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  • Intel放弃Nvidia转向AMD竟是这样

     2011年，Intel与Nvidia签署了高达15亿美元的授权协议，在此之前，这两家公司已经在法院就专利许可问题上争斗了数年之久。 而近期彭博社的一篇报道称： Intel与Nvidia签署的这项专利协议很快将于2017年3月17日到期，Intel可能要停止与Nvidia的许可协议，转而将与AMD联姻，目前其正在寻求与AMD达成协议。 那么Intel为什么要放弃Nvidia，转而与AMD合作呢?要说这事还得从当年的反垄断案说起。 Intel与Nvidia、AMD的爱恨纠葛 与如今高通“买基带送SOC”相类似的是，当时Intel的垄断策略是“卖酷睿处理器得高额返点”。在当时，通过返点获得的钱甚至比厂商和零售商卖产品赚的钱还要多。这可让当时还只有芯片业务(尚未收购ATI)的AMD坐不下去了，终于在全球范围内针对Intel发起了反垄断诉讼。     在2009年底，双方就垄断问题达成了和解协议： Intel一次性赔偿AMD 12.5亿美元; Intel不得再以“返点”等方式变相限制厂商及零售商只销售Intel处理器; Intel放松AMD X86授权，不再要求AMD自己制造X86处理器。(此前Intel要求所有X86芯片厂商只能售卖自己生产的芯片) 而另一方面，Nvidia也不是省油的灯。当年的Nvidia也还保有芯片组方面的业务，而由于Intel在PCI-E上的垄断、以及新DMI总线技术上的纠纷问题，Nvidia将其告上了法庭。 最终，Intel与NVIDIA就垄断问题在2011年1月达成了和解协议： Intel同意以15亿美元了结双方的诉讼，并获得NVIDIA公司图形技术的授权，比如SLI等技术。 不过事实上，SLI技术根本不需要硬件上的修改——因为理论上只要有2个PCI-E插槽就能够支持SLI。 虽然看似Intel在这次反垄断案中赔了夫人又折兵，但事实上Intel也并没有吃亏，因为和解协议中还有一项针对Nvidia的要求： Nvidia退出芯片组业务，停止生产X86处理器。 所以Intel在经历这两场反垄断案之后，虽然收敛了许多，但仍然继续持有X86的专利权，这不仅防止了在X86市场上爆发全面竞争，而且还能保证自身继续占据绝对的主导优势。 Intel与AMD的相杀相爱 对于Intel而言，由于Nvidia这些年来“光收钱不提供任何帮助支持”，选择转而寻求AMD的合作也在情理之中。与AMD签署专利合作的前景至少肯定要比和Nvidia续约要好得多，而且还能避免再陷入与Nvidia的专利纠纷之中。 对于AMD而言，近年来在CPU上受Intel压制，在GPU上受Nvidia压制的日子也并不好过。鉴于其在收购ATI之后，首次将GPU与CPU整合在一起的Fusion芯片被证明是一款整体性能表现糟糕的产品，此后推出的名为“推土机”的AMD芯片架构及其后续的衍生品也同样被批性能表现不佳。 而AMD如果与Intel这家一直贯彻“买CPU送集显”的友商牵手推出一款“Intel-APU”，势必将能在业务收入上起到相当大的提振作用。此外，与Intel签订许可协议后，AMD也能够借此成功把自家的外接GPU技术，打入Intel的迷你PC市场之中。     种种迹象表明两者近期的确“关系密切” 而从这一段时间来看，Intel和AMD近期的确关系变得密切了起来： 两家公司刚刚在雷蛇的Core外置GPU坞上达成合作——采用 Intel Thunderbolt 3 端口，通过提供AMD外置显卡以提高整机游戏性能; 在发布会上，Intel甚至还直接拿了块AMD的显卡来演示外接GPU扩展坞如何在该公司旗下的NUC迷你机——Skull Canyon上工作; 会上，Intel还表示该产品将支持AMD的FreeSync可变刷新监视器技术，而非Nvidia的G-Sync技术。     此外，还有消息显示： AMD近期从其GPU业务中剥离了一部分人员，安排到了一个单独工作组中，其中包括负责软件、硬件和知识产权的相关人员。 所以，或许这也从侧面证明了AMD的确正在与Intel洽谈专利合作事宜，并为此将其图形创新部分整合到为其他芯片企业提供服务的工作组之中。 而对于消费者而言，即使Intel真的与AMD牵手也并不会带来太大的影响： 因为现行的Intel与Nvidia的许可协议中，Intel并没有在其CPU的集显中应用Nvidia家的任何技术，也就是说从未有过任何一款Intel芯片中集成了Nvidia技术的GPU芯片。 有趣的是，在该消息传出后，AMD股价上涨了6.1%，NVIDIA股价下降了0.7%。

    半导体 AMD Intel NVIDIA

  • Mouser携手Seeed Studio为创客们带来福音

    贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Seeed Studio签订全球分销协议。Seeed是专为开源电子模块及嵌入式设备创客及设计人员推出的硬件创新平台。 Mouser分销的Seeed产品线包括广受欢迎的Grove系列模块和入门套件、Seeeduino Lotus以及最新的BeagleBone Green。 Grove系列为一系列单功能模块，这些模块采用标准化连接器，无需使用焊接或面包板，即可简化电路板的构建。Grove系统在电路中采用易于使用的“构建块”，每个模块都随附了文档与演示代码。Grove入门套件包括用于微控制器的扩展板(如Arduino Uno或 TI LaunchPad)和Grove模块。 Seeeduino Lotus为基于Atmel ATmega328微控制器的Arduino兼容型微控制器开发板。该板具有14个数字I/O引脚、7个模拟I/O引脚以及12个用于Seeed Grove I/O系统的连接器。ATmega328P-MU搭载了2KB RAM、1KB EEPROM和 32KB闪存。 全新的BeagleBone Green是由BeagleBoard和Seeed Studio共同开发，以BeagleBone Black推出的开源硬件设计为基础。BeagleBone Green为基于Linux的开发板，专为加快与通用输入/输出引脚 (GPIO) 的整合所设计。BeagleBone Green内含2个Grove连接器， 创客无需通过子卡便能将电路板连接至传感器(但BeagleBone Green仍可通过两个46位引脚头支持子卡)。用于BeagleBone Green的Grove入门套件是对BeagleBone Green的进一步补充，内含10个Grove模块和3个逐步指南，帮助创客利用BeagleBone Green快速建立项目。

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  • 贸泽电子宣布冠名赞助物联网创新设计大赛—物物相连智能改变生活

    半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)宣布其冠名赞助的物联网创新设计大赛即日起正式拉开帷幕，本次大赛得到了ADI、Broadcom、Honeywell、Murata、TE等顶尖制造商的鼎力支持，他们将为大赛提供丰富的硬件设计资源，其中100队最具创意的参赛者将有机会获得由ADI、Broadcom、Honeywell、Murata、TE赞助的硬件一套。 互联网后的下一个风口是物联网，这已经是共识，市场调查机构IDC预测，全球物联网市场市值将由2014年的6558亿美元将增长至2020年的1.7万亿美元。随着智能终端越来越多，智能碎片化的问题也越来越严重，智能不应该是孤岛。从未来视角看现在，物联网会让生产制造企业发生根本性变化，每个产品都会是智能终端，都可以和用户产生化学反应。 “物联网俨然已成为未来一段时间内最重要的一个技术和应用大趋势，但是，现阶段物联网仍处发展初期，虽然物联网应用的技术已经基本准备就绪，但很多应用由于没有贴近实际应用和缺乏成熟的商业模式而难以落地。”Mouser亚太区市场与业务拓展总监田吉平说道：“所以，Mouser举办本次物联网设计大赛便是欲携手广大创客、高校师生、工程师以及开源硬件爱好者的力量，设计出更多具有创意的产品，同时让这些产品创意尽量贴近实际应用，为业界提供参考，从一定程度上推动产业成熟、刺激需求增长。” 田总监补充道：“Mouser在此次比赛中不单单扮演着赞助者的角色，在硬件方面为参赛者提供一站式的元器件购买通道，小到一个电阻，大到开发套件，只要你有想法，就有机会把想法变为现实;同时Mouser将竭尽资源为创客们提供充沛的数据手册、特定供应商的参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具，以及免费的设计工具MultiSIM BLUE，在开发道路上助设计师们一臂之力。”Mouser欢迎广大电子创客、高校师生、工程师以及开源硬件爱好者报名参赛，发挥创意，运用新一代信息技术及开发套件创造不一样的智能产品，造福大众。 Mouser拥有丰富的产品线与卓越的客服能力，通过提供先进技术的最新一代产品来满足设计工程师与采购人员的需求。我们通过全球21个客户支持中心为客户的最新设计项目提供具有最先进技术的最新元件。Mouser网站每日更新，用户可以查找超过1000万种产品，并能找到超过400万种可订购的物料编号以方便地进行在线采购。Mouser.com拥有业界首用的互动式目录、数据手册、特定供应商的参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具。

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  • 中芯国际进军PRAM存储 蚕食三星40nm产能

     近日，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际(SMIC)，与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar，共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。 作为双方合作的一部分，中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议，基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺，提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延 时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。 中芯国际曾发展过130nm到65nm制程的NOR闪存，2014年自主研发的38nm制程取得突破，继而转向更加先进的NAND闪存，将使用40nm工艺代工PRAM阻变式存储器芯片，意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。 RRAM元件能够集成到标准的CMOS逻辑工艺当中，在标准CMOS晶圆的两条金属线之间。这将促成高度集成的非易失性存储器解决方案的实现，将片上非易失性存储器、处理器核、模拟及射频集成在一个单独的芯片上。 高度集成的MCU及SoC设计厂商需要非易失性存储器技术，Crossbar的RRAM CMOS兼容性及对更小工艺尺寸的可扩展性使非易失性存储器组件在更低工艺节点的MCU和SoC中集成成为可能。 中芯国际能够帮助Crossbar摊薄芯片成本，缩短入市时间。 目前，中国半导体政策目前主攻存储器产业，2015年以来也透过不断并购相关供应链来加快成长脚步，晶圆产能扩充积极。中国半导体政策持续带给三星存储器部门一定的竞争压力，势必分散三星在晶圆代工产业的专注度。

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  • 芯片热效应成半导体设计一大挑战 IoT让问题更复杂

     随着汽车、太空、医学与工业等产业开始采用复杂芯片，加上电路板或系统单芯片(SoC)为了符合市场需求而加入更多功能，让芯片热效应已成为半导体与系统设计时的一大问题。 据Semiconductor Engineering报导，DfR Solutions资深工程师指出，随着芯片与电路板越来越小，让热问题显得更加严重。Ansys副总则指出，热会带来一堆无法预知的变化，让业者必须从 芯片封装或系统层次评估热冲击的程度，FinFET制程中必须处理局部过热问题，而且进入10或7纳米后程度更严重。 早在2001年，时任英特尔(Intel)技术长的Pat Gelsinger便曾预测未来10年内，芯片上能源密度提高是必须设法解决的问题。在高密度封装的SoC中，并非所有的废热都能散出。 明导国际(Mentor Graphics)行销经理指出，以车载娱乐系统为例，仪表板会产生热且不易散出，便有可能让绝缘闸极双极性电晶体(IGBT)变得不稳定，因此热管理必须从更接近矽的角度加以评估。 至于预先评估何处以及何时会出现热问题，便必须倚赖各种工具、经验与运气达成。而且随着晶粒上温度不平均，欲计算热对稳定性造成影响为何也越加困难，目前所有EDA厂商已联合企图解决该问题。 Synopsys工程师指出，拥有极准确且资讯充足的模型显得更加重要，但也带给电子设计自动化(EDA)厂商一定压力。益华电脑(Cadence)表示，传统上分析工具大多针对封装温度，但10纳米FinFET后，考量的地方必须从电路板转移至电晶体上。 Sonics技术长也指出，目前漏电流问题依旧存在，而且半导体物理也未改变。外界虽集中在利用时脉来控制功耗，但事实上时脉树(clock tree)仍有许多功耗产生。另一项必须面对的挑战则是动态电源管理。 Wingard 则认为解决之道是提升时脉控制效率，另外，先进封装或是个别晶粒封装等也是可行方式之一。Tessera总裁指出，其牵涉主要问题便是热耗散，也就是晶粒的厚度。因为减少厚度可降低电阻让更多热散出。该公司已开始开发以不同方式堆叠DRAM，让DRAM一部份可以开口让更多冷气进入。 另外，Kilopass等公司也在开发可抗热的一次性可程式(OTP)记忆体，来取代其他种类非挥发记忆体。该公司副总指出，内嵌快闪记忆体可支援到摄氏85度，但OTP可支援到125度。 目前业界也开始研究如何一开始就解决热效应问题。明导国际指出，热矽穿孔(TSV)是研究方向之一，另外，在晶粒下方蚀刻液流道(liquid channels)与引进新的热介面材料也是研究对象。 iROC Technologies总裁指出，高温与高伏特将会提高闩锁效应(latch-up)风险，造成稳定度严重的问题，另一个温度造成的影响则是实际的热中 子(thermal neutron)通量。DfR Solutions认为，热也是造成快闪记忆体逐渐出现位元滑动(bit slip)与资料保存问题的原因。 如今随着物联网(IoT)发展后，上述问题将更加复杂，热问题已逐渐成为设计必考量的一部分，而且与功耗、架构、制程与封装都密切相关。

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  • Intel处理器路线图：首次公开看到10nm Cannon Lake

    这两天被AMD的Radeon Pro Duo及Polaris显卡及PPT刷屏了，现在来看一点不同的吧。除了显卡之外，AMD今年还会正式推出Zen处理器，据说8核16线程、TDP只有95W，单核性能可拼Skylake，不过Intel今年也不会坐以待毙，Q3季度就会推出Skylake的继任者Kaby Lake了，而2017年Q3季度则会推出10nm工艺的Cannon Lake处理器，这也是首次公开看到Intel路线图确认10nm处理器进度。 Benchlife网站日前曝光了Intel公司2016年处理器路线图，这也是Intel首次官方公开Kaby Lake及未来的Cannon Lake处理器路线图，虽然是针对移动平台的，不过也能看出这两款处理器的上市时间。 去年发布的是Skylake处理器，14nm工艺，今年的Kaby Lake处理器也是14nm工艺的，但架构有升级，我们之前也做过详细报道，它会搭配200系芯片组登场。至于发布时间，Intel路线图上显示的时间是今年Q3季度，不过首先是针对移动平台的Core U/Y低功耗系列，而去年的Skylake是8月份发布的。 再往后就是10nm工艺的Cannon Lake处理器了，原本10nm工艺是应该在今年发布的，但从14nm工艺开始就各种延期。此前还有消息称10nm工艺会进一步延期，不过Intel辟谣了，这次的路线图上也显示Cannon Lake是在明年Q3季度发布，与Intel官方口径一致。 Intel 2016年移动平台路线图 N系列则会由Q3季度的Apollo Lake取代，而针对平板市场的14nm Cherry Trail则会被Q4季度的Broxton SoC处理器取代。 至于低功耗移动芯片，SoFIA LTE平台本该去年推出，但一直延期，今年会在Q2季度上市，并一直持续到2017年，等到明年Q2季度之后会被SoFIA LTE2取代，但具体规格还未知。

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  • ARM与台积电合作优化7nm处理器 瞄准高效能运算应用

    IP授权厂商ARM与台积电共同宣布一项为期多年的协议，针对7纳米FinFET制程技术进行合作，包括支援未来低功耗、高效能运算系统单芯片(SoC)的设计解决方案。这项新协议将扩大双方长期的合作夥伴关系，推动先进制程技术向前迈进，超越行动产品的应用并进入下一世代网路与资料中心的领域。另外，这项协议延续先前采用ARM Artisan基础实体IP之16纳米与10纳米 FinFET 的合作。 ARM 执行副总裁暨产品事业群总经理 Pete Hutton 表示，既有以ARM为基础的平台已展现提升高达10倍运算密度的能力，支援特定资料中心的工作负载，未来ARM特别为资料中心与网路架构量身设计，并针对台积公司 7纳米 FinFET 进行优化的技术，将协助双方客户在各种不同效能产品上皆能使用业界最低功耗的架构。 台积电研究发展副总经理侯永清指出，台积电持续投入先进制程技术的研发以支援客户事业的成功，藉由7纳米 FinFET制程，该公司的制程与设计生态环境解决方案已经从行动扩大到高效能运算的应用。客户设计的下一世代高效能运算系统单芯片将受惠于台积电的 7纳米 FinFET制程。 侯永清强调，相较于10纳米 FinFET 制程，7纳米FinFET制程将在相同功耗下提供更多的效能优势，或在相同效能下提供更低的功耗。ARM 与台积电共同优化的解决方案将能够协助客户推出具有颠覆性创新且市场首创的产品。 据悉，此项最新协议奠基于 ARM 与台积电先前在16纳米FinFET与10纳米FinFET 制程技术成功的合作基础之上。双方长期保持合作，以提供先进制程与矽智财来协助客户加速产品开发周期。近期成果包括客户及早使用Artisan实体IP及采用16纳米FinFET 与10纳米FinFET 制程完成的 ARM Cortex-A72 处理器设计定案。

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  • SiTime推出最轻巧、最稳定、内建自动校准的32 kHz Super-TCXO

     SiTime Corporation为MEMS与模拟半导体公司，亦为MegaChips Corporation(东京证交所代号： 6875)全资子公司，今日推出32 kHz Super-TCXOs的SiT156x/7x系列产品，这套时脉解决方案与众不同，尺寸仅1.2 mm2，较石英产品缩小了85%。此外，Super-TCXOs运用SiTime颠覆过往的TempFlat MEMS™技术，准确性可达±5 ppm，不仅可精密计时亦可延长电池续航力。 SiT1568具备创新、内建自动校准功能，方便客户排除在系统组装、回流、底填、成模时的时脉误差，而设计穿戴式装置、物联网、行动应用时，如迷你模组、智慧手表、运动追踪器、平板电脑、手机、智慧量表等，均可利用这些独特功能提供兼具准时及最大电池续航力。 SiTime行销执行副总裁Piyush Sevilla表示,「过去三年间,SiTime针对穿戴式装置、物联网及行动市场,每年发表创新的MEMS时钟解决方案,获得各界热烈回响,目前出货量突破6,000万组,且成长速度愈来愈快。有了SiT156x/7x 32 kHz Super-TCXOs,客户能设计出具备最小尺寸、最精准、超长电池续航力等可翻转市场的电子产品,证明了SiTime的MEMS时脉解决方案一再为时钟产业创造新局」。 品佳集团旗下凯悌股份有限公司总经理吴永昌表示，「过去七年间，我们与SiTime在亚洲携手合作，亲身感受到SiTime的MEMS时钟解决方案彻底改造业界，提供更多功能、更高效能、更小尺寸、更低功耗、更加稳定。最新SiT156x/7x系列的32 kHz Super-TCXOs为效能及尺寸树立新标竿，令传统石英产业望尘莫及，我们很荣幸成为SiTime的重要伙伴，期望双方事业都能继续壮大」。 SiT 1566、SiT 1568与SiT 1576 Super-TCXOs即日起上市,均为1.5 x 0.8 x 0.6 mm (长x 宽x 高)晶片尺寸封装(CSP),在穿戴式装置、物联网或行动系统内发挥以下重要功能: •即时时脉(RTC)参考时钟功能 •连网休眠时钟:蓝牙、蓝牙低耗能(BLE)、WiFi •音讯子系统参考 相较于32 kHz石英TCXO、震荡器或谐振器，SiT156x/7x MEMS Super-TCXOs拥有以下特色： •尺寸缩小了85% •±5 ppm全频稳定性，包括工业温度范围(-40至+85°C)的初始偏移与偏差，更精准的时脉可实现最佳计时效果与延长电池续航力 •选配内建自动校准功能(SiT1568)，排除组装、回流、底填、射出成型时的时脉误差，确保系统计时能力不受制造压力源影响 •可编程温度感测更新率，即便在工业与行动应用温度快速变化条件下，亦可维持动态及整体稳定度 •选配1 Hz至1 MHz(SiT1576)之工厂可编程频率，以支援低功率射频及无线充电 •可驱动多重载入，减少电路板元件数量 •第一年老化程度±1.5 ppm(较石英装置提升两倍)，运作多年亦可维持最佳计时能力 •绝佳抖动表现符合音讯标准：SiT1566、SiT1568与SiT1576可做为穿戴式电子产品的音讯参考 •启动所需时间减少65%(300毫秒) •厚度减少40%，最高仅0.60 mm，适合高度受限的模组

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  • Soitec携FD-SOI技术助力中国半导体创新

    21ic讯  全球领先的绝缘硅（SOI）晶圆制造商法国Soitec半导体公司日前在北京举办新闻发布会，介绍了该公司在中国市场的发展历史、全耗尽绝缘硅 （FD-SOI）基板的成熟性和生产及准备状态、FD-SOI的最新进展及其生态系统。与会发言人包括Soitec公司市场和业务拓展部高级副总裁 Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司数字电子商务部高级副总裁Christophe Maleville。 会上主要讨论的问题包括该技术是否适合各代工厂及应用设计师广泛使用，更重要的是，该技术如何解决中国半导体行业及中国希望成为全球芯片行业领袖的长期目 标中所面临的挑战。近日，FD-SOI技术在系统芯片（SoC）设备的设计中越发受到关注，主要是因为FD-SOI能够满足智能手机、智能家居及智能汽车 等产品（尤其是中国市场）在能耗、性能及成本优化方面的要求。 FD-SOI：一项创新的半导体技术 FD-SOI是一项利用成熟的平面工艺的创新技术（采用现有的制造方法和基础设施），同时确保摩尔定律下预测的芯片效率提升。FD-SOI可以在无需全面 改造设备结构、完整性和生产流程的前提下实现摩尔定律下的芯片面积微缩、能耗节省、性能提升及功能拓展。FD-SOI 元件与目前主流的设计与电子设计自动化（EDA）工具相容，因此可提供快速入市的解决方案。该技术需要使用FD-SOI基板来制造使用了FD-SOI技术 的芯片。 中国可通过FD-SOI技术驱动电子产业增长 中国将成为包括半导体在内的电子产业价值链的主要增长地区。为了满足各种各样的电子产品的需求，中国正全面采用各类主流半导体技术，包括当今晶圆厂广泛采用的平面bulk技术、颠覆性的FinFET技术，及日益崛起、备受瞩目的新兴FD-SOI技术。 FD-SOI对于众多应用下的各种产品来说都是正确的选择。中国的IC设计厂商现在可以设计产品并立即获得FD-SOI全球生态系统中的两家顶级代工厂 ——三星（Samsung）及格罗方德（GlobalFoundries）——的资源支持。FD-SOI技术也符合中国代工厂的需求。作为一项使用成本更 低、达到生产目标所需时间更短的平面制造技术，FD-SOI对于中国代工厂来说无疑是快速实现竞争优势的不二之选。 此外，Soitec及FD-SOI可被视为支持中国创新蓝图的理想合作伙伴和技术手段。Soitec愿携手中国业界建立强大的本土芯片生态系统，推动中国 成为全球半导体行业的领袖。Soitec有能力不断提升其产能，以满足中国市场的需求。若采用FD-SOI作为主流技术，中国将坐拥独一无二的机遇来深入 而全面地重塑全球半导体产业格局。 Soitec，首家实现FD-SOI基板成熟量产的SOI供应商 Soitec采用其自主研发的Smart Cut™晶圆键合和剥离技术来生产规格参数符合高量产需求的FD-SOI基板，其产品质量上乘，硅层厚度精确一致。如今，FD-SOI基板表现出来的成熟 性能无异于一般矽硅（bulk silicon），同时符合最为严格的行业标准，使FD-SOI成为名副其实的行业标准技术。 Soitec已实现FD-SOI基板的高良率成熟量产，其300mm晶圆厂能够支持28nm、22nm及更为先进的节点上大规模采用FD-SOI技术。如 今，全球有三家位于三大洲的公司能够供应FD-SOI晶圆——Soitec（欧洲）、信越半导体（亚洲）、SunEdison（北美洲）。这三家公司均采 用了行业标准的SOI基板制造技术Smart Cut™。 FD-SOI带来能耗、性能及成本优化的设计 现代电子产品的发展走向仍然被消费者的期待所主导。他们期待未来的产品价格更低、能效更高、电池使用时长更久、性能更强、功能丰富，而且尺寸更小。FD-SOI为实现这些目标带来了便捷的方法，可以在精简工艺和较少设计改动的前提下提供低成本及快速入市的优势。 FD-SOI拥有广泛的市场应用 不管应用于哪类电子产品，所有设计师在考虑到产品的灵活性、功耗、性能及成本之间的权衡时都很喜欢FD-SOI带来的优势。FD-SOI技术为众多领域的 产品带来益处，这些应用从对成本敏感的高性能、低功耗的系统芯片到超低能耗的应用，应有尽有，比如移动互联网设备（智能移动通讯、平板电脑、上网 本……）、图像设备（数码相机、摄像机）、无线通信设备、移动多媒体设备、家用多媒体设备（机顶盒、电视、蓝光播放器）、物联网设备、微控制器、汽车图像 处理、汽车车载系统、WiFi/蓝牙组合、GPS、无线电收发器及网络专用集成电路等等。 不断壮大的生态系统 FD-SOI技术的生态系统发展正在几个方面逐步展开。三星及格罗方德——全球四大半导体代工厂中的两家——已经宣布计划量产并采用FD-SOI晶 圆进行多项下线试产（即tape-out，指硅芯片从设计到制造的这一步骤）。FD-SOI的设计生态系统也在持续壮大之中，并且在28nm和22nm的 工艺节点上进展尤为迅猛。众多电子设计自动化（EDA）公司正积极研发与FD-SOI相关的IP。目前已有多家IC设计厂商公开表示全面拥抱这项技术，其 中一些宣布将在未来的开发路线图中采用FD-SOI技术。很多其他公司也已开始使用这项技术，只是还未官方宣布其未来规划。 随着FD-SOI生态系统的不断壮大，显而易见，这一技术将会在中国乃至全球半导体行业承担举足轻重的角色。

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  • 大陆半导体业已做好崛起之姿

     大陆《十三五规画纲要》扶植新兴产业名单中列入先进半导体，未来半导体产业仍将是行业发展的领头羊。大陆持续着重扶植半导体产业，主要是基于晶片巨大的贸易逆差为晶片的国产化提供可观的替代需求空间，若可成功执行晶片的进口替代，此对于大陆经济发展将带来正面效益。 加上国家对于硬体安全自主可控的规画明确，特别是半导体涉及国家安全的层级，更何况大陆消费电子、电视、汽车出货量已占全球5成比重，雄厚的下游基础为全球半导体产业持续向大陆转移注入强大动力，故2016年“两会”召开之后，更加奠定大陆半导体产业战略的地位。 事实上，由于全球半导体产业发展已趋向成熟，半导体行业内的主要企业难以藉由过去传统的模式来维持营运成长的目标，特别是行业未来将逐步进入物联网的时代，因而在资本市场与公司期望追求成长的双重压力下，2015至2016年国际半导体厂商将持续透过购并的方式来维持公司在行业内的规模状况与影响力。 即便短期内大陆业者在全球半导体的收购计画频频受阻，但预计大陆官方将会以威胁、利益同步施压的方式，让国际半导体业者以其他的方式与大陆厂商进行合作，并持续以市场化运作的国有资本协助大陆半导体企业走出国门，后续大陆公司之间购并整合形成规模效应，和收购全球化集成电路公司将成为大陆半导体产业全球化的主要方向，藉此为本土半导体行业的发展提供强大的推动力，而短期之内大陆较为关注的技术以及智财权将包括记忆体、CMOS影像感测器、处理器、手机晶片、高阶半导体封测服务等。 值得一提的是，先前大陆的华创投资、武岳峰、建广资产、浦东科投等产业基金，透过参与海外并购已私有化包括ISSI、Omni Vision、Montage、NXP RF Power等公司，短期间产业基金将藉由借壳或者资产注入等方式逐步退出，将公司交给实业公司去经营，预计2016年ISSI、Omni Vision、Montage、NXP RF Power等公司可望开始回归大陆资本市场，意谓海外优质资产将可为大陆半导体业带来更多的专利与人才，有利于加速大陆半导体产业蓬勃发展。 观察过去全球半导体产业的发展历史可知，通常行业出现周期性的大波动时，传统企业往往面临较大的挑战，而在市场调整阶段中，若可掌握关键因素与优势，则将有利于行业内新生力量的崛起，南韩三星、台湾台积电、台湾联发科则是分别于1980年代、1990年代、2000年代崛起的案例。而观察2015年，大陆集成电路产业销售额的增长力道与全球半导体销售额的年增率再度出现趋势上的差异，2016年大陆的成长力道更将遥遥领先全球，显然在国际市场处于低度成长的新平庸周期中，大陆半导体业俨然已具备崛起之姿。

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  • 学点历史：以智能手机处理器为例聊聊半导体工艺

     最近看科技新闻，经常看到10nm、7nm处理器工艺最新报道，14/16nm才经历了两代产品的更替，不禁概叹芯片制程的发展日新月异。一直以来的半导体行业，尤其是处理器的工艺制程和架构都是技术宅所关心的内容。其中，在工艺改进 骁龙820比骁龙810提升了啥也有系统性地介绍过很多和芯片工艺制程相关的知识，但是当时只是提到28nm、20nm这些概括性的时间节点，其实同为28nm制程，不同芯片厂商之间会有不同的工艺分类，即使是同一家厂商，也会细分为高性能和低能耗的制造工艺，今天我们就来聊聊那些FinFET、3D FinFET、HPM等不明觉厉的行业术语。今天我们来看看HPM、HP、HPC+、HPC、HPL这些形似神不似的专业术语究竟有什么区别?     下文内容和芯片制造业相关，所以先和各位读者回顾一下三种不同的芯片厂商：IDM、Fabless、Foundry。IDM就是指Intel和三星这种拥有自己的晶圆厂，能够一手包办IC设计、芯片制造、芯片封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商。Fabless则是指有能力设计芯片架构，但是却没有晶圆厂生产芯片，需要找代工厂代为生产的厂商，知名的有Qualcomm、苹果和华为。代工厂(Foundry)则是大名鼎鼎的台积电和GlobalFoundries。 预备知识聊完了，接着我们看看从55nm开始一直回顾到如今的14/16nm节点，看看都有哪些经典的处理器工艺分类出现过。PS：由于每个节点的工艺分类都比较多，所以下文以智能手机处理器为主。 55nm 在55nm节点，对智能手机而言，台积电ULP(Ultra low power)工艺分类值得一说，在40/45nm和28nm，台积电都有保留这种工艺分类。 采用55nm的ULP工艺，代表作有Nvidia显卡中GPU核心：G200b和G92b 40/45nm 在40/45nm节点，台积电三种比较常见工艺分类，分别为LP(低耗电)、G(通用)和ULP(Ultra low power)。LP工艺我们放在下面28/32nm中一起讲，因为该工艺节点的处理器会多一点。 在工艺改进 骁龙820比骁龙810提升了啥一文中我们已经说过，台积电在40/45nm工艺节点能够同时生产出同一代两种制程的芯片，这是比较特别的。 45nm代表处理器：骁龙S2和骁龙S3 40nm代表处理器：MT657x和Tegra2(全球首颗双核手机处理器)、Tegra3(全球首颗四核手机处理器)     当年发热厉害的HTC One X被Tegra 3坑了 在45nm节点，还有Intel和三星处理器也是值得一提的，这两家IDM巨头厂商很少向外界公布每一代节点工艺分类，只是简单地统称为HKMG，当然HKMG也是一个可以展开来说的关键术语，下文会介绍。 Intel在45nm的代表有两代不同架构的PC处理器：Penryn和Nehalem，Penryn是Core架构的工艺改进版，Nehalem则是全新的架构，这也是符合Tick-Tock定律的演进。Nehalem架构进一步对Core Microarchitecture进行了扩展，这一代架构历史低位相比Core架构同样重要，引入第三级缓存(L3 Cache)和QPI总线提高CPU整体工作效率，同时将内存控制器(IMC)整合到CPU，提高CPU集成度，当然还有重新回归的超线程(多线程)技术，配合Intel历史上首次出现四核心处理器，定位最高的i7处理器能够实现四核心八线程的运算能力。 三星在45nm的代表作则有Exynos 3110、Exynos 4210、苹果A4和苹果A5/A5X。     一代经典iPhone 4(苹果A4处理器) 28/32nm 时间来到了移动处理器(特指手机处理器)最为经典的一代制程节点——28/32nm。主要是整个行业负责生产手机处理器的厂商停留在28nm节点的时间过长，除了Intel在PC处理器上率先越过28/32nm节点，GlobalFoundries、三星、台积电等厂商基本上都受制于技术瓶颈，将28/32nm工艺制程连用了几代处理器。 GlobalFoundries由于缩写为“GF”，所以被业界戏称“女朋友”，“女朋友”和AMD一直走得比较近，加上和AMD曾经有着血缘关系，导致如今主要客户基本上都是AMD，在28/32nm节点上，“女朋友”一共出现了HPP、HP、SLP(都是28nm)和SHP(32nm)四种主要工艺分类。由于和手机处理器关系不大，这里不展开介绍了。 台积电方面，在这一代制程节点，出现了HP和LP两大类的工艺分类。 HP(High Performance)：主打高性能应用范畴。 LP(Low Power)：主打低功耗应用范畴。 为了满足不同客户需求，HP内部再细分HPL、HPC、HPC+、HP和HPM五种分类，下面小编将它们的缩写还原成全称，看到全称之后，读者应该不难理解它们的含义。 先来插入一条备注，在工艺制程领域，我们常常讨论“漏电”一词，简单来说，就是指伴随着工艺制程提高，CPU集成更多的晶体管，二氧化硅绝缘层变得更薄，从而导致电流泄漏。 电流泄漏最大问题就是增加了芯片的功耗，为晶体管本身带来额外的发热量，还会导致电路错误，CPU为了解决信号模糊问题，又不得不提高核心电压，综上所述，漏电率越低，对CPU整体性能表现和功耗控制更加有利。下面我们看看HP这五种工艺分类在性能和漏电上表现如何? HPL(High-Perf Low-Leakage)：漏电率虽然低，但是性能上表现却不高。当年Nvidia的Tegra 4处理器，为了控制惊人的功耗和发热，不得不使用HPL这种工艺分类，无奈最终还是压制不住自身的发热，被迫将主频限制在比较低的运行状态，搭载了高频版Tegra 4的Nvidia Shield掌机只能够通过主动散热(内部安装风扇)解决问题。     小米手机3率先开售的移动版(采用Tegra 4处理器) HP(High Performance)：虽然性能比较强，但是漏电率不低，仅限生产PC上处理器和显卡中CPU/GPU等高性能部件，对于手机处理器并不适合。 HPM(High-Perf Mobile)：为了更好地优化HP这种工艺，将其移植到手机处理器上，台积电推出了HP工艺升级版——HPM，漏电率稍微比HPL高一点，但是性能上却超越了HP，成为目前台积电在28nm制程节点上最受欢迎的工艺分类。代表作有：骁龙800系列，主要是骁龙800、骁龙801和骁龙805，还有最新的骁龙600系列两款新品——骁龙652和骁龙650。联发科方面则有Helio X10、MT6752、MT6732、MT6592、MT6588经典产品。华为P8上面的麒麟930和Nvidia的Tegra K1也是采用了HPM工艺分类。     华为P8(麒麟930) 上文提到的LP工艺分类，虽然在漏电率和性能上都不占优势，但是却因为成本低，而且出现时间比较早，技术比较成熟，所以骁龙400和骁龙600系列的中低端处理器都十分喜欢使用这种工艺分类，包括昔日的骁龙615、骁龙410，现在唱主角的骁龙616和骁龙617以及即将到来的骁龙425、骁龙430和骁龙435。联发科方面也是，MT6753和MT6735这两颗全网通的芯片采用了LP这种工艺打造。特别说明的是，它们俩的上一代产品MT6752和MT6732则是采用了HPM这种更高等级的工艺分类，不过不支持全网通。相比之下，上述提到的骁龙400和骁龙600系列处理器基本上已经全面普及三网通吃。 HPC(High Performance Compact)和HPC+(High Performance Compact Plus)则是台积电最近两三年才兴起的两种新工艺，后者代表作为联发科最新中端级别处理器Helio P10。 HPC+相比HPC在同等漏电率下性能提升15%，换句话说，在同等性能下功耗降低30-50%。     金立S8(Helio P10) 20/22nm 无论是PC还是手机处理器，这个工艺节点的芯片很快就退出了历史舞台，被14/16nm处理器抢占市场。PC领域的Intel虽然很早就量产了这个节点的处理器，但是因为Tick-Tock定律的驱使，使用了两代处理器(IvyBridge和Haswell)就开始进入14/16nm时代。由于对手AMD的工艺制程(28/32nm)停滞不前，加上光刻技术并没有取得重大突破，同时如今PC市场也并不需要换代换得那么频繁，多方面因素作用下，最终让Intel的“Tick-Tock”定律在14/16nm这一代节点上慢下来，更加衬托出20/22nm这一代产品持续时间并不长。 手机处理器方面也一样，20/22nm制程节点上，台积电用了足足几年时间才克服漏电率和产能的问题，直到如今还依然不能够全面供货给Nvidia、AMD、Qualcomm、联发科这些昔日的合作伙伴，据外媒报道，台积电对外宣传指20nm的SoC并不适合用在PC领域的芯片上，所以显卡领域才那么久没有更新20nm制程，停留在28nm那么多年。事实是否如此?谁知道呢?Qualcomm和联发科能够用上20nm的处理器也屈指可数，骁龙810、骁龙808和命途多舛的Helio X20。外界也有声音称20nm的SoC漏电率一直很严重，导致Qualcomm和联发科两位客户一直都不太满意，但是苹果A8和苹果A8X很早就用上了台积电20nm SoC工艺，也没见iPhone 6和iPhone 6 Plus上面出现什么致命的功耗发热问题，别有内情吧，呵呵!     全球首款搭载骁龙808智能机——LG G4 三星在20/22nm上两款经典处理器为Exynos 5430和Exynos 7(7410)，也就是分别搭载在三星Galaxy Alpha和三星Note 4上面的两颗处理器，三星也是从这个时候开始赶上台积电和Intel，不久后和台积电、Intel同时迈进14/16nm工艺制程节点。     三星Note 4(Exynos 7系处理器) 值得一提的是，在20/22nm工艺节点上，Intel引入了3D FinFET这种技术，三星和台积电在14/16nm节点上也大范围用上了类似的FinFET技术。下面我们统称为FinFET。 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)根据百度百科定义，称为鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。以前也和各位读者介绍过，其实就是把芯片内部平面的结构变成了3D，降低漏电率同时又能够增加晶体管空间利用率，当然，实际情况比较复杂，这里不详细展开了。 14/16nm 由于上文提到的历史原因，20/22nm并没有什么工艺分类，很快就被14/16nm取代了，台积电采用了16nm，三星和Intel采用了14nm。 Intel的Broadwell、Skylake和Kaby Lake(将会延期上市)三代PC处理器架构都采用了14nm工艺。 三星已经发展了两代14nm工艺，第一代就是用在Exynos 7420和苹果A9上面的FinFET LPE(Low Power Early)，第二代则是用在Exynos 8890、骁龙820和发布不久的骁龙625上面的FinFET LPP(Low Power Plus)。     乐Max Pro(全球首款搭载骁龙820手机) 台积电经历了20/22nm的挫折之后，在16nm节点雄起，不知不觉发布了三种工艺分类，最早出现在苹果A9上面的是第一代FinFET，接着就是麒麟950上面FF+(FinFET Plus)和近日发布的Helio P20上面搭载的FFC(FinFET Plus Compact)。     华为Mate 8(麒麟950) 至此，本文关于工艺分类的内容已经介绍完毕，接着解决一下上文的一些尾巴，简单补充说明一些术语。 HKMG和poly/SiON HKMG全称：金属栅极+高介电常数绝缘层(High-k)栅结构 poly/SiON全称：多晶硅栅+氮氧化碳绝缘层的栅极结构 我们可以简单地理解为HKMG技术更加先进，而poly/SiON技术已经出现了很久，技术上相对落后。台积电在40nm节点的G(通用)工艺分类上就是采用了这种栅极结构。40nm和28nm节点下的LP工艺(主打低功耗)分类也是采用了这种栅极结构。 上文提及台积电目前处于28nm那些(5种)HP工艺(主打高性能)分类基本上全面普及了更为先进的HKMG栅极结构。 前栅极工艺和后栅极工艺 前栅极工艺和后栅极工艺，其实是制造HKMG栅极结构的两种分支工艺，前者由IBM做主导，三星和GlobalFoundries两家厂商采用HKMG栅极结构制造的芯片，一般都会选择前栅极工艺。后者则由Intel主导，台积电那些一大波的28nm工艺技术基本上都是这个分支。最简单区分就是，台积电28nm节点的芯片分为HP和LP两种不同的大类型，HP再细分其它小类型。HP(主打高性能)这个大类的芯片基本上都是采用后栅极工艺制造的HKMG栅极结构，LP(主打低功耗)这个大类的芯片则是采用了前栅极工艺制造的HKMG栅极结构。     前栅极工艺和后栅极工艺对应工艺分类有哪些 那么两种栅极工艺之间有什么区别呢?由于不是本文重点，为了节省篇幅，我们不去探究原理，只记住结论，拥有用后栅极工艺制造的HKMG栅极结构的芯片，具有功耗更低和漏电更少的优势，从而让高频运行状态更加稳定，不会出现运行一段时间后降频这种现象。相比前栅极工艺无疑更加先进，但是生产制造技术复杂、良品率又低，技术诞生初期很难做到大规模量产，还需要客户厂商(例如联发科、Qualcomm、苹果、华为等)根据需求配合修改电路设计，所以前栅极工艺在早期更受IDM和Foundry欢迎，后来随着Intel和台积电工艺逐渐成熟，克服了后栅极工艺的种种问题之后，近几年逐渐取代前栅极工艺成为HKMG栅极结构的主要制造工艺。 总结：普通消费者对手机产品本身比较感兴趣，关注系统运行速度，游戏卡不卡，程序兼容性，发热和续航等浅层次用户体验。 对数码产品比较感兴趣的用户则会进一步研究为什么系统运行速度会慢，为什么我需要经常重启手机，为什么不清理后台系统就会卡，为什么iOS用起来就是比Android流畅?     iOS依然是公认的流畅性优化得比较好的系统 而对科技的沉迷早已“病入膏肓”的技术宅来说，在得知处理器、RAM、ROM是影响系统运行速度的三项关键要素之后，我们就会进一步研究这三种硬件是如何配合，并共同发挥作用的。在研究期间，技术宅就会发现PC领域和手机领域很多知识是共同的，从而方便我们用以往学到的知识解释手机处理器上的原理。 举个例子，普通消费者、数码爱好者和技术宅一起来到售后服务中心，消费者和客服经理投诉这台手机非常不好用，吵得面红耳赤之际，来来去去就是吐槽系统卡、游戏载入慢、重启次数多、经常清后台这些表层现象。 数码爱好者就会分析其实和处理器、RAM和ROM这些参数有关，不说还好，听完数码爱好者的分析，消费者吵得更厉害了，当初买这台手机的时候，宣传参数上那豪华的真8核处理器，3GB RAM，64GB ROM都是假的?旗舰级别的配置就是这种表现? 数码爱好者进一步解释真8核的定义，这种真8核和另外一款旗舰机的真8核是不同的，主要是架构和工艺制程、工艺分类不同。好吧，数码爱好者本以为能够平息这场纷争，谁知道消费者还在纠结都是28nm，为什么HPM和LP工艺的处理器会有不同的表现? 技术宅是时候登场了，HPM和LP之间最重要区别就在性能和漏电率上，HPM在性能上更优，漏电率也更低，LP则更适合中低端处理器使用，因为成本低。接着还会通过硬件监控的App进一步解释类似问题，同样是8核处理器，运行大型游戏的时候，有的处理器受制于架构、工艺制程、工艺分类落后，在玩得兴高采烈之际突然降频、关闭部分核心，这个时候系统自然就开始卡了。监控软件还能够实时监控其温度变化，进一步告知消费者为什么手机会自动重启或者通过死机方式让手机内部温度降下来。

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  • 用“互联网+”修炼中国半导体市场

    随着中国IC市场需求的飞速增长，以及所具备的高度开放的国际化特征，中国迅速成为了全球各大半导体公司最重要的业务收入来源地。分析全球前20大半导体公司2014年年报可以发现，这20家企业中国市场销售额在其全球总销售额的比重，平均值已达47.8%。其中占比较高者，如MTK在中国大陆的销售额占全球比重已超80%;占比较低者，如Sony在华芯片销售额的全球占比也超过20%。 可以说，全球半导体企业均成为中国IC市场快速发展的重要受益者。这也诠释了为何国际半导体业界乃至有关国家政府对中国扶持本国IC产业举措显示出的巨大关切——一切皆出于巨大的商业利益。 在2016年慕尼黑上海电子展(electronica China)上，以下领先功率半导体企业集体亮相，展示了最新技术和解决方案，助力半导体行业迎来长线拐点。 首先，以中国为核心的亚太地区在全球半导体市场中所占比重快速提升。 2000年至2014年，全球半导体市场规模由2043.94亿美元增长至3331.51亿美元。年均增速仅为3.6%。而与此同时，亚太地区(不含日本)半导体市场的年均增速则达到10%，规模从2000年的512.65亿美元快速扩大至2014年的1942.26亿美元。相应的，亚太地区在全球半导体市场中所占份额也由2000年时的25.1%大幅提升到2014年时的58.3%。 亚太市场的快速增长绝大程度上得益于中国IC市场的发展。2000年中国IC市场规模为945亿元人民币(合113.86亿美元)，到2014年已增至10393.1亿元人民币(合1690.4亿美元)，年均增速高达21.4%。随着国内集成电路市场的飞速增长，其全球地位也在快速提升。 2014年国内IC市场规模在亚太半导体市场所占比重已经达到87%，在全球半导体市场中所占比重也达到50.7%。中国已当之无愧成为全球半导体的“核心”市场。 其次，中国集成电路市场具有高度国际化的特征。 纵观中国IC市场的发展，其国际化特征十分显著。一方面，其庞大需求主要依靠进口解决。中国大陆IC进口额由2000年时的133亿美元，迅速增加至2014年的2176.16亿美元，进口规模在14年间增加了16倍。集成电路在中国全部进口货物中所占价值比重也由2000年的5.9%增加至2014年的11.1%，这使得集成电路已连续数年超过原油成为中国最大宗的进口商品。 另一方面，全球主要半导体企业为更好占领中国市场，纷纷加大对中国半导体领域的投资。全球前20大半导体厂商中，包括Intel、三星半导体、海力士、美光、TI等在内绝大部分企业都已在中国投下大笔资金建设了生产基地及研发中心。可以说，快速增长且高度开放使得中国市场成为带动全球半导体产业发展引擎。 第三，中国已成为全球各大半导体公司主要业务收入来源。 随着中国IC市场需求的飞速增长，以及所具备的高度开放的国际化特征，中国迅速成为了全球各大半导体公司最重要的业务收入来源地。分析全球前20大半导体公司2014年年报可以发现，这20家企业中国市场销售额在其全球总销售额的比重，平均值已达47.8%。其中占比较高者，如MTK在中国大陆的销售额占全球比重已超80%;占比较低者，如Sony在华芯片销售额的全球占比也超过20%。 可以说，全球半导体企业均成为中国IC市场快速发展的重要受益者。这也诠释了为何国际半导体业界乃至有关国家政府对中国扶持本国IC产业举措显示出的巨大关切——一切皆出于巨大的商业利益。 2016慕尼黑上海电子展将吸引国内外1200余家厂商参加，除了直观的展示产品与技术外，同期举行的创新论坛也是展会的亮点之一。来自于高校、企业的教授、专家们齐聚一堂，共同探讨产业的现状与发展趋势，其中嵌入式、汽车电子等主题的创新论坛现场人气颇旺。在"国际嵌入式系统创新论坛”上，将主要探讨物联网开发技术和创新应用等热门话题。 展望未来国内集成电路市场发展，在两化融合持续深入、信息消费不断升温、智慧城市建设加速等多方利好因素的共同带动下，预计未来3年，国内集成电路市场仍将保持8%左右的年均增速。到2017年，国内IC市场规模预计将突破1.3万亿元大关。届时中国IC市场将凭借超过2000亿美元的庞大规模，进一步巩固其在全球市场的核心地位。 在整体规模持续扩大的同时，包括智能电网、智能交通、卫星导航、工业控制、金融电子、汽车电子、医疗电子等行业电子应用将加速发展，并直接带动处理器、控制器、传感器及各类专用电路需求的快速增长。行业应用需求无疑将成为驱动中国IC市场继续快速发展的新动力。

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  • Vishay发布2016年“Super 12”明星精选产品

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)公布了2016年的“Super 12”特色产品。每年，Vishay都会挑出12款半导体器件和无源元件，这些器件采用新的和改进后的技术，能够显著提高终端产品和系统性能。Vishay的Super 12明星精选产品代表了公司在半导体和无源器件领域的领先水平，让人能够从中管窥Vishay宽泛的产品组合。 2016年的Super 12明星精选产品如下： Vishay T58系列vPolyTan™固钽表面贴装片式电容器—T58系列采用聚合物钽技术和Vishay的高效MicroTan®封装，实现了业内最好的容量-电压等级，有6个模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V产品，BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V产品—具有更高的容积效率，可用于手持式消费电子产品。 Vishay Semiconductors VEML6075 UVA和UVB光传感器—VEML6075采用小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm封装，在可穿戴设备、智能手机和粒子探测器中能节省空间，是业内首颗带独立通道输出，可测量真实UV指数的UVA和UVB光传感器。 Vishay BCcomponents 220 ELDC ENYCAP™系列双层储能电容器—220 ELDC ENYCAP系列器件可用于能量采集、备用电源和UPS电源应用，功率密度高达0.041Wh，在2.7V下的电容值从15F到40F，使用小型16mm x 20mm 至18mm x 31mm封装。 Vishay General Semiconductor TPC11CA～TPC36CA表面贴装PAR®瞬态电压抑制器(TVS)—这些器件通过AEC-Q101认证，是业内首批峰值功率耗散达到1500W的双向TVS，使用高度1.1mm的小尺寸SMPC(TO-277A)封装。器件的工作结温达到+175℃，满足汽车、工业和通信应用对高可靠性的要求。 Vishay Dale Thin Film PCAN系列高功率薄膜片式电阻—PCAN电阻是在氮化铝衬底上制造的，额定功率达到6W，阻值从2Ω到30kΩ，外形尺寸为1206和2512。电阻适合用在工业、国防和医疗应用中的缓冲电路和载荷、栅极负载和放大器端接电阻。 Vishay Siliconix SUM70040E/SUP70040E 100V N沟道MOSFET—ThunderFET®功率MOSFET的最大导通电阻为4mΩ，比前一代器件的每平方毫米的导通电阻低60%，在从太阳能微逆变器到电动汽车充电站的各种应用中能大大降低功率损耗，提高效率。 Vishay Sfernice PLA51中功率平面变压器—PLA51平面变压器的功率从1kW到3kW，尺寸为70mm x 53mm x 22mm，提供超过99%的高效率，典型应用为DC/DC功率转换器、电动汽车的车载充电器、电源控制冷却单元和太阳能逆变器。 Vishay Siliconix SiC530 VRPower®集成式DrMOS功率级—SiC530将驱动、高边及低边MOSFET组合在3.5mm x 4.5mm的PowerPAK®封装里，占位面积比分立式方案小45%，但却具有连续电流达30A，峰值电流40A的高功率密度。 Vishay Draloric TNPV系列高压薄膜片式电阻—TNPV薄膜片式电阻是业内首个工作电压达到1000V的此类器件，能替代更大的电阻和近似外形尺寸的多颗器件，来节省电路板空间，降低成本。这些电阻具有低电压系数、严格的公差和低温度系数，可用于精确电压测量。 Vishay Siliconix SiHH26N60E/600V E系列功率MOSFET—600V MOSFET采用小尺寸PowerPAK 8 x 8封装，比TO-263(D2PAK)封装的器件小57%，高度只有其1/5。另外，MOSFET的Kelvin源连接通过减少栅极接地回路，提高了性能。 Vishay Dale IHLD系列超薄、大电流双片电感器—IHLD系列器件在汽车和商用D类放大器中能节省空间，两个IHLP®型电感器垂直地放在3232或4032封装内。器件具有软饱和特性，两个相邻电感器之间实现低耦合，失真少，可输出高质量的音频。 Vishay General Semiconductor V35PWxxx/V40PWxxx TMBS®整流器—整流器的电流密度达到40A，采用高度1.3mm的表面贴装SlimDPAK封装。V35PWxxx / V40PWxxx比DPAK封装薄57%，散热面积多14%，热性能更好。

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  • 台积电或独拿A10订单，为iPhone 7蓄势

     虽然距离iPhone 7正式发布还有半年多的时间，但根据台湾的经济日报的报道来看，台积电公司已经正式开始小规模试产苹果iPhone 7将搭载的A10处理器，本月底的时候将会大规模进行量产。 据了解，苹果A10处理器是基于台积电的16nm FinFET(FF )工艺打造的，据台湾经济日报称，苹果目前还没有最终决定A10处理器的代工订单分配，但有业内人士分析，台积电几乎独拿A10处理器的所有订单。 值得一提的是，台积电公司的16FF 本月产能，将由2月的4万片倍增到8万片，并且月底还将会开启大量的生产，之后还会有更密集的产品产出。据悉将集中在Q2和Q3季度，这也不难看出符合iPhone 7手机产品Q3季度亮相的时间，在Q4季度奖全球铺货。 如果台积电独占A10处理器代工订单，从根本上避免类似“A9芯片门”的事件发生。

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  • 台积电壕掷8180万，扩大16nm A10产能

     有消息称，台积电已经开始小范围试产A10处理器，其基于自家的16nm FinFET(FF+)工艺，本月底将大规模量产。现在，台湾供应链给出了更详细的说法，消息显示，台积电正计划扩大A10芯片的产能，将16nm 300mm晶圆从2月份的4万块增加到3月份的8万块，这意味着A10依然采用16nm工艺制造。 此外，据说台积电最近为芯片生产车间投资了8180万美元，主要为了添置生产设备。按照此前的说法，台积电已经拿到了全部A10处理器的订单，在iPhone 7上大家就不用纠结处理器的版本了。  

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