和舰科技、常忆科技与晶心科技于日前共同推动MCU解决方案,为MCU集成电路设计业者提供在0.18微米工艺上易于集成的32位微控制器,添加嵌入式闪存硅智财的整体组合、以及一条龙晶圆代工解决方案。此次和舰科技、常忆科
(苏州)和舰科技、常忆科技及晶心科技于日前共同推动MCU解决方案,为MCU集成电路设计业者提供了在0.18微米工艺上,易于集成的32位微控制器添加嵌入式闪存硅智财的整体组合及一条龙晶圆代工解决方案。和舰科技是位于中
和舰科技、常忆科技及晶心科技于日前共同推动MCU解决方案,为MCU 集成电路设计业者提供了在0.18微米工艺上,易于集成的32位微控制器添加嵌入式闪存硅智财的整体组合及一条龙晶圆代工解决方案。和舰科技是位于中国苏
晶圆代工厂联电(2303)昨(29)日宣布,推出A+制程技术解决方案,持续推升8寸晶圆制造能力,联电成为业界唯一在8寸晶圆厂中,提供最完整的0.11微米后段全铝A+技术平台的晶圆代工厂。 联电表示,A+制程技术解决方
大量的研究表明,硫在高容量电池中是一种很有前途的负极材料,并且价格低廉,对环境影响小。但硫的导电性能差,硫化物在电解质溶液中的溶解性以及放电过程中的体积膨胀使得硫电池的使用寿命短,能源利用率低。斯坦福
近日,美国斯皮策望远镜公布了深度灰尘星云红外图像,该星云是著名的梅西尔78星云,它看上去犹如摇滚巨星佩戴的一副绿色墨镜。两个圆形绿色星云在太空环绕的暗色灰尘云中形成“空腔”。这些延伸的灰尘星云非常黑暗,
超纯水机对人们生活饮用水质量进行着把关,如果维护不当,很容易产生问题。水质差、日常不注重清洗维护会加重缩短超纯水器的使用期。在超纯水器的水箱及RO膜表面极易产生菌膜,菌膜会使纯水器的运转出现问题,如造成
1994年初日本光电子产业技术振兴协会公布了日本激光-光电子产业1992-1993年的产值,这里只介绍1993年的情况。1993年日本光电产业预测产值为37850亿日元(若以110日本:1美元计算,则应为344亿美元),比1992年的3506
中国大陆近来积极发展本土高世代面板生产线,相关TFT关键零组件材料之产品技术开发,亦陆续启动。据指出,中国南洋科技已经与韩国闵泳福、金重锡协商,将于浙江省台州经济开发区,共同投资设立光学膜合资公司,主要将
如果把美芯比作长跑选手,那么他已经度过了最难克服的极点。目前美芯的销售额已经达到了一个足以支撑公司健康成长的数字,而成功的决窍在于掌握了正确的方法。“并不是我游得比那些退役的专业运动员更快,而是我采用
连于慧/台北 嵌入式非挥发性记忆体(embedded Non-Volatile Memory;eNVM) IP供应商力旺17日指出,将扩大与宏力半导体合作,旗下关键技术单次可程式(One Time Programmable;OTP)和多次可程式(Multi Time Programmab
据美国物理学家组织网报道,美国波士顿儿童医院和麻省理工学院工程与材料专家通过纳米技术,用微细的金线制成了一种心脏补丁,大大提高了现有心脏补丁的导电性,其上的所有心肌细胞都能跳动。研究人员希望这种补丁
联电(2303)宣布,与亿而得微电子的共同开发专案已成功,将推出晶圆专工业界面积最小的MTP非挥发性存储器IP解决方案。0.18微米制程预期将于今年下半年进入量产。 联电表示,此一解决方案将使客户得以于单一芯片上嵌入
人们对于电子产品的追求似乎只有两个关键字“轻薄”,恨不得一个手机“全副武装”,配备所有的功能—如果可以,就像那部关于苹果主宰世界的视频里一样,能在iPad上煎个蛋也不错。 这个要求让那些生产电子产品的公司们
中国顶尖设计公司已经采用28纳米尖端技术开发芯片,而本地9.2%无晶圆厂半导体公司亦采用先进的45纳米或以下的工艺技术进行设计及大规模量产。这是昨日记者从环球资源“中国IC设计公司成就奖颁奖典礼”上获得的信息。
Global Sources旗下企业联盟 eMedia Asia Limited 出版的电子设计刊物《电子工程专辑》(EE Times-China) 近日公布了“第十届中国 IC 设计公司调查”的结果。调查显示,中国顶尖 IC 设计公司已经采用了 28 纳米尖端技
环球资源 Global Sources (NASDAQ: GSOL) 旗下企业联盟 eMedia Asia Limited 出版的电子设计刊物《电子工程专辑》(EE Times-China) 近日公布了“第十届中国 IC 设计公司调查”的结果。调查显示,中国顶尖 IC 设计公
晶圆代工大厂联电(2303)昨(30)日宣布推出嵌入式可电删可编程唯读存储器(eEEPROM)新制程,技术研发上也有突破性进展,联电将推出I/O电压范围为1.8V至5V,写入抹除耐久性为100万次的解决方案,嵌入式eEEPROM可应
因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程,编程后的数据能长时间保存,且在编程时需要流过mA级以上的电流,所以只读存储器编程时通常采用外加编程高压,内部的电荷泵。在设计此类电荷泵时,击穿电压和体效应的影响
1英尺=12英寸1英寸inch=1000密尔mil1mil=25.4um1mil=1000uin mil密耳有时也成英丝1um=40uin(有些公司称微英寸为麦,其实是微英寸)1OZ=28.35克/平方英尺=35微米H=18微米4mil/4mil=0.1mm/0.1mm线宽线距1ASD=1安培/平