晶体管
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FinFET新技术对半导体制造产业的影响
FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类
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FinFET新技术对半导体制造产业的影响
FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类
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FinFET新技术对半导体制造产业的影响
FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成
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台湾半导体行业利润微薄挣扎生存
台北——日月光半导体制造股份有限公司(AdvancedSemiconductorEngineering)首席运营官吴田玉遇到了一个问题：台湾最优秀的年轻人不愿意投身本岛的标志性行业，也就是芯片制造。吴田玉在一次采访中说，“所有的大学毕
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台积电16纳米 跨大步
台积电（2330）16纳米制程打集体战再迈大步，昨（17）日宣布为16纳米FinFET（鳍式场效晶体管）等先进制程架构的开放创新平台（OIP）提供三套制程设计，协助客户快速导入这项新制程。 台积电研究发展副总经理侯永清指
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台积电推16纳米鳍式参考设计
晶圆代工龙头台积电（2330）昨（17）日宣布，在开放创新平台（OIP）架构下成功推出三套全新经过矽晶验证的参考流程，协助客户实现16纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程系统单芯片与三维芯片（3D IC）堆叠封装设计，电
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晶体管开关电路的加速电容器
饱和开关的问题点：OFF延时时间如图1所示，使场效应晶体管开关动作时，加给晶体管的基极电流IB：是IB=IC/hFE，决定的值大的电流。这是由于晶体管的集电极一发射极饱和电压V
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用自置偏电路以实现稳定的光电晶体管受光电路
用自置偏电路以实现稳定的光电晶体管受光电路
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应材：移动装置主导未来市场
全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁暨台湾区总经理余定陆昨（5）日表示，2013年行动装置正以强大成长力道主导未来科技市场，也带动半导体厂的制程升级及产能投资，其中，晶圆代工厂及NANDFlash厂的制程升级，将
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ULN2003有什么作用？
ULN2003是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品，具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点，适应于各类要求高速大功率驱动的系统。ULN2003A由7组达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及钳位二极管
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应材：移动装置主导未来市场
全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁暨台湾区总经理余定陆昨（5）日表示，2013年行动装置正以强大成长力道主导未来科技市场，也带动半导体厂的制程升级及产能投资，其中，晶圆代工厂及NANDFlash厂的制程升级，将
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H桥为LED照明铺新路
H桥是一种以用户定义方式驱动直流电机的经典电路，如正/反方向或通过四个分立/集成开关或机电继电器的PWM辅助控制的RPM。它广泛应用于机器与功率电子中。本设计实例是该技术
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使用逆变器的晶体管单稳电路图
电路图将CD4049三重逆变器的所有的三个部分和串联谐振晶体连接。电源电压的范围是3-15V。紧凑低功率便携式射频振荡器的电池消耗很低。
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如何使用氮化镓器件：引进氮化镓晶体管技术
本文是专为功率系统设计工程师及工程经理而设的连载文章的第一章。我们在未来数个月将介绍应用于电源转换的氮化镓技术，并讨论其基本设计及辅以应用范例。硅器件已称王多时
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东芝为开关电源推出800V双极晶体管
有助于降低移动设备的待机功耗21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布，该公司已经为移动设备的开关电源推出了一款有助于降低待机功耗的800V双极晶体管。批量生产
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LED照明封装技术掀起革命
【导读】所谓2.5D是将多颗主动IC并排放到被动的硅中介层上，因为硅中介层是被动硅片，中间没有晶体管，不存在TSV应力以及散热问题。 摘要： 所谓2.5D是将多颗主动IC并排放到被动的硅中介层上，因为硅中介层是被动
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直接耦合的非稳态电路图
两个射极偏置晶体管的集电极和基极是直接互相耦合的。每个发射电路的电容控制转换功能。发射极会产生三角波。两个晶体管都不可能永远保持断电的状态。相反的，电路有两个固定的状态，通过在这些状态之间电容的充电和
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布满传感器的透明塑料薄片，可作为医学植入器
日本科学家研制出一种可作为假肢和机器人的“感官皮肤”，一种布满传感器的透明塑料薄片可作为医学植入器。这项技术旨在研制新型生物医学传感器，使佩戴者没有不舒适的感觉。它还可以在无压状态下测量体温和心率，这
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中国半浮栅晶体管横空出世 应避免被国外赶超
8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。这是我国科学家在该顶级学
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中国半浮栅晶体管横空出世 应避免被国外赶超
8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。这是我国科学家在该顶级学
