存储器
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长江存储稳步发展 年底提供32层 3D NAND样品 向64层迈进
根据中国媒体的报导，有消息人士指出，紫光集团旗下的长江存储技术公司(YMTC)目前正在规划开发自己的 DRAM 存储器制造技术，而且可能直接进入当今世界最先进的 20/18 纳米的制程中。
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NOR Flash涨价将持续一年 需求旺盛 供货不足是主因
根据市场研究机构集邦咨询(TrendForce)最新研究指出，受到 2017 年搭载 OLED 面板的智能手机数量大幅增加，以及 TDDI 技术所需 NOR Flash 产能提升的带动，加上如美光、兆
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缺货继续 存储还要接着涨价？
虽着近来资料存储的需求飙升，全球存储器制造商产能引发供应瓶颈，正在经历超级周期。包括 NAND Flash 和 DRAM 存储器价格涨幅接近 50% 到 60%，市场报价还在持续上扬。这情况也带动日前连跌落低谷的编码型快闪存储器 (NOR Flash) 触底反弹，涨幅出乎市场预料，且正在加速上涨。
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英特尔推出基于3D XPoint的新型存储驱动器
英特尔公司(Intel Co., INTC)已开始交付根据新技术生产的第一批存储器产品，公司希望该技术能够重塑计算器存储器市场，并让自己从科技领域的数据爆炸中获益更多。
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ISSI十年深耕汽车电子存储器市场
2017年3月13日，在上海慕尼黑电子展的前夕举办了“汽车电子日”，会议现场异常火爆，全国各地的工程师汇聚一堂，共同见证汽车电子的过去，共谋汽车电子发展的未来。其中，ISSI技术市场经理田步严在会上做
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3D DRAM帮助延长DRAM存储器的使用寿命
平面DRAM是内存单元数组与内存逻辑电路分占两侧，3D Super-DRAM则是将内存单元数组堆栈在内存逻辑电路的上方，因此裸晶尺寸会变得比较小，每片晶圆的裸晶产出量也会更多;这意味着3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
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担心对国家安全造成威胁 日本政府或将促成东芝卖给美国企业
编按：这是第几篇关于东芝出售的文章了，其核心就是不想把东芝卖给中国，怕技术外流中国，日本政府觉得美国是最适合的出售选择。国芯当自强呀，希望在未来不长的时间里，中国的高精尖技术能和其他技术强国一样强大。
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怕存储器技术流入中国 鸿海收购东芝无望！
日前日本杂志曾报导，日本经济产业省干部表示，为了避免东芝(Toshiba)半导体技术外流到中国，因此希望东芝半导体事业不要卖给鸿海。而根据日本媒体最新取得的资料显示，东
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华邦电存储器成功打入德国西门子供应链
目前正在冲刺 Nor Flash 产能与制成的利基型存储器厂商华邦电，7 日同时公布 2017 年 2 月份营收，也宣布与德国工业自动化解决方案领导厂商西门子签署客户品质合约，成为西门子的存储器供应商。
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NAND Flash市场最大变数 3D NAND良率
NAND Flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
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东芝 在闪存市场的华丽表演即将落幕
东芝为弥补核能设备事业大幅减损，终于愿意割爱视为核心的芯片事业，也象征日本曾经雄霸记忆芯片的时代，即将画下句点。东芝原本只打算出售记忆芯片少数股价，但在本周公布核能事业减损63亿美元后，东芝社长纲川智改口说，愿意出售主要股权甚至出售整个事业，以补强东芝的财务。
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存储器企业动作不断，存储器行业又到春天？
近期，长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND Flash存储器研发项目取得新进展，向产业化道路迈出关键一步。业内人士表示，国内厂商积极开展存储芯片相关研发和产业化工作，并取得了阶段性进展。政策支持之下，随着技术等逐渐成熟，行业发展将迎来拐点。在此背景下，上市公司纷纷发力拓展存储芯片业务。
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兆易创新投资力度加大 我国存储器顺流而上？
当前，伴随着第五代移动通信、物联网和大数据的快速发展，存储器的需求量迅速增加，存储容量、存取速度、功耗、可靠性和使用寿命等指标要求也越来越高。目前，平面型存储结构在经历了奖金50年的发展后遭遇巨大挑战，无法延续摩尔定律和满足下一步发展需求，存储器的发展进入转型期。
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主导未来存储器市场的新型存储器到底有啥优势
存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动的完成程序或数据的存取。存储器是具有记忆功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。
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在迈出了产业化标志性的一步之后，长江存储3D NAND有啥突破？
在大数据需求驱动下，存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境，开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面临单元间串扰加剧和单字位成本增加等技术瓶颈。寻求存储技术阶跃性的突破和创新，是发展下一代存储器的主流思路。
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为什么存储涨价如此逆天？真正的原因你未必知道！
在整个2016年至少有30家存储厂商出现变动，要么被收购，要么就是消失掉了，这也显示出存储行业翻天覆地的变化。这里也带大家回顾一番。
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新一代STT－MRAM容量要上天了！
被视为次世代存储器技术之一的自旋力矩传输存储器(STT-MRAM)，在2016年12月举办的国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公开了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超过1Gb的产品，以及将STT-MRAM嵌入CMOS逻辑芯片的技术实证。
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3D NAND Flash 自主存储器的出口
受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号，若能整合好跨领域人才和技术，中国3D NAND Flash有望弯道超车。
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拿什么面对你 存储器史上最大需求热潮
据报道，传三星电子于2017~2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。
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DRAM市况走出瓶颈期 中国进军存储器能否顺利
2016年DRAM市场情况可谓是“跌宕起伏”，上半年需求不振，持续跌价，第三季后，在中国智慧行手机出货多，笔电出货回温的前提下，DRAM的平均销售单价开始大幅度上扬。
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