东芝公司旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的
东芝公司今天宣布推出该公司面向汽车市场的广泛的解决方案组合的一款新增产品。TC358791XBG汽车用辅助芯片(companion chip)的诞生,旨在推动用于联网汽车的下一代娱乐信息应用实现高分辨率多媒体(音频、视频)和摄像
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,东芝参加了于2014年11月16日至21日在深圳会展中心举办的第十六届中国国际高新技术成果交易会(简称高交会)电子展。并于11月17日在深圳马哥孛
21ic讯 日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,东芝参加了于2014年11月16日至21日在深圳会展中心举办的第十六届中国国际高新技术成果交易会(简称高交会)电子展。并于11月17日在深圳
21ic讯 东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,东芝将于11月16日至21日参加在中国·深圳举办的第16届中国国际高新科技成果交易会·电子展,以“创建安心、安全、舒适的社会,实现智社会
东芝公司今天宣布推出该公司面向汽车市场的广泛的解决方案组合的一款新增产品。TC358791XBG汽车用辅助芯片(companion chip)的诞生,旨在推动用于联网汽车的下一代娱乐信息应用实现高分辨率多媒体(音频、视频)和摄像
-单个芯片集成各种电源和精密的充电器IC,助力实现精简尺寸、节省空间的设计-东京–(美国商业资讯)–东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出平板电脑和智能
采用ARM® Cortex®-M4F和原创的 “PSC” 协处理器,实现了高速处理功能。东芝公司今天宣布,推出新产品“TMPM440F10XBG”,从此其应用于数码设备(比如: 单反相机和娱乐游戏机)的ARM&re
致力于亚太地区市场的领先电子元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出基于TOSHIBA器件的智能手机完整解决方案,其中包括有高性能CMOS图像传感器、数码相机模块、FRC Plus 图像处理技术、近距离无线传输技术
北京时间4月4日下午消息,据《日刊工业新闻》报道,由于移动设备的需求持续增加,东芝最早计划今年夏天兴建一座新的NAND闪存芯片工厂。该工厂是东芝第五座NAND工厂的二期项
东芝公司今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两种不同的TFET开发中。通过将每种TFET应用到一些电路块中,可实现大幅降低M
致力于通过新一代“TaRF6”工艺改善智能手机的性能东芝公司今天宣布,该公司已面向支持LTE-Advanced技术的智能手机开发出SP12T[1]射频(RF)天线开关集成电路(IC),实现业内最低水平的插入损耗[2,4] 和射频
根据东京《日刊工业新闻》报的报道称,东芝公司将会加大位于日本三重县四日市的Fab5工厂的NAND闪存芯片的产能。业内预计,东芝的这项决定将会导致全球NAND闪存芯片价格在20
北京时间4月4日下午消息,据《日刊工业新闻》报道,由于移动设备的需求持续增加,东芝最早计划今年夏天兴建一座新的NAND闪存芯片工厂。该工厂是东芝第五座NAND工厂的二期项
在刚刚过去的中秋假日,21ic记者造访了位于日本石川县能美市的加贺东芝电子株式会社。加贺东芝电子是东芝集团的子公司,成立于1984年12月,占地面积超过23万平方米,主要生产白光LED、分立器件、功率器件等产品,是东
为低功耗可穿戴医疗保健设备整合两种功能东芝公司今天宣布推出“TC35670FTG”,这是一款支持低功耗(LE)蓝牙(Bluetooth®)[1]通信和近场通信(NFC)Type3标签的低功耗双重功能集成电路(IC)。样品出货即日启
通过采用DMOS FET [1]型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵容东芝公司今天宣布,该公司正在开发BiCD[2]晶体管阵列TB62xxxA系列,以取代其双极晶体管阵列TD62xxx系列。后者在
据报道,东芝的瑞士子公司Landis+Gyr近日获得了来自巴西电力公司约110万台智能电表的一笔巨额订单,再次接下一笔大生意。东芝表示,今后将通过Landis+Gyr继续开拓南美等发展中国家地区的市场,与欧美国家展开激烈竞争
东芝公司今天宣布将推出“TLP3417”、“TLP3420”、“TLP3440”和“TLP3475”四款产品,扩大该公司采用业界最小[1]封装的光继电器产品系列。量产出货即日启动。新产品适用于
北京时间2月23日晚间消息,东芝周四表示,该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球最小的128Gbit(16GB)NAND闪存芯片。该闪存芯片采用19nm新工艺,大小为170平方毫