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RS瑞森半导体低压MOS在电动车控制器中的应用
瑞森半导体低压MOS-SGT产品，具有参数一致性高、抗冲击能力强等特点，为电动车驾乘提供有力保障
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提高功率器件动态参数测试效率的7个方法
本文介绍了提高功率器件动态参数测试效率的7个方法，希望能够帮助工程师快速完成测试、获得测试结果、提升工作效率、节约时间和精力。
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GaN 功率器件，E-模式 HEMT技术选择介绍和发展情况
最流行的 e-mode HEMT 结构是在栅极上使用 p-GaN 层。实现的典型 Vt 在 1-2 V 范围内。HEMT 在开关应用中的固有优势得以保留，并且开关损耗可以更低。e-mode 器件的主要缺点之一是其低 Vt，这可能导致栅极对噪声和 dV/dt 瞬态的抗扰度较差。出于可靠性原因，最大栅极电压通常限制为 6-7 V，并且可能需要负电压来关闭器件。
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.GaN 功率器件，D 模式 HEMT技术选择介绍
氮化镓 (GaN) 功率器件在几个关键性能指标上都优于硅 (Si)。具有低本征载流子浓度的宽带隙允许更高的临界电场，从而允许在更高的击穿电压下具有降低的特定导通电阻 (Rds on ) 的更薄的漂移层。导通损耗可以通过较低的 Rdson 降低，而动态损耗可以通过GaN可能的更小的裸片尺寸来降低. 当它与铝基异质结构结合时形成二维电子气 (2DEG) 的能力导致了备受青睐的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件。
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RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用
多款低压MOS产品应用在九阳小家电上，瑞森半导体坚持“首件确认，始终如一”的原则，成为众多品牌的长期合作伙伴
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RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白
瑞森半导体研发出耐压更高、导通内阻更低的900V-1500V的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面
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英飞凌的新建工厂计划，扩大功率器件的产能
英飞凌扩展印度尼西亚后端站点以满足汽车 IC 需求 作为其长期投资战略的一部分，德国芯片制造商英飞凌科技表示，它计划扩大其在印度尼西亚巴淡岛的现有后端业务。预计将于 2024 年开始生产。
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高温对电气设备的影响分析，电气设备的热分析
有没有想过人们对电路过热引起的电涌引起的爆炸以及电器损坏甚至火灾的后果的反应?人们在身体、情感和心理上受到创伤的方式促使电力行业的专家将注意力集中在分析电力行为上。这样，可以防止此类损坏，如果可能的话，可以通过适当的热管理消除此类损坏。
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排名前 10 名开关和继电器-继电器器件
与开关一样，继电器也有多种形式，包括通用型、电源型、簧片型以及接触器，它们旨在处理非常高的电流和电压以及固态设备。
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钽电容器的优点和器件最新发展，钽电容产品操作指南
钽电容器为高密度、高性能电子电路的设计人员提供了性能稳定的可靠高电容解决方案。钽电容器历来深受设计工程师的喜爱，广泛用于大容量储能、滤波和去耦等应用。钽电容器技术的进步包括聚合物阴极系统的成熟，这带来了更低的有效串联电阻 (ESR)、封装密度的显着提高以及有效串联电感 (ESL) 的降低。在这里，我们将研究这些发展对绩效的影响。
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RS瑞森半导体在电动工具、锂电保护板上的应用
瑞森RS40N130G型号及低压MOSFET-SGT系列 在电动工具、锂电保护板上的应用
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选择功率 MOSFET 的简单指南
鉴于现在可用的 MOSFET 可供选择的范围很广，并且分配给主板电源的空间越来越小，使用可靠、一致的方法来选择正确的 MOSFET 变得越来越重要。这种方法可以加快开发周期，同时优化特定应用的设计。
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如何在我们的项目中选择合适的 MOSFET 器件
随着为个人计算机 (PC) 应用中的核心 DC-DC 转换器开发的同步降压转换器的开关频率向 1MHz-2MHz 范围移动，MOSFET 损耗变得更高。由于大多数 CPU 需要更高的电流和更低的电压，这一事实变得更加复杂。当我们添加其他控制损耗机制的参数(如电源输入电压和栅极驱动电压)时，我们需要处理更复杂的现象。但这还不是全部，我们还有可能导致损耗显着恶化并因此降低功率转换效率 (ξ) 的次要影响。
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关于氮化镓实际使用的热管理方面讨论
所以，我想说这个概念是完全可扩展的。因此，我们可以为低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或为高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通过简单地重塑设计，它可以扩展到低电压，但这个概念是成立的。这就是我们基本上认为我们已经实现了最初目标的方式。
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多层外延工艺超结MOS在电源中的应用
瑞森超结mos对标英飞凌产品性能，看其在电源中的应用
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英领物联 | 成为“功率器件”的大满贯选手
从碳达峰到碳中和，无疑是需要付出艰苦努力的。对于半导体行业从业者们来说，则意味着一系列与新能源、电子转换、节电相关的技术产品需求会在未来几年内迅速升温。我们有理由相信，面对浩瀚如海洋星辰的物联网产业，通过持续的材料、技术与应用创新，英飞凌将为产业带来更多低碳、高效的互联解决方案。
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我们如何看待未来几年的 GaN?
我们如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的价值呢?我们期望在哪里看到下一波增长?
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氮化镓技术讨论，第二部分
目前有几个 GaN 器件概念。那么你能告诉我哪些是主要的，从设计的角度来看你的发展方向是什么? 所以我想说有很多概念，远不止两个，但不知何故，我们可以谈论极端：所谓的Cascode GaN和所谓的增强模式GaN。由于我的第一家公司，级联 GaN 实际上是第一个诞生的。当功率 GaN 研究的先驱 International Rectifier 首次开始开发基于级联的 GaN 解决方案时，我就在那里。
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氮化镓技术讨论，第一部分
氮化镓提高了功率转换级的效率。GaN 很有吸引力，因为它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量和更便宜的总成本。在剑桥 GaN 器件业务开发副总裁 Andrea Bricconi 的讨论中，我们将分析这个宽带隙生态系统的最新技术，这些技术将推动下一步的改进。
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分析SiC器件的成本竞争力，第四部分
目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直径的基板或 200 毫米。因此，展望未来，重点将放在开发用于扩大碳化硅器件应用的技术上。有分析认为，未来未来，碳化硅解决方案将占据电力电子市场的很大一部分，很大一部分，可以说是电动汽车。那么，我们如何看待它和降低成本的技术对于实现这些市场渗透尤为重要。那么，高价格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施来为下一个市场未来降低价格?
