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联电宣布完成12V高压eFlash制程验证
联华电子(UMC，以下简称联电)宣布，已顺利验证晶圆代工业界首个结合12V解决方案的高压嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程。此制程可将中大尺寸之触控IC所需的驱动高压，以及存放演算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度
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推动微纳米技术的创新与产业化
物联网的发展已经是大势所趋，并将给人类生活带来巨大的变革。而近年来微纳米技术的发展也成为了人们关注的焦点，微纳米技术已经发展到什么程度，接下来将会如何发展，如何适应物联网发展时代背景，让业内人士十分关
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和舰科技 领航中国集成电路工业
和舰科技(苏州)有限公司坐落于驰名中外的苏州工业园区，是一家具有雄厚外资、制造尖端集成电路的一流晶圆专工企业。第一座8英寸晶圆厂于2003年5月正式投产，总投资超过12亿美元，最大月产量可达6万片。目前和舰是国内
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中芯国际: 推出EEPROM平台
上海2012年9月19日电 /美通社/ -- 中芯国际[0.29 0.00%]集成电路制造有限公司（"中芯国际"，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所代码：981），中国最大的和最先进的半导体代工厂，今天宣布推出其1.2伏（V）低功耗嵌
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电感式传感器特点及分类
接近开关(电感式)具有以下特点：（1）结构简单，传感器无活动电触点，因此工作可靠寿命长。（2）灵敏度和分辨力高，能测出微米的位移变化。传感器的输出信号强，电压灵敏度一般每毫米的位移可达数百毫伏的输出。（3）
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中国IC设计的主流将是什么？
从芯片数量看当前，从世界范围来看，往先进工艺节点移动的势头是很强大的。因为各大晶圆厂在28nm、20nm的投入巨大，将来产能成熟后，预计产能会很大。其成本的诱因是非常大的，使客户有很大的动力向28、20nm移动。如
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显微镜下才能欣赏的微雕，仅红细胞大小
艺术有时让人觉得很亲切，有时候让人觉得很奇妙，有时候让会让人惊叹到说不出话来。但艺术美是共通的，还能够感染大家，让大家感受到什么是美。微型雕塑家，无疑是从事艺术事业中较为独特的一个群体。因为他们的雕刻
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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计（二）
3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下：主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而
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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计
1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一，其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关，随着IC工艺技术的进一步发展，特征尺寸越来越小，管子的栅氧层厚度越来越
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超细线蚀刻工艺技术介绍
超细线蚀刻工艺技术介绍目前，集成度呈越来越高的趋势，许多公司纷纷开始SOC技术，但SOC并不能解决所有系统集成的问题，因此在封装研究中心（PRC）以及许多其它研究机构，均将系统封装（SOP或称SiP）视为SOC解决方案
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张忠谋台积电：28nm营收三级跳
台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，由于使用者对于诸如智慧型手机或平板电脑等行动装置产品的功耗与效能要求日益严苛，因此促使28nm制程的需求量有增无减;台积电透过中科十五厂产能调节后，已可较上半年提供客户更多
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张忠谋：台积电的28nm营收三级跳
台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，由于使用者对于诸如智慧型手机或平板电脑等行动装置产品的功耗与效能要求日益严苛，因此促使28nm制程的需求量有增无减；台积电透过中科十五厂产能调节后，已可较上半年提供客户更
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张忠谋台积电：28nm营收三级跳
台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，由于使用者对于诸如智慧型手机或平板电脑等行动装置产品的功耗与效能要求日益严苛，因此促使28nm制程的需求量有增无减；台积电透过中科十五厂产能调节后，已可较上半年提供客户更
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台积电张忠谋:28nm营收三级跳
台积电28奈米(nm)制程代工营收再创佳绩。在中科十五厂产能调节挹注下，台积电28奈米供货不足问题已获得有效解决，并已开始带动出货量持续向上，预计下半年该产品线可占该公司晶圆销售营收逾20%。 台积电董事长暨总执
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专访台积电董事长张忠谋台积电28奈米营收三级跳
台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，由于使用者对于诸如智慧型手机或平板电脑等行动装置产品的功耗与效能要求日益严苛，因此促使28奈米制程的需求量有增无减；台积电透过中科十五厂产能调节后，已可较上半年提供客户
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宏力半导体成功开发0.13微米嵌入式EEPROM模块
中国上海，2012年7月30日-上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)，专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块(具有单字节擦写能力)。宏力半导体先进的
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宏力半导体成功开发0.13微米嵌入式EEPROM模块
中国上海，2012年7月30日-上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)，专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块(具有单字节擦写能力)。宏力半导体先进的
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宏力半导体推出0.13微米嵌入式EEPROM模块
上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”）宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块（具有单字节擦写能力）。 宏力半导体先进的0.13微米嵌入式非挥发性存储技术，第一次在0.13微米1.5伏低漏电
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宏力半导体成功开发0.13微米嵌入式EEPROM模块
中国上海，2012年7月30日-上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)，专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块(具有单字节擦写能力)。宏力半
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宏力半导体成功开发0.13微米嵌入式EEPROM模块
中国上海，2012年7月30日－上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”），专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块（具有单字节擦写能力）。宏力半导体先
