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分析SiC器件的成本竞争力，第二部分
如我们所知，目前增长最快的碳化硅产品是二极管和 MOSFET。主要碳化硅生产商最近发布的新闻稿强调了一些为电动汽车提供模块的长期合同。
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分析SiC器件的成本竞争力，第一部分
在多个能源行业中，碳化硅 (SiC) 行业正在扩展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多个能源行业扩展以提供极其高效和紧凑的解决方案。由于碳化硅在电动汽车和新能源等领域的重要性，许多公司正在评估和投资晶圆技术。在华威大学 SiC 功率器件教授兼 PGC 咨询公司创始人 Peter Gammon 的访谈中，我们将探讨 SiC 的成本和技术。
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封装、集成和快速切换：已经取得了什么成就，下一步发展是什么？
今天，由于该领域众多公司的研究，功率器件已达到极高的效率水平。优异的成绩是由于不同电子和物理部门的协同作用，它们结合在一起，可以达到最高水平。让我们看看功率器件的封装和集成如何实现非常高的效率，尤其是在高开关速度下，从而积极利用所有可用功率。
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GaN FET：发烧友的首选技术
从智能设备充电器等低功率、低成本应用一直到高功率汽车应用，氮化镓 FET 正成为许多产品的广泛首选。大多数情况下，设计人员对 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而，高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。
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泰克先进半导体开放实验室在北京盛情开幕，提供一站式、全方位测试服务
这是全国首个企业级第三代半导体功率器件测试服务实验室！
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GaN半桥电源集成电路最大限度地提高性能，降低成本
氮化镓是一种具有较大带隙的下一代半导体技术，已成为精密电力电子学发展的关键。它比硅快20×，可以提供高达3×的功率或充电，其尺寸和重量是硅器件的一半。
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GaN HEMT：一些器件特性和应用权衡，第二部分
在电机驱动应用中，功率器件需要承受过载或故障条件，这些条件会造成器件处于高电压和高电流导通状态且器件处于饱和状态。高温会导致灾难性的破坏。功率器件及其栅极驱动器需要协同工作才能关闭器件，之前将 1us 视为正常响应时间。几项关于 GaN HEMT 的研究报告了更短的 SCWT 时间，这被认为是来自高电流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。随着 Vds 升高，SCWT 急剧下降，许多研究表明 Vds ≥ 400V 时小于 500ns。
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博世创业投资公司投资致能科技，加速第三代半导体布局
以高性能GaN器件应对能源管理挑战！
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GaN HEMT：一些器件特性和应用权衡，第一部分
GaN HEMT 器件处于创造新机会以及在广泛的功率转换和功率传输应用中取代现有的硅基设计的最前沿。在本文中，我们将回顾一些更广泛使用的 HEMT 的一些关键器件特性，并尝试强调每个方面的一些权衡。
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第五部分
我的最后一个问题是关于展望未来：您如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了一些关于碳化硅的事情。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的价值?我们期望在哪里看到下一波增长?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第四部分
现在讨论的一个主题是器件的热管理方面，而宽带隙半导体、氮化镓，但不仅是碳化硅解决方案，承诺更高的工作温度和更高的效率。如您所知，在将这些设备设计到系统中时，设计人员还需要考虑热管理问题。那么，您的技术战略是什么，您如何看待随着功率密度的增加而对工艺和封装技术的未来发展产生影响的热管理需求?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第三部分
最新的GaN技术是把逻辑集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量与驱动程序和控制器连接，并且还可以节省成本，因此不需要额外的组件。因此，我们的解决方案可以像 MOSFET 一样被驱动。为什么E-Mode GaN HEMT选择集成逻辑而不是 GaN 驱动器的原因是什么吗?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第二部分
目前有几个 GaN 器件概念。那么，大家能告诉我从设计的角度来看，哪些是主要的，哪些是我们的发展方向?，关于GaN的十件事，有没有你更关注的点?
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TI 通过高精度 ADC 加强工业转换器产品组合
德州仪器 (TI) 扩展了其高速数据转换器系列，新增了八个逐次逼近寄存器 (SAR) 模数转换器 (ADC) 系列，可在工业环境中实现高速数据采集。针对工业系统中的实时控制挑战，ADC3660 SAR ADC 具有 14 位、16 位和 18 位分辨率，采样速度范围为 10 到 125 MSPS，声称可将功耗降低 65%，将延迟降低 80%。竞争设备。
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5G对电容器选择和新器件开发的影响
5G 应用，从手机和基础设施到互联汽车和工业，都需要电容器技术的新进步。 虽然 5G 手机市场对陶瓷电容器的需求量将增长，但为利用 5G 功能而出现的各种嵌入式工业和汽车应用将推动特种组件类型的技术进步。
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注意栅极驱动电源发展
这有点像灰姑娘或丑小鸭的童话故事：多年来，各种类型、大小和速度的处理器都是一般媒体关注的迷人主题以及主要的研发投资。与此同时，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——显然被低估了，并且作为本应乏味的功率利基市场的一部分在背景中萎靡不振。
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用于电气化的下一代 GaN发展，第二部分
在半导体外延材料制造过程中，会产生位错，即材料中的缺陷。半导体中的缺陷越多，可以在晶片上生产的可用器件就越少，这会增加成本。此外，不良的材料界面会导致更高的器件通道电阻，从而导致更多的能量在运行过程中被浪费，从而降低芯片的能效。
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用于电气化的下一代 GaN发展，第一部分
GaN 半导体是未来节能电动汽车和 5G 网络的关键组成部分。总部位于瑞典隆德的初创公司 Hexagem 正在瑞典研究机构RISE 测试平台 ProNano开发一种解决方案，旨在为更大的电气化和可持续的未来做出贡献。
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Transphorm GaN 系统级电源转换解决方案实现了新的性能
最近，我会见了 Transphorm 总裁兼联合创始人 Primit Parikh。Parikh 强调，他们的 GaN on Silicon 解决方案是业内唯一通过 JEDEC 认证的产品。
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用于下一代电动汽车的 SiC MOSFET
电动和混合动力汽车的设计人员致力于提高能量转换效率，这些设备具有紧凑的封装和高热可靠性电力电子模块的组装，并降低了开关损耗。
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