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英飞凌连续十年位居功率半导体市场榜首，进一步巩固领导地位
英飞凌科技股份公司连续十年位居世界功率半导体市场榜首。这是北美市场研究机构IHS Inc的调查结果。调查显示，在该市场领域，英飞凌强势占据11.8%的市场份额，与去年的12%
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英飞凌连续十年位居功率半导体市场榜首，进一步巩固领导地位
2013年12月24日，汽车传感器市场领导者英飞凌科技股份公司连续十年位居世界功率半导体市场榜首。这是北美市场研究机构IHS Inc的调查结果。调查显示，在该市场领域，英飞凌强势占据11.8%的市场份额，与去年的12%接近。
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尼康强化半导体曝光装置升级业务瞄准功率半导体和三维LSI
尼康将对根据用途升级已售半导体曝光装置的服务进行强化。该公司于2013年春季在开展曝光装置售后业务的子公司Nikon Tec设立了专属组织“售后服务战略室”。将于11月在尼康的台湾子公司Nikon Precision Taiwan（NPT）
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三安LED芯片领导地位加固 有望夺“行业巨擘”
LED半导体照明网讯 三安3季报符合预期，业绩增速显著提升。公司芯片业务继续增长且盈利提高，布局LED应用、光伏电站、功率半导体打开更大空间，未来将打造成基于半导体技术的节能产业巨擘。维持目标价28元，
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SiC功率半导体元件的“真命天子”，沟道MOSFET即将实用化
“高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET”（电装解说员）。 在2013年10月举办的“CEATEC JAPAN 2013”上，电装展示了SiC的相关技术（图1）。其中包括了两大“惊
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013&rdq
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”（日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”（日本宫
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英飞凌稳居2012年功率半导体供应商榜首
LED半导体照明网讯 据外媒electronicsweekly报道，全球信息收集和调查公司IHS近日发布调查报告显示，英飞凌稳居2012年功率半导体分立器件和模块领先供应商榜首。2012年，英飞凌占有全球市场收入份额的11.8％
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM 2013”（日本
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工2013年9月30日宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工日前宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成本，也适合
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工2013年9月30日宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成
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IHS：英飞凌稳居2012年功率半导体供应商榜首
9月29日消息，据外媒electronicsweekly报道，全球信息收集和调查公司IHS近日发布调查报告显示，英飞凌稳居2012年功率半导体分立器件和模块领先供应商榜首。2012年，英飞凌占有全球市场收入份额的11.8％，与2011年的1
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IHS：英飞凌稳居2012年功率半导体供应商榜首
9月29日消息，据外媒electronicsweekly报道，全球信息收集和调查公司IHS近日发布调查报告显示，英飞凌稳居2012年功率半导体分立器件和模块领先供应商榜首。2012年，英飞凌占有全球市场收入份额的11.8％，与2011年的1
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功率器件供应趋紧，厂商全速扩充产线产能
【导读】自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要
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日本成立功率元件促进协会
日本近期传出日本半导体产业成立功率元件促进协会(Power Device Enabling Association，PDEA)，主要的原因在于，日本在功率元件的技术发展，约略落后全球的平均水平，故成
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飞兆半导体的功率半导体发展前景
【导读】在2013年第25届功率半导体器件和集成电路国际学术研讨会(International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits， ISPSD)上，飞兆半导体(Fairchild)高级技术副总裁兼首席技术官D
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挽救半导体落后颓势 日本成立PDEA
日本近期传出日本半导体产业成立功率元件促进协会(Power Device Enabling Association，PDEA)，主要的原因在于，日本在功率元件的技术发展，约略落后全球的平均水平，故成立该协会希望能迎头赶上，同时也能在各类重工
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