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Vistec向华沙的ITME提供高性能电子束光刻系统
波兰华沙和德国耶拿--(美国商业资讯)--领先的电子束光刻系统提供商Vistec电子束公司宣布，华沙著名机构Electronic Materials Technology (ITME)购买了Vistec的可变电子束系统SB251。这款先进的光刻工具将被用于各种微
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典型MEMS工艺流程
MEMS表面微机械加工工艺是指所有工艺都是在圆片表面进行的MEMS制造工艺。表面微加工中，采用低压化学气相淀积(LPCVD)这一类方法来获得作为结构单元的薄膜。表面微加工工艺采用若干淀积层来制作结构，然后释放部件，允
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典型MEMS工艺流程
MEMS表面微机械加工工艺是指所有工艺都是在圆片表面进行的MEMS制造工艺。表面微加工中，采用低压化学气相淀积(LPCVD)这一类方法来获得作为结构单元的薄膜。表面微加工工艺采用若干淀积层来制作结构，然后释放部件，允
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京瓷研发出利用光刻加工技术的AT切割水晶振动子
21ic讯 京瓷金石株式会社（以下简称“京瓷金石”）是专门从事水晶元器件开发生产的公司。该公司运用光刻加工技术（以下简称“光刻加工”）成功研发出AT切割水晶振动子“CX1612SB”，将
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利用触摸面板光刻银胶实现20μm布线间距
利用光刻法形成的银布线图案的样品（点击放大） 触摸面板光刻银胶的介绍展板（点击放大） 日本太阳油墨在“第三届尖端电子材料EXPO“（1月18～20日，东京有明国际会展中心）”上展出了用于静电容量式触摸面板布
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计量使工艺得以实现
关键字：计量计量并不廉价——计量专家的费用和计量工具的成本就不低——但如果是以生产和成品率为目标的话，那么它绝对算得上价廉物美。多年以来，许多业内人士都认为计量是一项非增值的花费，
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现场演示光刻工序，Fab系统研究会展示“微型Fab”制造装置
放入有晶圆的“微型硅梭” （点击放大） 光刻胶涂布装置（点击放大） 意在将半导体生产线的最小投资单位削减一个数量级的日本产综研（产业技术综合研究所：AIST）联盟的Fab系统研究会，其正在开发的“微型Fab”
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EUV光刻下垫层材料研究进展
EUV光刻是hp22以下器件制造最有前途的候选技术之一。但它有些难点需要克服，特别是要开发高功率EUV光源、制造多层掩膜与检测以及开发均衡性良好的光刻胶，因为分辨率-线宽粗糙度-灵敏度(RLS)的权衡最重要。EUV用光刻
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22nm以下半导体光刻工艺最大挑战将来自成本
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体工艺光刻的途径是清晰可见的，可直达7纳米节点；但在7纳米节
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日本EUV光刻系统企业联合体计划在全球范围建立客户合作关系
由日本芯片制造商和设备制造商组成的EUV光刻系统企业联合体近来积极在全球范围建立客户合作关系，最新加入的海外公司包括英特尔、三星、海力士和台积电等。日本EUV光刻系统企业联合体成立于今年一月，主要成员包括芯
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光学光刻和EUV光刻中的掩膜与晶圆形貌效应
半导体制造中微型化的进展使得光刻掩膜和晶圆上的几何图形不断增加。准确模拟这些图形产生的衍射要求运用精确的电磁场（EMF）模拟方法。这些方法是在给定的几何形状、材料参数和入射场（照明）条件下，用合适的数值方
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后ArF时代的光刻征途
Cost matters。用中国话说就是“成本猛于虎”。 半导体业人士最大的梦想莫过于以最小的成本投入换取最大的回报。因此，按比例缩小、在单片晶圆上制造出更多的芯片是创新最强大的驱动力，它影响着成千上万的工程师
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基恩士推出3-AxisYVO4激光刻印机MD-V9900A系列
打破了以往只能在平面上进行刻印的常规，使三维立体刻印成为可能， 同时满足了大功率输出，超高品质刻印的要求21ic讯 基恩士公司推出3-AxisYVO4 激光刻印机MD-V9900A系列，此产品是基恩士多年以来在YVO4激光刻印机的
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SEMICON West2011议题回顾：光刻界新动向总结汇总
SEMICON West 2011会场本周又传来了许多令人感兴趣的半导体业界信息，其中本周三的会议内容多与光刻技术有关，一起来回顾一下。 GlobalFoundries透露20nm制程部分细节： 首先是GlobalFoundries工程师Mark Kell
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MIT研究显示电子束光刻可达9纳米精度
美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示，电子束“光刻”精度可以小到9纳米的范围，刷新了以前一项精度为25纳米的结果，这一进展有可能为电子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技
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麻理将电子束光刻可刻制最小图像尺寸降至9nm
麻省理工学院的研究人员表示，他们已经研制出了一种可以刻制尺寸为9nm图像的电子束光刻技术，而此前电子束光刻技术所能刻制的图像尺寸极限则为25nm左右.有关这次研究的详细内容将发表在下一期的《微电子工程》（ Mic
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MIT研究显示电子束光刻可达9纳米精度
MIT研究显示电子束光刻可达9纳米精度
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后ArF时代的光刻征途
Cost matters。用中国话说就是“成本猛于虎”。 半导体业人士最大的梦想莫过于以最小的成本投入换取最大的回报。因此，按比例缩小、在单片晶圆上制造出更多的芯片是创新最强大的驱动力，它影响着成千上万的工程师
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GlobalFoundries光刻专家谈EUV最新进展
GlobalFoundries公司的光刻技术专家Obert Wood在最近召开的高级半导体制造技术会议ASMC2011上表示，尽管业界在改善EUV光刻机用光源技术方面取得了一定成效，但光源问题仍是EUV光刻技术成熟过程中最“忐忑”的因素。O
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台积电20nm将采用193nm液浸式光刻+透明式双重成像作金属线层
台积电日前已经宣布顺利在其开放创新平台建构完成其28nm制程设计生态环境，不过更令我们感兴趣的是他们同时还宣布将在即将于加州召开的设计自动化会议 （Design Automation Conference (DAC) ）上，首度对外展示其20
