21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出三款内置存储器的第二代转码器——MB86M01、MB86M02和MB86M03。这些新产品都是双向H.264/MPEG-2转码器,既能转换音、视频数据,又能实现视频信号到全高清
IDM厂近几年来没有加码太多后段封测厂投资,但因为黄金价格持续高涨,IDM厂又没有在铜打线设备上有太多产能,所以包括德仪、意法、恩智浦等大厂,已将改为铜打线的低阶封测扩大委外代工,在大陆拥有庞大产能的龙头大
非接触公交IC卡读写器的应用设计
芯片设计的进度经常估不准,连带影响芯片的开发成本、芯片的上市时间、及上市后的销售。许多芯片投制商(ASIC Supplier)会用总项目管理数据库来估算芯片投制设计的进度。同时绝大多数的进度估算都认为,投制设计完成
实现全新存储器使用模型的新型存储器--相变存储器
摩根大通证券针对明年亚洲半导体产业表现出具最新报告指出,全球存储器市场将摆脱今年的营收下滑态势,预估明年营收年成长6%,而面板产业则将持续受到需求不振影响,明年上半年价格难有起色,晶圆代工与封测族群基本
动态随机存取存储器(DRAM)第四季价格持续下跌,存储器封测厂受到客户要求降价,近期已同意本季调降调降封测售价5%到10%,将冲击本季毛利表现。 据了解,由于DRAM价格第三季惨跌,当时存储器厂已提出要存储器封测
动态随机存取存储器(DRAM)第四季价格持续下跌,存储器封测厂受到客户要求降价,近期已同意本季调降调降封测售价5%到10%,将冲击本季毛利表现。 据了解,由于DRAM价格第三季惨跌,当时存储器厂已提出要存储器封测
通过在各像素中形成存储器电路来保持写入的图像数据,实现低耗电——台湾友达光电(AUO)和台湾奇美电子(CMI)两公司展出了“像素存储器”型液晶面板。在像素的驱动元件和存储器电路上采用了低温多晶硅TFT。友达光电
受到大环境影响,今年封测厂商资本支出普遍较去年缩水,日月光、矽品、力成等八家上市柜封测厂今年资本支出缩水近200亿元,和去年相比减幅逾26%。 不过,日月光、矽品及力成等三大封测今年资本支出仍在百亿元之上
存储器封测大厂力成科技(6239)接单再传捷报,拿下美光(Micron)及新帝(SanDisk)NAND快闪存储器封测大单!,加上原大客户东芝加码释单,力成第4季营收可望优于第3季 由于智能型手机、平板计算机、Ultrabook等
嵌入式处理技术领域的发展突飞猛进,基于嵌入式处理技术的微控制器也得到深入发展。近日,德州仪器(TI)宣布推出业界首款超低功耗铁电随机存取存储器(FRAM)16位微控制器,可靠数据录入和射频(RF)通信能力的新时代到来
基于金属氧化物的非挥发性存储器 ──电阻式RAM(RRAM),在11nm节点前不可能进入市场;在此之前,堆叠式浮闸NAND闪存相对较具潜力,而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合芯片发展,IMEC研究所存储器研究专案总监Laith
DRAM厂南科、华亚科、力晶第三季财报昨(19)日出炉,单季税后净损合计达256.48亿元,前三季共亏损570.1亿元。南科、华亚科前三季亏损创成立以来同期新高,南科第三季末每股净值更「拉警报」,仅剩0.94元,将透过私募
晶圆制造服务公司宏力半导体与嵌入式非挥发性存储器(embedded non-volatile memory, eNVM)厂商力旺电子共同宣布,双方透过共享资源设计平台,进一步扩大合作范围,开发多元嵌入式非挥发性存储器解决方案。力旺电子独
据美国物理学家组织网近日报道,美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM),其将比现在的商用存储设备更快捷,且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会
晶圆制造服务公司宏力半导体与嵌入式非挥发性存储器(embedded non-volatile memory, eNVM)厂商力旺电子共同宣布,双方透过共享资源设计平台,进一步扩大合作范围,开发多元嵌入式非挥发性存储器解决方案。力旺电子独
晶圆制造服务公司宏力半导体与嵌入式非挥发性存储器(embedded non-volatile memory, eNVM)厂商力旺电子共同宣布,双方透过共享资源设计平台,进一步扩大合作范围,开发多元嵌入式非挥发性存储器解决方案。力旺电子独
晶圆制造服务公司宏力半导体与嵌入式非挥发性存储器(embedded non-volatile memory, eNVM)厂商力旺电子共同宣布,双方透过共享资源设计平台,进一步扩大合作范围,开发多元嵌入式非挥发性存储器解决方案。力旺电子独
惠普实验室资深院士Stan Williams声称,该公司自2008年开始研发,基于“忆阻器”技术的两端点、非挥发性存储器技术,可望在未来18个月内投入市场,甚至取代闪存。“我们有很多相关计划,也正和Hynix半