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VGROUP与INKRON共同开发下代光学组件的高折射率材料和纳米压印光刻技术
在EVG的NILPhotonics ® 技术处理中心，共同合作开发衍射光学的新材料，以应用于波导管、脸部识别传感器和其他光子组件2020年2月17日，奥地利ST. FLORIAN和芬兰埃斯波—EV Group(EVG)，为MEMS、纳米科技和半
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台积电7nm+大量供货：近40年终于实现EUV光刻
台积电今天宣布，N7+ 7nm+工艺已经大批量供应给客户，这是该公司乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。 EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源，可使曝光波长直接降到13.5n
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中科院院士：中国光刻技术与国外差距15-20年
国内发展半导体产业的决心已经无需多言，目前国内最薄弱的领域还是芯片制造，而在这方面我们又缺少尖端的半导体生产设备，尤其是光刻技术，这是半导体芯片生产中的核心工艺。 在2019中国集成电路设计大会上，中
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EV集团和肖特携手证明300-MM光刻/纳米压印技术在玻璃制造中已就绪
EV集团和肖特携手证明300-MM光刻/纳米压印技术在玻璃制造中已就绪。联合工作将在EVG的NILPhotonics®能力中心开展,这是一个开放式的光刻/纳米压印(NIL)技术创新孵化器,同时也是全球唯一
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首次加入EUV极紫外光刻！台积电二代7nm+工艺已量产
台积电官方宣布，已经开始批量生产7nm N7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术，意义非凡，也领先Intel、三星一大步。 台积电表示，7nm+ EVU工艺的良品率已经提高
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Brewer Science：做半导体材料的领路人
上个世纪80年代初Brewer Science发明了Anti-Reflective Coatings(防反射涂层，简称“ARC®”)材料，由此革新了光刻工艺，Brewer Science一直致力于通过技术创新不断推动摩尔定律向前发展。
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GIGAPHOTON确定将FABSCAPE?运用于7家大型半导体制造商
2018年12月19日—半导体光刻的制造商GIGAPHOTON株式会社宣布，因用于半导体制造装置运行监控与分析的“FABSCAPE?”自2018年3月发布以来获得强烈反响，因此已确定在2019年1月前将其运用于7家大型半导体制造商。
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新思科技携手中科院微电子所成立EUV光刻仿真联合实验室
近日，新思科技与中国科学院微电子研究所强强联手，正式组建“EUV光刻仿真联合实验室”并举行揭牌仪式。双方联合宣布将在北京合作共建国际一流、国内领先的联合实验室，共同合作开发基于EUV的光刻仿真及应用，致力提高中国EUV研发能力并共同培养该领域尖端人才。该联合实验室得到了北京市科学技术委员会国际科技合作专项的支持。
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Maskless Lithography推出大批量PCB生产用直写光刻设备
Maskless Lithography公司近日首次公开推出全新的可提高印制电路板（PCB）生产门槛的直写数字成像技术。Maskless Lithography是硅谷一家由一群行业资深人士领导的新创企业。这种MLI-2027直写光刻系统首次在业内同时实
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浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能
（电子科技大学 微电子与固体电子学院，成都 610054）摘 要：光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。主要围绕光刻胶在集成电路制
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上海微电子：提升中国光刻设备高端制造水平
上海微电子装备有限公司成立于2002年，公司主要致力于大规模工业生产的投影光刻机研发、生产、销售与服务，可广泛应用于IC制造与先进封装、MEMS、3D-TSV、OLED-TFT、LED、Power Devices等制造领域。这是IC制造领域的
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沉浸式光刻制约EUV的推出
【导读】使用193nm光刻的半导体发展路线图已经走到尽头，下一代将必定采用157nm光。TI公司前端处理部经理Jim Blatchford刚刚完成一种前沿157nm光刻系统的谈判，但他对这种尚未验证的技术仍然有点担心，因此他想去负责
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LED前端设备已启动下一轮投资
LED半导体照明网讯 Yole Développement预测， 经过18-24个月的消化期，LED前端设备市场开始缓慢复苏，并将在2014-2016年间经历另一轮投资，通用照明应用是主要需求动力。但第二轮投资价值有限，因为设备
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LED前端设备市场复苏 已启动下一轮投资
Yole Développement预测， 经过18-24个月的消化期，LED前端设备市场开始缓慢复苏，并将在2014-2016年间经历另一轮投资，通用照明应用是主要需求动力。但第二轮投资价值有限，因为设备产能和良率有所改善，
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4寸LED芯片尺寸成2014年发展趋势
近期包括三安光电、华灿光电等芯片龙头纷纷开始布局2寸转4寸外延芯片。业内人士称，4寸外延芯片为趋势。 近日三安光电董秘李雪炭对本社表示，公司2013年完成2寸转4寸片百分比为30%，争取2014年达70%以上。华灿光电在
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以光为刃，镌刻中国产业的“光刻指纹”
本报记者 陈 磊 贾 婧 创新驱动发展 贺荣明清楚地记得，11年前，当大部分专家、领导问他，中国自主研发光刻机有决心吗？“有！”当时的回答并无一丝犹豫。“如今回想此事真有些后怕，那时候勇气胜过理智。”
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三星正在研究10nm工艺：终上极紫外光刻
硅半导体工艺的极限在哪里？至少短期内，各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm，更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。 三星正在研究10nm工艺：终上极紫外光刻 通过与ARM、Cadence、Synops
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三星正在研究10nm工艺：终上极紫外光刻
硅半导体工艺的极限在哪里?至少短期内，各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm，更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立体晶体管)，去年底就已经取得重大突破，完成了
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三星正在研究10nm工艺：终上极紫外光刻
硅半导体工艺的极限在哪里?至少短期内，各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm，更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立体晶体管)，去年底就已经取得重大突破，完成了
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21ic新闻大爆炸：极紫外光刻2015年商用——目标10nm
1、极紫外光刻2015年商用：目标10nm全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天重申，极紫外(EUV)光刻技术将在2015年如期投入商用，各大半导体厂商都在摩拳擦掌。ASML计划在今年底出货首批三台NXE:3300B光刻机，其中
