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  • MEMS会议召开 揭秘MEMS新技术和新应用

    美国微机电系统（MEMS）产业协会于11月5~7日在Monterey召开微机电系统（MEMS）管理人会议，与会者们认为微电机系统（MEMS）芯片在今后仍将被广泛用于不同消费电子产品。据参与此次大会的分析人士预测，2008年MEMS在消费电子产品市场所占份额将增长4%~5%，接近70亿美元；但因为消费性支出减少，2009年整个MEMS市场将增长缓慢，甚至会有一定程度的萎缩。    BourneResearch调研机构分析人士MarleneBourne表示，“到2009年，MEMS市场有可能将首次面临负增长”，“消费增长缓慢的情况将至少持续18个月。在接下来的18~24个月时间里各个公司的核心MEMS应用方案将趋于具体化，而那些取得成功的公司将会对MEMS芯片产生极大需求并提供解决方案。        参与此次大会的某分析人士小组认为，2009年推出的手持媒体播放器和手机都将采用MEMS器件；到2012年，几乎所有的消费产品都将至少用到一个MEMS芯片；此外，从2010年起，MEMS器件还将被用于多个应用领域，如大幅降低功耗和提高平面显示屏的亮度以及色彩真实度。        其中最具新意的是Pixtronix公司的MEMS应用方案。通过采用MEMS闪耀光栅发光二极管（LED）的背光，Pixtronix的显示屏同时拥有超低功率（比LCD低75%)和极宽色域（是NTSC的105%）。        采用传统的LCD显示屏生产线即可将MEMS光栅集成至平面显示屏的内部，通过将MEMS挡光层粘在LED背光基板上，可省去偏光镜和彩色滤光片。该公司表示，其数字MEMS光栅比普通的LCD屏要亮10倍，因为有60~80%的光线通过了挡光层，而传统平板LCD屏的背光利用率仅为6~8%。       Pixtronix微制造（microfabrication）部副总RichardPayne表示，“我们的数码微快门可直接采用现今生产LCD屏的生产线来生产，但是生产成本可降低10%。”        其它参加MEMS管理人会议的成员公司也介绍了一系列已采用或即将采用MEMS芯片实现从无按键控制器到航行推测导航仪等特色功能的消费电子产品。       “很多消费电子产品集成了MEMS芯片，而加速度传感器只是MEMS芯片中的一种，”ST微电子部门副总兼总经理BenedettoVigna表示，“据我预测，到2012年所有的手机都将会集成有加速传感器”。        为了满足不同消费电子产品的要求，ST计划在下周公布其6位、8位、12位低价位、高分辨率的MEMS加速传感器。       每个型号的加速传感器都可工作在低功耗模式，这样当手机或其它电子消费产品处在休眠状态时加速传感器仍可随时待命。   在待机模式下，加速传感器的功耗小于1微安---不到正常工作模式下的1/300；但在新的“中间（in-between）”低功耗模式下，在输出端持续提供加速数据的条件下（尽管数据传速率有点慢），其功耗不到10微安---不到正常工作模式下的1/30。        ST的加速度传感器已被用于任天堂的Wii和Apple的iPhone，但其尺寸仅为3平方毫米的新款加速度传感器主要针对不安全型（non-safety）的汽车应用，如汽车报警以及工业和医护设备。ST还表示将通过新增回转仪、麦克风和电磁、压力传感器来进一步扩展其MEMS芯片产品。       Freescale在MEMS管理人员大会上展示了面向手机、手持控制器和移动媒体播放器的新系列三轴数字式加速度传感器和新系列开发工具包。该系列三轴加速度传感器可感应2G、4G和8G的加速度，是用于使消费类电子产品具备滚动、游戏控制和手势识别如“按键静音”等功能的最佳搭档。       因三轴加速度传感器可用其自带的集成式模拟-数字转换器感应三个方位的变化，所以它们可以实现二轴加速度传感器所不具备的功能，如导航装置的航行推测、通过移动位置检测和脉冲检测实现多类控制、防盗以及识别OEM定义的手势。        该系列三轴加速度传感器采用3x5x1毫米基板栅格阵列(LGA)封装，其引脚与Freescale现有的MEMS芯片兼容，因此可在不改变电路板布局的情况下对已量产的产品进行升级。新演示板采用基于ZigBee的通信接口，将其与PC机的USB接口相连即可对16块加速度传感器板进行研发设计。 

    半导体 MEMS BSP 芯片 加速传感器

  • Gartner再次调降2009年设备支出预期 柬言设备商加强订单管理

    市场调研公司Gartner日前再次调降半导体设备支出预期，预警明年产业资本支出可能下滑17％，设备收入可能减少18％。   10月，Gartner称2009年设备需求将小于预期，本月早些时候，Gartner预计金融危机将使2009年半导体市场收入减少250亿美元，增长率将于-2％到1％之间徘徊。   “许多公司2009年下调支出预算的计划不得不使我们再度调降设备支出预期。”Gartner分析师Klaus Rinnen、Mark Stromberg和Dean Freeman在Gartner的Semiconductor DQ Monday Report中写道。   根据Gartner的估计，2009年资本支出预计将从411亿美元减少至390亿美元，设备总支出预计将从305亿美元减少至268亿美元。   “从绝对数值来看，设备销售收入将我们10月的预测进一步减少37亿美元，回到了2004年之前的水平。我们预计2009年中期季度收入可能到达63亿美元的底部，这是2003年第四季度以来的新低。”分析师指出。   给设备商的建议   Gartner建议半导体设备商要为市场的混乱与不确定做好准备，这种状态至少将持续到2009年中期，为此设备商必须有能力灵活应对订单的波动。   对于库存，Gartner建议设备商尽可能缩短订单处理时间，尽可能细查订单状况，来评估客户的项目何时真正启动。   “在如此混乱的时期，必须紧缩库存控制。订单能见度十分低，减少大宗订单份额，加快订单处理频率。”分析师建议道。   Gartner进一步指出，设备商应该评估客户的财务状况以及支付能力。“尽管客户想要买设备，但他们可能没有足够的现金。”分析师说道。   Gartner建议设备商应该“加强尖端设备的供应，因为尖端设备的需求相对较强”，此外还应该“寻求更多的翻新设备机会，2008年至2009年产业共有相当于每月110万片200mm晶圆产能的设备下线。”   最后，Gartner提醒设备商尽管应该加强与外包服务公司的合作，以便在增长周期回来时获得更快速的增长，但在萧条期，优秀员工依然应该被视为有价值的资源。   “在成本削减过程中注意保护重要的员工。在太阳能产业持续增长和半导体产业处于周期低谷的情况下，半导体从业人员已开始转投太阳能产业。”分析师说道。  

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  • 中移动将首家预装微软手机版IE 6浏览器

        据国外媒体报道，微软日前与中移动达成了一项协议，后者将在向其用户销售的三星Omnia手机上预装Windows Mobile版IE 6浏览器。 　　与中移动合作是微软的一招妙棋。尽管PC版IE是浏览器市场上的霸主，但手机版IE却受到了广泛批评。微软上周宣布将很快发布新版本的手机版IE，并发布了仿真工具供开发商进行测试工作。初步评测表明，新的手机版IE有改进，但改进幅度低于预期。 　　微软Windows Mobile主管司各特·洛克菲德(Scott Rockfeld)表示，微软之所以选择中移动成为全球首家使用手机版IE 6的移动运营商，是看中了其庞大用户群和持续的增长。截至今年9月30日，中移动用户数量为4.36亿，而且还在不断增长。 　　洛克菲德说，“我们的目标不是让iPhone或谷歌Android手机用户换用我们的产品，而是让新兴市场用户利用Windows Mobile体验手机上网的乐趣。”

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  • 金融危机来袭 台湾LED产业下半年产能现过剩

    据搜狐网报道，受金融海啸袭击，台湾LED产业从年初的供不应求，到下半年产能过剩。同时也重创DRAM及面板等产业，间接使得原先计划大举进军LED上游磊晶产业的投资计划暂缓，对于处于供过于求的LED产业而言，将有利晶电、璨圆等上游磊晶厂拉大竞争优势。  LED厂商整体2008年表现并不理想，除了第一季受惠中小尺寸背光源需求强劲，带动营收冲上高峰，第二季开始消费电子产品出货低于预期，之后一路表现令人失望。原本市场寄予厚望的NB背光源应用，因厂商延后新机种推出，实质贡献有限，上游磊晶厂更因技术及专利问题“看的到吃不到”，各厂商产能利用率低落的问题日益严重，扩厂计划紧急喊停。着眼于NB及未来LCDTV背光源市场，2008年上半年包括半导体、面板及DRAM等大型集团都有意跨入LED这个关键零组件，当时喊出的规模一个比一个大，市场一度预估全台湾2008年会增加100台的MOCVD机台。但才短短一季的时间，上游磊晶厂从“天天被订单追着跑”，变成“天天追着订单跑”，连带设备厂也面临同样窘状。  根据研究机构LEDinside统计，台湾LED上游厂商获利率已连续3季下滑，获利衰退幅度超乎市场预期。显示在全球不景气下，上游厂商大幅扩产的后遗症开始浮现，产业供过于求问题恐怕要到明年第二季才有机会舒缓。展望2009年，LEDinside认为全球不景气影响确实冲击到LED相关产业链。反映在需求面上，消费性电子产品首当其冲，手机与数字相框出货量开始下修。目前仅剩下NB背光与照明相关产品可能为2009年LED产业的成长动力来源。而上游厂商也感受到需求不振，开始缩减2009年资本支出。而这波不景气甚至吓阻面板相关厂商与大陆LED业者的扩产进度，或许对于LED产业来说是较为健康的发展趋势。  晶元光电董事长李秉杰透露，目前上游磊晶厂的扩产都在放慢，有一家磊晶厂原本订12台MOCVD，就挡了7台，友达旗下的隆达光电截止目前只买了2部机台。晶电的扩产脚步也已放缓，现阶段是抱现金等待黎明的到来。法人表示，除非新的照明及NB等应用可以快速填补过剩产能，否则产能过剩，加上需求不振，厂商为了生存，接下来就是价格战，可以预见的是上游厂商毛利率将持续下滑，此波产业的寒冬将特别长。 

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  • 半导体市场环境恶化 安森美和微芯放弃联合收购Atmel

        11月19日消息，安森美半导体(ONNN)宣布，已放弃与微芯科技公司(MCHP)联合收购竞争对手Atmel Corp.(ATML)的报价，原因是半导体市场急剧恶化和全球金融市场持续动荡。 　　今年十月，总部位于凤凰城的安森美和总部位于亚利桑那州Chandler的微芯主动报价每股5美元收购Atmel，但Atmel方面随后表示，由于对方总计23亿美元的报价“显著”低估了自己的价值，公司决定拒绝这一联合收购。 　　今晨微芯CEO史蒂夫-桑吉(Steve Sanghi)对公司放弃联合收购表示了失望，他同时指出，微芯“将评估可能的替代性方案，谋求在没有安森美参与的情况下进行交易”。 　　上个月三方进行了一系列频密的接触，但此后安森美和微芯的高级经理人均指责Atmel的董事会拒绝合并谈判。Atmel的首席执行官史蒂文-劳博(Steven Laub)对此予以反击，他声称安森美和微芯在联合报价的陈述上都存在错误。总部位于加州圣何塞的Atmel制造的芯片被用于多种产品，其中包括汽车、家电和军事系统。 　　截至周二美东时间上午10:55(北京时间周二晚23点55分)，在纳斯达克上市的Atmel股票重跌22%，至3.08美元；微芯的股价为19.48美元，与开盘价基本持平；安森美的股票上涨10%，至3.63美元。 

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  • 美法庭裁定高通侵犯博通专利权

        据国外媒体报道，美国加利福尼亚州一家联邦地方法庭周一作出裁决，判定高通侵犯博通专利权。 　　这家法庭裁决称，高通违反了此前的一项强制令，内容是禁止高通侵犯博通的芯片技术专利权，责令高通停止使用博通技术或向博通支付版税。 　　地方法官詹姆斯·塞尔纳(James Selna)责令高通向博通全额支付版税，并支付10%的利息，原因是按照强制令的要求，高通原该在11月15日以前就支付版税。此外，他还责令高通销毁向新客户出售的任何芯片，或向博通支付相关版税。 　　博通负责知识产权诉讼的副总裁大卫·罗思曼(David Rosmann)称：“高通正在进行的活动表明，该公司明显漠视旨在保护知识产权的体系。”高通对此回应称：“我们无法认同法庭的判决。”

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  • 日本经产省发布推动太阳能电池普及的行动计划

    日本经济产业省、文部科学省、国土交通省以及环境省近日联合发布了“太阳能发电普及行动计划”。日本政府在08年7月内阁会议确定的“构建低炭社会行动计划”中提出的目标为：争取2020年太阳能电池的采用量（按发电量计算）增加到05年度实际采用量的10倍，到2030年增至40倍，并在3～5年后，将太阳能电池系统的价格降至目前的一半左右。为督促相关部门迅速采取行动，实现上述目标，而发布此次的行动计划。   在该计划中，有关供给方的内容包括：推进太阳能电池材料和模块的技术开发、实现系统的轻量化和安装的简化以及奖励与太阳能电池配合使用的蓄电池技术的开发。经产省和国交省08年7月起开始召开电池厂商和住宅厂商参加的“太阳能住宅普及促进恳谈会”。到目前为止已召开过3次，参加者互相交流了意見和信息。今后，还将继续加强这一合作，以制定太阳能电池系统的实行方针，确定检查、评价方法并争取国际标准化。在蓄电池技术开发方面，将通过新能源和产业技术综合开发机构（NEDO）支付开发补助金。根据09年度的预算，该补助金预定将达到约30亿日元。   需求方的内容包括：向家庭方面的普及提供补助金；为加快公路、铁路、港口及机场等公共设施方面的普及，根据此前的普及经验，向设施所有者等提供信息，以及促进教育机构在环境教育中纳入太阳能发电内容等。  

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  • SEMI SMG：08Q3硅晶圆出货量减少3％

    SEMI Silicon Manufacurers Group（SMG）在近日发布的硅晶圆市场季度分析报告中指出，2008年第三季度全球硅晶圆出货面积较第二季度减少3％。   第三季度硅晶圆出货面积为22.43亿平方英寸，而第二季度为23.03亿平方英寸。然而今年第三季度硅晶圆出货面积较去年同期增长3％。   “第三季度硅晶圆出货面积较上一季度略有减少反应了产业日趋保守的心态。”SEMI SMG主席、MEMC Electronic Materials副总裁Kazuyo Heinink说道，“300mm晶圆出货量仍在增长，尽管增长速度放缓。”   半导体硅晶圆季度出货面积趋势                单位：百万平方英寸   2007Q3 2008Q2 2008Q3 硅晶圆出货面积 2174 2303 2243[!--empirenews.page--]   *不包含太阳能硅晶圆出货面积

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  • 太阳能硅晶圆现货市场单月跌幅达10%

    市况混乱下，太阳能硅晶圆现货市场也出现价格直跌的影响，由于抢货力道大不如前，目前6吋硅晶圆平均每片现货价约9美元，与10月每片约10~10.5美元，单月跌幅达10%，太阳能硅晶圆厂表示，确实差不多在此水位，但目前多数仍以合约供应为主；太阳能电池厂表示，现货价直逼部分合约价，未来买卖双方不排除再议合约内容。   太阳光电市况受到西班牙补助案9月截止、再加上第4季传统淡季影响，使需求力道顿减，再加上金融海啸的袭击，冲击一波接连一波，从模组端到电池端都出现混乱叫价及降价走势，而硅晶圆现货市场也开始出现较大幅度的异动。   太阳能电池业者表示，目前6吋硅晶圆现货市场的报价约在每片9美元，与10月西班牙案刚结束时的10~10.5美元相较，单月降幅即呈现约10%，主要来自于市场已无急迫需求的买家，再加上下游包括模组及电池厂已面临降价威胁，亦无力再采购高额材料。   太阳能硅晶圆业者表示，6吋硅晶圆现货市场目前确实来到每片9美元的价格水位，不过，目前台系硅晶圆厂多数以合约为主，而2009年合约价格仍较现货市场来得有竞争力，所以不受影响。还有些低价的硅晶圆来自大陆中、小型硅晶圆厂，因为资金不足只好低价到现货市场撒货，但品质风险亦较大。   硅晶圆厂认为，目前主力欧洲市场需求仍在，降价的主因最主要是碰到太阳光电的淡季，预估2009年第1季开始市场需求就会渐渐回温，预估没有市场想像的悲观。   太阳能电池业者表示，目前，硅晶圆现货价报价已接近2008年部分电池业者手中所持的合约报价，对太阳能电池业者而言，因为目前已开始面临降价的威胁，硅晶圆现货价格走低部分，恰可弥补电池跌价，但若硅晶圆现货价未来持续下探，则不排除与硅晶圆厂再议定2009年的合约价内容，不过，目前看来市场仍混沌不明，仍难判断未来市场走势。  

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  • Gartner调降半导体封测服务市场预期

    在当前IC产业的低迷时期，Gartner日前调降了半导体封测服务（SATS）市场预期。   在最新的一份预测报告中，Gartner预测2008年SATS市场增长1.6％，2009年缩水4％。此前的一份预测中，Gartner预测2008年和2009年SATS市场分别增长3.8％和6.5％。而6个月前，Gartner预测2008年和2009年SATS市场分别增长4.1％和14.1％。   Amkor、ASE、SPIL、STATS ChipPAC等公司对第四季度的前景并不乐观。全球最大的IC封测公司ASE第三季度利润下滑，并预测第四季度销售额下滑15％至20％。  

    半导体 半导体 SE GARTNER BSP

  • 美国科学家制成首个等离子晶体管

        据国外媒体报道，自从20世纪40年代晶体管出现以来，它一直是电脑和其他现代电子装置的核心元件。晶体管的作用是接通、关闭或者增强电流，晶体管有各种形状、大小和材质，这些主要根据它的用途而定。最近科学家制作出一种新晶体管——一个微型电子计大小的等离子晶体管。 　　美国伊利诺斯大学的研究人员将一个常规微腔等离子装置和一个电子发射体结合，研发出这种微束等离子晶体管。陈国锋和光学物理及工程学实验室主管加里·艾顿教授将他们的研究结果发表在最近的《应用物理学快报》上。据艾顿解释说，有一天等离子晶体管将拥有可以跟常规晶体管一决高下的优势。 　　艾顿说：“第一个等离子晶体管可能跟你想的一样，它的设计还达不到商业化水平。然而我们不得不说，在需要晶体管处理高压和高能的环境下，微束等离子晶体管具有很大优势。常规晶体管会因瞬变电压受损，而微束等离子晶体管在这种情况下有可能非常耐用，因为气体(和等离子体)不能‘燃烧’。” 　　等离子晶体管里的电子发射体，通过受控方式把电子注入到部分氖气(等离子体)被电离的屏极里。科学家发现，即使电压只有5伏特，也能改变微束等离子体的性质，这包括将电流增强为原来的4倍和增加可见光的发射量。电子发射体通过受控方式改变微束等离子体的性质，可有效将微腔等离子体装置转变成一个三端晶体管。微束等离子晶体管跟常规晶体管一样，它也能控制流经终端的电流，而且还可充当开关或扩大器的角色。 　　科学家为了解决包括等离子电视显示器在内的等离子装置出现的一个问题，开始研究等离子晶体管。在等粒子装置里，科学家控制等离子壳层里产生电子的能力受到限制，而等离子壳层里的电流通常受到离子制约。这种情况导致这些等离子装置需要高压才能操作。在以前的研究中，陈国锋、艾顿以及其他人为了降低电压，扩大效率，他们开始研究能产生额外电子的方法，这些方法包括，通过增加注入到微束等离子装置内壁上的碳纳米管里的电子数量，促使额外电子产生。 　　在最近的研究中，电子发射体提供的辅助电子，负责将电子注入到等离子壳层里，以降低所需的电压。但是因为电子来源也受到控制，科学家可以调节这种等离子装置的传导性能。等离子壳层作为等离子晶体管的主要元件，与常规晶体管基本类似。 　　除了控制电流和可见光发射量以外，科学家还能减少这个装置的等离子壳层边缘的离子与电子的密度比。另外，将电子注入到等离子壳层里，能让科学家在不需要一个内部探测器的情况下，可以评估等离子壳层内电子的密度。艾顿说：“说到微束等离子晶体管的可能应用途径，近期最有吸引力的应用是高清晰手机或便携式DVD播放器显示屏。其他有趣的应用途径是环境传感器和生物医学诊断。”

    半导体 晶体管 等离子 电流 等离子体

  • Spansion起诉三星侵犯闪存专利

        美国闪存芯片制造商Spansion宣布，正在对三星侵犯其专利权的行为采取法律行动，公司请求法庭禁止使用三星所产芯片的手机、Mp3播放器和其他电子设备从外国进入美国市场。 　　Spansion指出，已提交两份针对韩国三星公司的诉状，其中一份提交特拉华州一家联邦法院，另一份提交总部设于华盛顿的美国国际贸易委员会(ITC)。Spansion指控三星生产的闪存芯片侵犯了自己一系列的专利权。 　　Spansion在提交ITC的诉状中请求政府禁止三星的下游客户，包括苹果和索尼等企业含有三星所产侵犯其专利的闪存芯片的各类产品进口至美国境内。Spansion在诉状中指出，这些侵犯专利的闪存芯片年均可给三星带来约70亿美元的销售额。 　　根据Spansion提供的数据，该公司是世界第三大闪存提供商，仅次于韩国三星和日本东芝。

    半导体 三星 闪存芯片 SPANSION BSP

  • 全球兴起4G预研竞赛

        经济危机并未抵消无线通信产业的迅速发展，日益增长的用户需求强有力地推动着技术的更新换代。竞争，已经预先在在尚未确定标准的4G中开始体现。这是一个更诱人的机会，也是一个更广阔的市场，更是一个更长远的谋略布局。4G时代，中国棋局如何？ 　　尽管面临全球蔓延的经济衰退，但为满足以视频为代表的数据业务需求的持续增长，各国运营商和设备商仍然在追加4G预研的投资。3G商用的不尽如人意，从很大程度上应归咎于网络速率和运营收费相左导致的“低性价比”。一些国际主流运营商将目光投向了强调高速率、低成本的4G候选技术，T-Mobile等运营商甚至宣布将于2010年推出4G商用服务。 　　4G，显得近在咫尺。但北京邮电大学教授张平指出，4G已从单纯的技术演进转变为全新的革命。 　　4G将不仅仅集中于技术标准的竞争，这是一场涉及各国频段协调、专利共享互惠、运营行之有效、产业链完善成熟、利益博弈平衡的征战，唯有权衡利弊统筹规划，方可运筹帷幄决胜千里。 　　凸显频谱效率重要性 　　目前，ITU正在面向全球征集4G标准建议，虽然其标准技术尚未最终明确，但此前ITU举行的移动通信标准化工作组会议，已就4G关键技术指标、候选技术评估步骤、4G国际频率规划和补充3G无线传输技术规范等问题予以明确。 　　工业和信息化部电信研究院科技委副主任雷震洲表示，未来将呈现三个世界：从网络层面看是IP的世界，从传输层面看是光的世界，从技术层面是无线的世界。工业和信息化部通信科技委副主任陈如明也向记者指出全球无线移动通信技术发展的八大走势：宽带移动化、移动宽带化、传输IP化、接入多样化、网络自适应化、系统互补综合化、应用个性/个体泛在化、有线/无线与“三网”融合一体化。 　　在技术趋势的主导下，4G详细技术指标准确到频谱效率、峰值频谱效率、带宽、用户边缘频谱效率、延迟、移动性、切换、VoIP容量等各个细节。可以看到，与3G强调峰值速率不同，4G采用频谱效率标识技术特性，也就是消耗单位资源带来的效益，此外，4G将小区平均特性和边缘特性也列入考虑，ITU更关注技术指标的绿色环保和实用价值。 　　条条大路通4G 　　目前浮出水面的是WiMAX、LTE和UMB三大备选技术，其中UMB由3GPP2提出，目前尚无一家运营商宣布有试验或部署的计划。已部署的WiMAX商用网络运营不及预期，面向4G启动的802.16m项目，进展也比预期缓慢。目前看来，LTE在世界范围内的支持力度最为强大，而WiMAX也在与LTE并存的时代摸索出适合自己的发展之路，即面向新兴运营商的新建网络。此外，802.11n基本完成后已启动VHT计划，目前正在探讨成为4G中低速移动技术的可能性，针对小型办公室和家庭用户的无绳电话技术DECT也将可能在4G时代占领一席之地。 　　最接近4G的LTE技术目前已针对4G提出了进一步演进LTE-Advanced，参与标准需求修订的工业和信息化部电信研究院通信标准研究所沈嘉告诉记者，LTE-Advanced系统性能会超出4G指标，针对新频谱、新带宽、新应用场景的优化会成为一个主要的研究方向。 　　目前，4G尚未浮出水面，相关技术已经蓬勃发展，充分证明了产业发展专利先行。专利对于4G具有重要意义。国家知识产权局知识产权发展研究中心王雷向记者分析，4G的底层技术MIMO、OFDM专利目前增长非常迅速，垄断性还不是特别强，正是创新发展专利充满机会的阶段。现在是我国企业和科研机构大力自主创新，发展4G通信自主知识产权的关键机遇期。而软件无线电技术因为专利权保护的客体和专利技术方案的要求，专利数量较少。     中国胜算几何？ 　　TD-SCDMA的后续演进技术TD-LTE发展快马加鞭，中国移动已与大唐移动携手展示了下行速率100Mbps的TD-LTE业务。中国移动研究院副院长王晓云表示，从目前世界上公布的原理样机测试中看，TD-LTE与LTEFDD性能相当。而TD-LTE在可以有效利用LTEFDD系统不易实用的零散频段，在频谱利用率上的优势在频段业已紧张的今天显得尤为突出。此外，已在中国部署的TD技术中所选用的一些优势技术，如智能天线、MIMO，是4G系统中不可或缺的关键技术，如何充分利用多径传输提高无线传输性能，成为4G研究中备受关注的重要课题，国内TD网络的部署为此提供了可以借鉴的成功应用。 　　运营商已成为引领通信标准发展的“龙头”，运营商具备明确的市场需求和详细的发展时间表，并处于产业链核心，连接了最终消费者和终端、设备、增值服务提供商以及研究院所，其角色正从2G、3G时代的技术选择者转变为产业主导者。今年年初中国移动与沃达丰、Verizon宣布联合开展TD-LTE测试，避免了TD-LTE被边缘化的问题，为未来LTEFDD和TD-LTE共同发展创造了条件。 　　事实上，中国已出现的“准4G”技术不止TD-LTE。如由我国自主研发的MiWAVE宽带无线通信系统已经成功应用于汶川地震中，MiWAVE宽带无线应急通信系统是专为地震、水灾、雪灾、紧急军事事件、紧急社会事件等特殊情况而专门设计的应急通信平台，作为B3G移动通信技术，MiWAVE最高可支持150km/h的移动速度，可用于中、高清晰度的视频传输。但不可否认的是，目前该技术的产业链成熟度还处于初期发展中。 

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  • 半导体产业处不确定期 Numonyx搁置300mm芯片厂计划

    据国际电子商情网站报道，非易失性存储器厂商Numonyx的欧洲业务副总裁Philippe Berge表示，意法半导体原计划在意大利Catania兴建的300毫米芯片厂的命运要到2010年以后才会有定论。Numonyx是意法半导体与英特尔的合资企业，继承了上述计划兴建的Catania工厂。 “产业处于不确定时期，我们将对制造策略和资本投资采取谨慎态度，”Berge在慕尼黑国际电子元器件博览会(electronica)上表示。上述工厂多年来一直是一个空架子，未来仍将如此。Berge补充道：“这要取决于商业必要性。” Numonyx在无锡的一家合资300毫米芯片厂生产NAND闪存，该合资厂的大多数股权属于海力士(Hynix)半导体。

    半导体 芯片厂 半导体产业 意法半导体 GE

  • 英飞凌不满其和冶金工会达成加资协议 决定推出

    由于不满德国雇主联合会同德国冶金和电器业工会（IGMetall）达成增加工资的协议，德国半导体巨头英飞凌公司Infineon12日决定退出巴伐利亚雇主联合会并且该决定立即生效。   英飞凌公司财务董事MarcoSchr?ter在谈及退出的理由时表示，鉴于当前严峻的市场态势，公司董事会此先已作出在本财年（截止9月底）不加薪的决定。MarcoSchr?ter称，“我们作出这个决定并不轻松，但就目前公司的经营状况而言又别无选择。”   周三，德国冶金和电器业工会同德国雇主联合会在经过旷日持久的谈判后最终达成协议，将分两个阶段给该行业员工加薪4.2%。此外，企业还将从2008年11月至2009年年初向员工一次性支付510欧元的补助。鉴于生活水平的差异，西南地区的员工从2009年2月1起将多增长2.1%的工资。   总部正好在西南地区的英飞凌公司因受晶片子公司企业奇梦达公司（Qimondat）的拖累业绩出现大幅亏损，公司在今年夏季已宣布将裁员3000人。  

    半导体 英飞凌 电器 TE BSP

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