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国家释放政策红利 功率半导体产业进入黄金期
LED半导体照明网讯 据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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国家释放政策红利 功率半导体产业进入黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体加速导入 元器件厂商拼杀
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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21ic新闻大爆炸：新一代功率半导体开发竞争激烈
1、新一代功率半导体开发竞争激烈 亚洲企业纷纷涉足今后在从事GaN功率元件的半导体厂商之间，估计会展开激烈的价格竞争。尤其是韩国、中国大陆和台湾等亚洲半导体厂商全面涉足GaN功率元件业务之后，价格竞争将更为激
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元件开发竞争激烈 亚洲企业纷纷涉足
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体：元件开发竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业
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AMAT全方位强化功率半导体生产设备业务
美国应用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄准近年来需求高涨的功率半导体及MEMS器件市场，将强化200mm晶圆生产设备相关业务，将来还打算支持功率半导体领域的300mm晶圆及SiC/GaN的生产。AMAT的主力业务归根结底还
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英飞凌连续十年位居功率半导体市场榜首
汽车传感器市场领导者英飞凌科技股份公司（法兰克福股票交易所股票代码：IFX / 美国柜台交易市场股票代码：IFNNY）连续十年位居世界功率半导体市场榜首。这是北美市场研究机构IHS Inc的调查结果。调查显示，在该市场
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英飞凌连续十年位居功率半导体市场榜首，进一步巩固领导地位
英飞凌科技股份公司连续十年位居世界功率半导体市场榜首。这是北美市场研究机构IHS Inc的调查结果。调查显示，在该市场领域，英飞凌强势占据11.8%的市场份额，与去年的12%
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英飞凌连续十年位居功率半导体市场榜首，进一步巩固领导地位
2013年12月24日，汽车传感器市场领导者英飞凌科技股份公司连续十年位居世界功率半导体市场榜首。这是北美市场研究机构IHS Inc的调查结果。调查显示，在该市场领域，英飞凌强势占据11.8%的市场份额，与去年的12%接近。
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尼康强化半导体曝光装置升级业务瞄准功率半导体和三维LSI
尼康将对根据用途升级已售半导体曝光装置的服务进行强化。该公司于2013年春季在开展曝光装置售后业务的子公司Nikon Tec设立了专属组织“售后服务战略室”。将于11月在尼康的台湾子公司Nikon Precision Taiwan（NPT）
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三安LED芯片领导地位加固 有望夺“行业巨擘”
LED半导体照明网讯 三安3季报符合预期，业绩增速显著提升。公司芯片业务继续增长且盈利提高，布局LED应用、光伏电站、功率半导体打开更大空间，未来将打造成基于半导体技术的节能产业巨擘。维持目标价28元，
