，是技术的问题。”实际上，国家对于光伏产业的态度并不坚决，此前工信部曾经将光能列入产能过剩的行业中去，这一举措一度让光伏行业陷入限制发展的泥潭。不过随后，《金太阳示范工程》等相关扶持政策的出台让人们又看到了光伏行业的未来。国家发改委能源研究所副研究员胡润青也同时指出，要设定近期和中长期的发展目标，并且还要积极开展试点示范项目，尽快出台光伏发电的定价体系。薄膜和多晶硅之争其实在上网电价之中谈论最多的就是薄膜和多晶硅电池哪一个将是今后发展的趋势，此前也曾经有传言称，上网电价的出台将会就薄膜和多晶硅的不同而产生不同的定价策略。国务院研究室社会发展司司长朱幼棣向记者坦言，“两种都是技术上问题，目前两种技术都在不断发展，现在确定哪个为主为时尚早。”“核算下来，薄膜的成本更低，补贴的就更少一点。”江西赛维总裁办主任姚峰向记者指出，“包括中国在内，世界上安装的80%以上都是多晶硅电池，薄膜的成本本身(0)(0)评论此篇文章其它评论发起话题相关资讯财讯论坛请输入验证码就是相对要低一些。”无锡尚德内部人士向记者表示：“我们一直盼望着在全国推广的一个鼓励政策，因为中国光伏产业是一个制造大国还并不是一个市场大国，我们也希望国内的市场能够先启动把市场做大，从而在成本方面在扩大规模的基础上通过技术手段尽量把成本降低到国际水平。”据了解，同样面积同样日照的多晶硅电池能够发更多的电，但是这样下来多晶硅电池的成本就要比薄膜电池要贵一些，薄膜电池就是转换效率较低，成本较低一些。所以可能最后给出的补贴也相对较低。

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