全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天重申,极紫外(EUV)光刻技术将在2015年如期投入商用,各大半导体厂商都在摩拳擦掌。ASML首席执行官兼总裁Peter Wennink公开表示:“NXE:3300B极紫外光刻扫描仪的整合
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产,与此同时,极紫外(EUV)光刻设备也
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产,与此同时,极紫外(EUV)光刻设备也
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产,与此同时,极紫外(EUV)光刻设备也
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产,与此同时,极紫外(EUV)光刻设备也
2013年3月7日,高级纳米结构涂层和设备研发企业Rolith, Inc.宣布成功安装 由Rolith, Inc. 独家授权SUSS MicroTec AG建造的第 2 代纳米结构原型工具 – RML-2 工具。此原型基于 Rolith, Inc. 开发的具有颠覆性的纳米光
先进半导体光刻技术领域的领导商 Molecular Imprints, Inc. (简称MII)18日宣布交付业界首款能够实现450mm 硅晶圆基底图案成形的先进光刻平台。该产品目前被用于支450mm晶圆工艺开发需求,有望促进半导体行业向低成
先进半导体光刻技术领域的领导商 Molecular Imprints, Inc. (简称MII)18日宣布交付业界首款能够实现450mm 硅晶圆基底图案成形的先进光刻平台。该产品目前被用于支450mm晶圆工艺开发需求,有望促进半导体行业向低成
-- 该公司向领先半导体生产商交付业界首款450mm 先进光刻系统,为全球性450mm 计划提供支持 -- MII 的 J-FIL(TM) 技术使半导体行业能够提前两年实现450mm 晶圆生产 得克萨斯州奥斯汀2013年1月18日电 /美通社/ --
【IT168 应用】台积电近日对“遥远”未来的半导体技术进行了展望,再次强调了450毫米大尺寸晶圆、极紫外(EUV)光刻技术的重要性,声称7nm工艺绝对离不开它们,甚至10nm的时候就需要。 台积电CEO兼董事长张忠谋指出
德克萨斯州奥斯丁2012年9月24日电 /美通社/ 奈米图案成形系统与解决方案的市场与技术领导商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布,该公司已经获得一份包含多个压印范本的采购订单。这些范本将被整合进某半导
纳米图案成形系统与解决方案的市场与技术领导商Molecular Imprints, Inc. (MII) 9月24日宣布,该公司已经获得一份包含多个压印模板的采购订单。这些模板将被整合进某半导体设备公司的光刻机中,包括 MII 专有的最新
纳米图案成形系统与解决方案的市场与技术领导商Molecular Imprints, Inc. (MII) 9月24日宣布,该公司已经获得一份包含多个压印模板的采购订单。这些模板将被整合进某半导体设备公司的光刻机中,包括 MII 专有的最新
得克萨斯州奥斯汀2012年9月24日电 /美通社/ -- 纳米图案成形系统与解决方案的市场与技术领导商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布,该公司已经获得一份包含多个压印模板的采购订单。这些模板将被整合进某半导体
德克萨斯州奥斯丁2012年9月24日电 /美通社/ -- 奈米图案成形( http://www.molecularimprints.com )系统与解决方案的市场与技术领导商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布,该公司已经获得一份包含多个压印( htt
在压力传感器的微细加工技术中要求在样品背面的掩膜上光刻出压力腔窗口的图形而且与正面图形严格对准。待别是在设计时必须将力敏电阻安排在膜内;有时离开膜边的距离仅为30P”。正反图形错开时,力敏电阻条对压
在压力传感器的微细加工技术中要求在样品背面的掩膜上光刻出压力腔窗口的图形而且与正面图形严格对准。待别是在设计时必须将力敏电阻安排在膜内;有时离开膜边的距离仅为30P”。正反图形错开时,力敏电阻条对压
SEMI最新研究报告显示,2011年全球半导体光刻掩膜板市场达到了31.2亿美元规模,预估2013年这一数字可达33.5亿美元。继2010年达到高峰以后,光刻掩膜板市场2011年再次增长了3%,创下历史新高。而未来两年光刻掩膜板市
SEMI最新研究报告显示,2011年全球半导体光刻掩膜板市场达到了31.2亿美元规模,预估2013年这一数字可达33.5亿美元。继2010年达到高峰以后,光刻掩膜板市场2011年再次增长了3%,创下历史新高。而未来两年光刻掩膜板市
SEMI最新研究报告显示,2011年全球半导体光刻掩膜板市场达到了31.2亿美元规模,预估2013年这一数字可达33.5亿美元。继2010年达到高峰以后,光刻掩膜板市场2011年再次增长了3%,创下历史新高。而未来两年光刻掩膜板市