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  • LG建设韩最大太阳能电站完工投运

    由LG集团建设的韩国国内最大规模的太阳能电站近日在忠清南道泰安竣工，并正式投入运营。   LG集团为建设该电站总计投资1100亿韩元，由集团设立的全资子公司LG太阳能公司经营。该电站占地面积约30万平方米，发电规模为1.4万千瓦，可为泰安地区8000户家庭提供电力，为韩国国内单一规模最大的太阳能电站。   该电站所发电力由LG太阳能公司以每千瓦677韩元的价格向韩国电力公司销售，预计年销售额可达130亿韩元。此外，通过太阳能发电每年可减少约1.2万吨的二氧化碳排放，通过二氧化碳排放权交易，每年可增加28.5万美元的额外收益。   业内人士称，LG集团建设太阳能电站是涉足可再生能源市场的重大举措。LG集团表示将以泰安太阳能电站的建成为契机，正式进军可再生能源市场，逐步扩大市场占有率，并向海外市场扩张。  

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  • 普天称2010年推出TD-LTE商用产品

        中国普天将在2010年推出TD-LTE商用产品，届时普天所提供的TD设备可以实现到TD-LTE的平滑演进。在平滑演进的技术实现上，射频单元采用软件无线电技术的RRU，通过软件升级就能实现向LTE的平滑过渡；基带单元通过插入LTE板卡的方式可以实现TD和TD-LTE的双模共存。 　　此前，在北京国际通信展上，中国普天全面展示了其推出的TD-LTE样机系统，并演示了TD-LTE高速流媒体业务，高清晰的流媒体画面极其稳定和流畅。据记者了解，中国普天从2005年就成立了专门团队启动了LTE的研究和开发，不断取得突破，在2008年10月份推出了这套样机系统，TD-LTE基本的业务都能通过这套系统实现。普天将不断推进商用产品进程和更好地实现对目前TD产品向TD-LTE的平滑演进。 　　据悉，在中国移动TD试验网二期招标中，设备是要求可通过软、硬件升级向3.5G及以上的HSDPA、LTE(长期演进)平滑演进的 。

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  • 集成电路:产业链群体突破

        集成电路(IC)产业具有高投入、高风险、高技术的特征，这决定了它的发展必然是一个充满艰辛和变数的历程。1965年我国第一块集成电路研制成功，比国际上仅仅晚了7年。但在十年动乱期间，由于企业应有的生产条件和设施受到破坏，产业发展违背科学规律，加之国际上的技术封锁与禁运，拉大了我国IC技术和产业与国际水平的差距。改革开放之前，我国IC工业仍处于分散的、手工式的生产状态。30年的改革开放带来了我国经济社会的深刻变化，也为我国IC产业的发展注入了新的生机与活力。      　开拓之路充满坎坷    　在20世纪80年代初，国务院制定了中国集成电路发展规划，然而，由于过去的长期封闭和对国际情况缺乏了解，行业中出现了重复引进和过于分散的问题，全国有33个单位不同程度地引进了各种集成电路生产线设备，最后真正建成投入使用的只有不多的几条线。1989年2月，我国召开IC产业发展战略讨论会，明确了重点建设华晶集团公司、华越微电子有限公司、上海贝岭微电子制造有限公司、上海飞利浦半导体公司及首钢日电有限公司等5家主干企业。但是，直到1995年，我国在世界集成电路产量和销售额中的比例还不到1%，与世界先进国家的差距被拉得更大了。     　1995年，“908工程”6英寸生产线开始建设，1998年1月通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线是中国第一条6英寸芯片生产线。通过908工程的实施，北京集成电路设计中心等18个单位作为908工程项目的承担单位得到了发展，中国集成电路设计产业开始起步。但是行动的迟缓，削弱了该项目对于我国集成电路产业乃至信息制造业所应发挥的推进作用。1999年2月，“909工程”建成投产，技术水平达到0.35微米-0.24微米，生产的64兆和128兆SDRAM存储器达到了当时的国际主流水准。“909”工程是中国第一条8英寸深亚微米生产线，它的建成投产，标志着中国集成电路大生产技术迈入了8英寸、深亚微米的国际主流水平。     　自2000年开始，中国集成电路产业进入一个快速成长的新时期。2000年6月24日国务院发布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(国发18号文)，2001年9月20日，国务院又以国办函[2001]51号函的方式，对集成电路产业政策作了补充和完善。18号文件从鼓励产业发展、税收减免、投资优惠、进出口政策、加速设备折旧、支持研究开发、加强人才培养、鼓励设备本地化以及知识产权保护等方面对集成电路实施了优惠政策。据不完全统计，从2000年到2007年，投入到我国集成电路产业的资金达到290亿美元左右。这一阶段的投资总额约为我国集成电路产业2000年以前30多年间投资总和的9倍。大量资金的投入，直接带动了近几年我国集成电路产业规模的迅速扩大和技术水平的较快提高。     　从2000年开始，信息产业部领导实施了“中国芯”工程，大力扶持国内具有自主知识产权IC产品的研发。科技部在863计划中安排了集成电路设计重大专项。在863计划集成电路设计重大专项的实施中，北京、上海、无锡、杭州、深圳、西安、成都等7个集成电路设计产业化基地的建设取得了重要进展。      　产业发展取得巨大成就      　1998年，我国集成电路产量为22.2亿块，销售规模为58.5亿元。到2007年，我国集成电路产量达到 411.7亿块，销售额为1251.3亿元。10年间产量和销售额分别扩大18.5倍与21倍之多，年复合增长率分别达到38.3%与40.5%，销售额增速远远高于同期全球年均6.4%的增速。    　 经过30年的发展，我国已初步形成了设计、芯片制造和封测三业并举、较为协调的发展格局，产业链基本形成。2001年我国设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为11亿元、27.2亿元、161.1亿元，分别占全年总销售额的5.6%、13.6%、80.8%，产业结构不尽合理。最近5年来，在产业规模不断扩大的同时，IC产业结构逐步趋于合理，设计业和芯片制造业在产业中的比重显著提高。到2007年我国IC设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为225.5亿元、396.9亿元、627.7亿元，分别占全年总销售额的18.0%、31.7%、50.2%。     　半导体设备、材料的研发和生产能力也不断增强。在设备方面，100纳米等离子刻蚀机和大角度离子注入机等设备研发成功，并投入生产线使用。随着国产太阳能电池制造设备的大量应用，近几年国产半导体设备销售额大幅增长。在材料方面，已研发出8英寸和12英寸硅单晶，硅晶圆和光刻胶的国内生产和供应能力不断增强。     　技术创新能力不断提高，与国外先进水平差距不断缩小。从改革开放之初的3英寸生产线，发展到目前的12英寸生产线，IC制造工艺向深亚微米挺进，研发了不少工艺模块，先进加工工艺已达到80纳米。封装测试水平也从低端迈向中高端，在先进封装形式的开发和生产方面取得了显著成绩。IC设计水平大大提升，设计能力小于或等于0.5微米的企业比例已超过60%，其中设计能力在0.18微米以下的企业占相当比例，部分企业设计水平已经达到90纳米的先进水平。设计能力在100万门规模以上的国内IC设计企业比例已上升到20%以上，最大设计规模已经超过5000万门级。    　 截至2007年年底，国内已建成的集成电路生产线有52条，量产的12英寸生产线3条、8英寸生产线14条。涌现出中芯国际、华虹NEC、宏力半导体、和舰科技、台积电(上海)、上海先进等IC制造代工企业，这些企业纷纷进入国际市场，融入全球产业竞争，全球代工业务市场占有率超过9%。      　把握市场需求是成功关键     　 相当长时期以来，在许多地区发展IC产业中自觉不自觉存在一种倾向，即：以技术为导向，盲目上项目，或片面追求线宽越细越好，而忽略了市场这一产业发展最为重要的要素。从1981年到1985年时期，我国先后引进33条生产线，许多项目一窝蜂上马，只引进设备未引进技术，通线品种基本上已被市场淘汰，不符合市场需求。部分生产线设备陈旧、不配套，达不到设计能力。再加上项目资金不足，企业管理不善，缺乏消化吸收能力等原因，多数项目不了了之。     　同时，实践告诉我们：没有永远不变的产品与技术，只有永远不断变化的市场。只有把握住市场变化的脉搏，跟上市场变化的步伐，才能成为真正的赢家。“909工程”投产以来的过程就印证了这一点。该工程从开工建设到投产仅用了18个月。技术档次从初期的“8英寸、0.35微米”提升到0.24微米。投产后，跟随国际市场变化，从前期的存储器生产转变到目前的芯片代工。    　 发展IC产业是一项系统工程，支撑这一系统高效运转至少要包括以下5个方面：第一，资金支持。IC产业是典型的资金密集型产业，要形成规模经济，需到达一定的投资阈值。随着技术水平的提升，投资阈值正不断攀升。同时，为满足工艺研发、产能扩充和升级换代的需要，集成电路产业还需要持续不断地投入。第二，市场支持。集成电路企业要想生存下去，必须要生产出符合市场需求的产品，源源不断地取得来自客户的订单，建立一支面向全球市场的销售团队与销售网络至关紧要。第三，技术支持。要拥有先进的工艺技术，一流的芯片设计能力，拥有一批自主的知识产权和专利。第四，人才支持。要培养一支全球一流的工艺技术、芯片设计和管理人才队伍，保证技术、产品的不断创新和企业高效运营。第五，管理支持。产业与企业的管理要从战略决策、资金管理、物流管理、人才管理等多方面入手。   　  IC产业是资金密集、技术密集、人才密集的产业，是高竞争性和高风险的产业。实践证明，不管是发达国家还是发展中国家，发展集成电路产业都要采取集中力量的办法，不管是研究开发还是企业生产，都强调合作而不是单打独斗。因此，“防散”和“治散”仍是今后一个时期我们的重要工作。 2002-2007年中国集成电路市场规模

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  • 半导体制造国际非营利机构FOA向所有会员开放团购

            半导体制造国际非营利机构Fab Owners Association（FOA）宣布向其所有会员开放团购合约。此前，FOA的团购合约仅向其器件制造会员开放，而没有对准会员开放。合约开放后，所有会员都可通过FOA的下属机构PurchasingPartnerInc.（PPI）进行团购。         此举可使PPI代表年收入730亿美元的团体进行议价。         FOA器件制造会员公司月产能相当于120万片200mm晶圆，年收入约为320亿美元。准会员年收入总和约为410亿美元。  

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  • 三洋电机公司将大幅度提高三洋电机电池产能

            三洋电机公司日前对外发布新闻公报说，该公司决定投资700万美元在2008财政年度中将其在墨西哥Monterrey工厂的太阳能电池产量提高到目前的2.5倍达到50MW水平。           公报说，墨西哥Monterrey工厂主要从事将当今世界转换效率最高的HIT太阳能电池块进行模板化生产，目前年产量为20MW。三洋电机之所以提高该工厂的产能，主要是为了满足北美市场急剧扩大的市场需求，同时也是该公司在全球进一步扩大太阳能业务计划的一部分。           目前，三洋电机正在制定增产计划，到2010财年将在全球的HIT太阳能电池产能提高到600MW以上，相当于目前产能的两倍多。为此，该公司正在积极推进面向日本、北美、欧洲等全球三大太阳能电池市场的增产体制。           HIT太阳能电池是三洋电机公司开发的具有独特构造的太阳能电池，是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。这种太阳能电池在研究阶段达到了22%的光电转换效率，创造了100平方厘米以上实用级尺寸的HIT太阳能电池光电转换效率的世界纪录。  

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  • Dave Bell倡议美国和亚洲半导体企业之间应加强协同配合

    11月03日,Intersil公司宣布，该公司的首席执行官兼总裁Dave Bell先生将出席在台湾新竹国宾大饭店举行的2008 GSA半导体领袖论坛(2008 Global Semiconductor Alliance Leaders Forum)，并做主题发言。   在GSA领袖论坛上，Bell 先生将发表主题为“亚洲是如何改变模拟IC业务”的演讲，回顾在模拟产品市场所发生的诸多变化，并建议采取措施加强美国和亚洲企业之间的协同配合。   在此之前，Bell 先生刚刚参加了American Chemical Society在华盛顿市举办的会议，发表了关于资助基础科学研究的讲话。   2008 GSA半导体领袖论坛也将举办关于低功耗技术的专题讨论会。Intersil公司是作为提供低功耗模拟半导体解决方案的领先厂商而被邀请，并将就如何实现低功耗模拟设计发表见解。   Dave Bell 先生是在2007年4月被任命为Intersil 公司首席运营官，并于2008年2月担当CEO一职，同时他也是半导体行业协会(Semiconductor  Industry Association)的董事会成员。Bell先生拥有麻省理工学院(MIT)的电子工程学士学位。

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  • 得可太阳能提供光伏有效工业生产快通道

    得可太阳能公认的PV1200金属镀膜方案继续为这个快速发展行业的顾客提升标准。彻底改变太阳能电池制造商对其设备的期待，此先进金属镀膜生产线提供光伏有效工业生产的快通道。   上市时间在现今的快节奏光伏产业中极为重要。交货期从而成为已习惯于数月设备周转期的商业太阳能电池产业的重要关注点。而得可利用世界一流的精益制造技能、Kanban/JIT方法和全球机构明显削减交货期至数周的时间。且进一步通过PV1200金属镀膜方案的创新平台设计获得加强，使快速建造和回应市场需求成为可能。真正的模组化系统使生产力可通过更多模组的增加轻易提升，进一步响应市场。   工厂占地面积对现今不可能因为特大型设备而影响其生产力的太阳能电池制造商也是一个主要的生产力决定因素。得可也注意到这个方面，通过紧凑的设备尺寸进一步简化PV1200。具备较传统金属镀膜方案实质性减少的占地面积，PV1200明显为持续投资回报率扩大每平方英尺厂房占地面积的使用。   谈到PV1200金属镀膜解决方案提供的商业优势，得可的可替代能源发展经理Darren Brown说：“全球的光伏制造商正意识到我们的金属镀膜生产线克服了产业面对的众多工业挑战，亦即成为商务成功的快通道。而当他们了解到我们的背景，便很快对为什么我们可以提供如此尖端的优势一目了然。作为拥有二点五亿美元财政收入的全球企业，得可（多福集团的一员，纽约证券交易所DOV – 财政收入超过七十亿美元）已经是电子装配的丝网印刷产业享有良好声誉的市场引领者。也就是说，我们有响应太阳能产业明确要求的资源、专业技能和全球能力，如同我们在其他产业所做的那样，使我们的顾客始终处于行业的领先地位。”   加强PV1200太阳能金属镀膜生产线的最先进设计，是利用得可40年来开发用于厚膜、晶片级半导体和表面贴装电子市场的丝网印刷平台产品的经验。久负盛名的技术优势包括每小时1200个电池产量、六西格玛工艺水平、12.5微米精度和卓越的处理能力。系统同时相当多地受益于此丝网印刷引领者全球的支持资源、备件中心、应用专业技能、现场服务技术人员的网络，及对金属镀膜工艺至关重要的精密乳胶网板的10,000级无尘室制造设施。  

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  • iSuppli：NAND flash市场收入将进一步下滑

    市场研究公司iSuppli在日前发布的预测中指出，全球NAND flash市场收入在上世纪末和本世纪初曾获得超过100％速度的增长，然而2008年，预计NAND flash市场收入将减少14％，2009年继续减少15％。   预测报告显示，2008年NAND flash收入将从2007年的139亿美元减少至120亿美元，2009年进一步减少至102亿美元。   此前，iSuppli预测2008年NAND flash市场微减3％，2009年恢复增长，增长率为12％。今年是全球NAND flash收入首度下滑。   “除了宏观经济和结构性困境，NAND flash市场同时面临需求弹性减弱的挑战。”iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim说道，“由于消费者目前已有充足的闪存卡和U盘，当价格下降时，他们并没有必要去升级产品。”   iSuppli指出，2008年1G NAND芯片出货量预计将增长126％，较2007年的179％有所放缓，出货量的爆炸性增长导致供过于求。预计2009年，出货增长率将降至71％。   iSuppli预测，2008年，1G NAND芯片平均销售价格预计将下跌62％，2009年预计进一步下跌50％。  

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  • 法国光伏法规变动 推动太阳能市场发展

            法国政府已经通过法国国会的批准，对该国光伏发电法规进行有史以来最大的一次修改，这将对法国以及欧洲太阳能发电产业一次巨大的推进。           欧洲太阳能发电起步比较早，尤其在瑞士和德国，太阳能发电系统的建设和应用站在了世界的前沿。在传统能源紧缺的大环境下，法国再次意识到传统能源的限制和发展太阳能发电的必要性。           从2006年到2007年，法国的太阳能光伏产业市场增长了将近3倍，2006年法国的太阳能发电的发电量为10.3兆瓦（MW），2007的发电量跃升为30兆瓦（MW），足以可见太阳能发电对法国的影响如此巨大。虽然30兆瓦的发电量对于德国或者欧洲其他一些城市来说还是微不足道，但是如此巨大的增长率，无疑给了法国太阳能电池行业打了一针活力剂！           经过修改以后的太阳能光伏政策是，在未来的20年间，新能源的开发重心偏向于太阳能发电产业，包括太阳能发电技术的研究，太阳能发电站的建设以及太阳能电池的日常生活一些应用。预计在2028年，在全法国境内，太阳能发电量可以达到7GW。  

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  • 全球半导体行业繁荣周期将被终结

    全球最大的合同芯片制造商首席执行官30日表示，明年全球半导体行业可能面临至多10%的下滑。   据英国《金融时报》报道，台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）首席执行官蔡力行（Rick Tsai）称，因半导体行业面临着金融危机导致的“不同寻常的挑战环境”，台积电和联华电子这样的代工厂受到冲击。台积电占有全球半导体行业一半的市场份额。随着全球经济面临衰退，全球半导体制造商正发布日益恶化的业绩报告和订单的减少。台积电预计今年第四季度的营收大约为700亿新台币（合21亿美元），和第三季度相比，大约下降了25%。台积电的主要竞争对手——联华电子10月29日发布了类似的第四季度业绩下降预测。预计未来几个月的销售下降尤为急剧，因为许多代工厂的客户在不确定的商业环境下，倾向于用光他们现有的库存，而不是下新的订单。在韩国，海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）报告了7年多来最大的季度亏损。这家全球第二大存储芯片制造商第三季度净亏损1.65万亿韩元（合13亿美元），为其连续第四个季度净亏损。去年同期海力士发布了净盈利1680亿韩元的业绩报告。  

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  • Entegris关闭工厂 裁员200人

    晶圆厂自动设备供应商Entegris日前宣布将关闭一座工厂，并裁员约200人。截止9月27日的第三季度，按公认会计准则计该公司净亏损4.114亿美元。   Entegris表示明年将关闭位于Chaska两座工厂中较大的那座，并将生产转移至另一家工厂去。该工厂关闭后将减少公司员工数量约7％，2010年开始每年成本及税收可节省600万至800万美元。   除了关厂，Entegris称还采取了其他措施以降低运营成本，包括优化管理结构。这些措施将实现每年降低成本1200万美元。  

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  • 2012年先进电子封装市场可达420亿美元

    市场研究公司Global Industry Analysts Inc.称，2007年全球先进电子封装市场为282.7亿美元，预计2012年该市场可达420亿美元。   亚太市场是最大的区域市场，预计2008年收入可达122亿美元。芯片级封装市场收入在2000年至2010年将获得最快速增长，年均增幅为18.9％。欧洲市场由德国领衔，2007年德国市场收入预计为12.6亿美元。  

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  • 半导体产业危机达顶点 明年有望摆脱困境

    世界经济萧条和半导体价格下跌让全球半导体市场阴云密布。世界半导体企业自去年起在亏损状态下进行了一轮意在攻击性投资。有分析认为，世界排名第5的德国DRAM厂商奇梦达等部分企业最近面临严重危机，随着产业结构进入重新洗牌阶段，半导体价格已跌至谷底。 半导体产业的危机已达到顶点 最近，半导体行业面临着前所未有的危机。尤其是在DRAM行业，今年除三星电子之外，其他企业都在亏损。NAND闪存行业的情况也是一样。除三星电子之外，生产NAND闪存（主要用于MP3播放器等便携式机器的内存)的企业在第2季度全部亏损。 产品价格的下跌情况也很严重。DRAM价格从去年1月份的6美元(512MbDDR2DRAM667Mhz为准)降到了最近的0.76美元，几乎降到了10分之一的价格。美国费城半导体指数于3日(美国时间)暴跌4.23个百分点。其最大原因是市场对半导体行业失去了信心。 半导体行业如此岌岌可危，很大程度上来自于各大厂商在市场不景气时仍进行攻击性投资，这就是所谓的“斗鸡博弈”。一直以来，半导体产业的景气与不景气有周期循环。“斗鸡博弈”是指在不景气时逆势扩大生产，大幅增加市场占有率，当景气恢复时最大限度地赚取利益。但大多数厂商不约而同地实施这种战略后，半导体价格一降再降，业界的不景气也更加严重了。据世界半导体贸易统计协会（WSTS)，2006年为313亿美元的DRAM市场规模将在今年缩小为276亿美元。 DRAM垄断结构逐渐被打破 最近，半导体行业出现了“大换血”征兆。那就是以内存领域为中心延续数年的垄断格局有可能被颠覆。 首先DRAM行业的第二大厂商海力士正在与德国英飞凌旗下的奇梦达(第5位)试图“合纵连横”。海力士3日表示，已经与财力投资者携手一同收购了业界排名第8的台湾茂德的8.6%股份。这是两家厂商继2005年结成战略合作关系之后，进一步把合作关系发展为允许进行技术转让及共同使用生产设备的新高度了。 此外，奇梦达的并购（M&A）磋商已进入实质性阶段。彭博社3日报导，英飞凌将在数周内出售其旗下的奇梦达的股份。英飞凌正在与3家企业协商收购事宜，其中最具可能的是业界排名第4的DRAM企业美光。如两家公司合二为一，其市场占有率将超过20%，跃居为排名业界第2的企业。 半导体行业明年有望摆脱困境 韩国半导体企业对上述业界动向极为关注。这是因为，如果在最近的不景气周期中丧失市场份额，则好景时就不能挽回损失。实际上，今年6月世界半导体市场销售额为216亿美元，比5月份增长了0.5%.这意味着半导体市场已经出现了微弱的反弹征兆。原因是欧美国家的经济虽依旧萧条，但亚太地区的需求却在增长。 三星电子的一位高层人士说：“我们认为，半导体市场会在今年下半年触底，明年中期之后恢复景气。即使情况艰难，我们也不会考虑缩小投资。” 三星电子正在为半导体市场恢复景气做准备。比如，今年7万亿韩元以上的投资计划仍将按期执行，并打算收购生产闪存卡的企业晟碟(SanDisk)。DRAM业界排第3、第4的企业也在忙于投资。比如，全球排名第3的尔必达就在中国新建了工厂等。     LIG证券研究员崔胜勋(音)说：“景气恢复后，市场占有率高的企业占据优势是理所当然的。尔飞达、海力士、美光为了继三星电子之后，占据DRAM市场占有率第2的位置，将展开激烈竞争。”    

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  • 保有半导体业务 松下并购三洋协议基本达成

    据日本共同社消息，松下电器公司和三洋电机公司的社长已就松下在明年春季前收购三洋为子公司一事基本达成了协议。松下将在本周下半周正式发表收购决定。松下今后将正式和美国高盛集团等3家金融机构进行购买三洋优先股的谈判。   据日经新闻等日本媒体报道，松下本月初将与持有三洋优先股的三井住友银行、大和证券ＳＭＢＣ株式会社和高盛集团进行协商，希望在年底前与三大股东达成基本协议取得大部分优先股，将三洋纳入集团旗下。   三洋是全球领先的锂电池制造商，同时也是日本第三大太阳能面板制造商。松下产品则为多元化发展，包含电机、家电、笔记本电脑电池等。松下希望通过收购三洋，获取其锂电池和太阳能电池部门以提升锂电池销量并跨足太阳能电池事业。专家预估，到2012年，锂电池市场规模可望增加24％，达75亿美元，松下拓展全球版图的计划也有望逐步实现。   目前，这三大股东在优先股的出售价格等问题上意见还不统一，协商能否顺利进行尚不得而知。   若10月1日改名成Ｐａｎａｓｏｎｉｃ的松下电器收购三洋成功，根据2009年3月的业绩预期进行估算，集团销售额将达到11．22万亿日元，一举超越电器行业老大日立公司预估的10．9万亿日元。   财务困顿的三洋在2006年发行价值3000亿日元的优先股，供三井住友、大和证券和高盛认购。若将这3家机构所持优先股换算成普通股，约相当于已发行股票总数的70％。按照目前三洋股价计算，其总额约为6200亿日元。   但三井住友银行上周预测本年度获利将锐减63％。今年9月，“股神”沃伦·巴菲特旗下的伯克希尔·哈撒韦公司宣布，将以50亿美元购买高盛集团优先股，同时还获得今后5年内任意时间购入50亿美元高盛普通股的认股权。而出售股权给松下，将使这3家机构获得资金注入，缓解当前全球金融危机带来的压力。   由于这3家机构可能于明年3月不经三洋同意即抛售所持优先股，于是三洋开始寻找下家。之所以选择松下，原因可能是松下能够在继续保有三洋的半导体及白色家电等亏损部门的前提下对其进行收购。同时，对松下而言，近来股市大跌正是收购的大好时机。三洋股价过去两个月跌幅近1／3。  

    半导体 松下 锂电池 BSP

  • 日本研究人员开发出液晶性有机半导体

    日本理化研究所等机构发表新闻公报说，其研究人员开发出了电子传递能力强、加工成形性能好的液晶性有机半导体。  新闻公报说，在有机半导体中，为了提高产品性能，必须增强这种半导体的电子传递能力，在这方面使用分子排列规则的晶体材料比较有利。但晶体比较硬，在大面积薄膜等加工成形方面存在局限。反之，如果使用液晶等柔软的材料，加工成形得到了保证，但这类材料分子的集结状态比晶体松散，提高其电子传递能力比较困难。  为了克服这些难题，东京大学的研究小组使用一种名为“缩环卟啉铜复合体”的有机分子，开发半导体材料。这种分子中影响电子传递的π共价键的尺寸大于以往的有机半导体，因此有望提高电子传递能力。但当研究人员按照液晶分子一般的设计方法向“缩环卟啉铜复合体”导入疏水性侧链时，分子没有表现出液晶状态。  此后，研究人员在“缩环卟啉铜复合体”周边的一侧导入亲水性侧链，在另一侧导入疏水性侧链，再将这样的有机分子加热到120摄氏度，尔后用1小时左右使其逐渐冷却到室温状态。结果，经过如此加工的“缩环卟啉铜复合体”分子自发集结成圆筒状，并在室温下形成了液晶状态。经测试，这种液晶性材料的电子传递能力至少是迄今室温  下液晶性有机半导体的10倍。  日本理化研究所、东京大学等机构的联合研究小组使用大型同步辐射加速器SPring-8对上述新材料进行了检测，发现其亲水性侧链和疏水性侧链在纳米等级上的特殊结构，使新材料兼具电子传递能力强和加工成形性能好等特点。  新闻公报说，这种新型有机半导体在生产有机薄膜太阳能电池和晶体管等方面具有应用前景。这项研究成果发表在10月22日出版的《美国化学学会杂志》上。

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