晶体管

全石墨烯集成电路架构制成 用于制造柔性透明设备

据物理学家组织网近日报道，美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内，晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项最新研究将有助于科学家们制造

石墨烯量子晶体管或可用于医疗电子领域

在基因组测序技术领域，科学家在不断追求速度更快、成本更低的方法和设备。最近，美国伊利诺斯大学厄本那—香槟分校最近开发出了一种新奇的方法：把石墨烯纳米带(GNR)夹在两层有纳米孔(内径约1纳米)的固体膜中间

全石墨烯集成电路架构制成 用于制造柔性透明设备

据物理学家组织网近日报道，美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内，晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项最新研究将有助于科学家们制造

石墨烯量子晶体管可用作DNA感测器

在基因组测序技术领域，科学家在不断追求速度更快、成本更低的方法和设备。据物理学家组织网10月30日报道，最近，美国伊利诺斯大学厄本那—香槟分校最近开发出了一种新奇的方法：把石墨烯纳米带（GNR）夹在两层有纳米

恩智浦推出首款采用1.1-mm2无铅塑料封装的3 A晶体管

高Ptot MOSFET和双极性晶体管具有很低的RDson和VCesat基准值，适用于空间受限应用中的电源管理和负载开关恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分

恩智浦推出首款采用1.1-mm²无铅塑料封装的3 A晶体管

高Ptot MOSFET和双极性晶体管具有很低的RDson和VCesat基准值，适用于空间受限应用中的电源管理和负载开关21ic讯 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.

英特尔将为Altera代工晶体管数超40亿的64位ARM SoC

上个月，我们报道过英特尔将为Altera代工64位四核ARM芯片的消息，自此该公司开始了x86和ARM"两手抓"的历程。至于这么做的原因，或许是新任CEO Brian Krzanich想要让代工业务更加迅速地扩张，以规避自家芯片需求下降所

CNT晶体管加速 碳纳米管计算机初见端倪

使用单层碳纳米管（CNT）作为半导体材料的CNT晶体管终于迎来了开发加速的时期，并出现了在芯片上集成CNT晶体管，将其作为初级计算机试制系统的尝试。美国斯坦福大学电子工程学、计算机科学副教授萨巴辛·米特拉（Sub

用低压晶体管构成的250V高压稳压电路图

恩智浦半导体推业界最小双晶体管DFN1010

元器件交易网讯 10月30日消息，据外媒Electronicsweekly报道，恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出最小尺寸单、双芯片封装双晶体管DFN1010，采用可用的1.1mm x 1mm x 0.37mm DFN塑料SMD最小封装；扩大

爱思强在二维纳米材料项目中占据重要地位

核心提示：石墨烯有潜力彻底改变触摸屏、照明及高速晶体管等应用中的电子元件。在科学与产业领域，研究人员正在进一步研发与石墨烯的分层结构相似的二维(2D)材料，即过渡金属硫化物 (TMDs)。

如何测量ULN2003的输出电压？

如何测量ULN2003的输出电压？ULN2003是七重晶体管达林顿输出阵列，是集电极开路输出。输出状态为饱和和截止两种状态。要测量ULN2003的输出电压，得在ULN2003的输出口上接负载，负载一端接在ULN2003的输出口上，负载的

名为单PN结的新型基础电子器件已研发成功

众所周知，晶体管要分成多种类型。其中，MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态，所以在一

科尔皮兹振荡器电路图

PNP型双极晶体管的偏置是由电阻分压器网络R1/R2。振荡晶体管的集电极一直保持电容C5的交流接地，C5非常靠近晶体管的位置。反馈是由电容分压器C2/C3提供的。

用于汞电池的晶控振荡器电路图

该电路是由一个单节1.35V汞电池供电的，提供1V的方波输出。如图所示，共射级装置中的晶体管是位于晶体管Q1和Q2之间的调谐电路。R提供的正反馈会导致振荡的发生。Q2的集电极型号被Q3调节成了正方形，在中断和饱和之间

高频晶体振荡器电路图

一个MECL 10K的晶体振荡器和一个MECL III倍频器可组合成一个高速振荡器，具体如图所示。MC10101的一部分作为一个100MHz的晶体振荡器和晶体管在反馈回路中串联。液晶振荡电路可调谐晶体管100MHz的谐波，也可用来校准电

SOI技术高峰论坛盛大召开 业界专家共议未来发展趋势

为了有效利用SOI技术的独特优势并降低应用门槛，国际SOI产业联盟、中科院上海微系统与信息技术研究所与芯原股份有限公司在上海成功举办了“SOI技术高峰论坛”。本次论坛的与会单位包括IBM、ST、Soitec、SunEdison、S

科大科研团队下一代集成电路材料效能快10倍 省电90%

智能手机功能多又方便，但用电却很快。科大科研团队最近研制出“高性能晶体管”，可成为电子产品内下一代集成电路材料，比现时矽基底集成电路传递电子讯息快十倍，用电却可减省九成，料快可面世，用于手机和平板电脑

晶体管和场效应管组成的高增益放大器

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晶体管稳压电路

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