近日消息,美国科学家表示,他们发现普通磁铁矿内的电子开关一次仅需万亿分之一秒,这一速度或许创下了新高。发表在今天出版的《自然·材料学》杂志的最新研究将有助于科学家们研制出更“迷你”的晶
据英国新科学家杂志报道,一种布满传感器的透明塑料薄片可作为医学植入器,其结构非常微妙,不会引起人们的刻意关注,或者它可作为假肢和机器人的“感官皮肤”。日本东京大学材料科学家染矢高雄(Takao Som
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)开发出全球首款掩膜式只读存储器(MROM)单元,以提供更好的单元电流特性,并且单元尺寸不会增加。这一进展是通过采用多层单元结构实现的,该结构还可以保证高速运转。详细信息将
台湾联华电子(UMC)和美国SuVolta于2013年7月23日宣布,将共同开发28nm CMOS工艺技术(英文发布资料)。将把SuVolta独自开发的工艺技术“Deeply Depleted Channel(DDC)”嵌入到联华电子基于28nm高介电率(high-k)
甲类功放(A类功放)输出级中两个(或两组)晶体管永远处于导电状态,也就是说不管有无讯号输入它们都保持传导电流,并使这两个电流等于交流电的峰值,这时交流在最大讯号情
电视机维修电源电路 电路工作原理:该电源由电源变压器提供两组互相独立的交流电源,分别送至两组互相独立的整流稳压电路,可以同时输出+12V和+90~120V,A、B两组直流电
联华电子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 与SuVolta公司,日前宣布联合开发28纳米工艺。该项工艺将SuVolta的Deeply Depleted Channel™ (DDC)晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate(HKMG)高效
这里是全晶体管逆变器,可以驱动60W负载的电路图。晶体管Q1和Q2形成一个50Hz的无稳态多谐振荡器。Q2的集电极的输出连接到输入的达林顿对形成由Q3和Q1的输出Q4.Similarly的输
HL402的内部结构及工作原理图
具有退饱和保护的抗过饱和功能删除电路原理图
用UC3634控制单相无刷直流电动机
用PNP和NPN晶体管的电动机驱动电路
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出ZXTR2000系列高压稳压器,把晶体管、Zener二极管及电阻器集成到一个标准SOT89封装,通过减少器件数量和占位面积,提升电路的
新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要。应用材料公司在Applied Centura RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保持其在外延技术方面十年来的领先
加州理工大学的一组工程师表示,他们现在可以憧憬这样的智能手机和电脑芯片:它们不仅能自我防护,还能自我修复,那样就算遇到了麻烦(比如晶体管彻底失效),也能在短短几微秒内恢复如初。 科学家们声称,他们利用高
新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要 应用材料公司在Applied Centura RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保持其在外延技术方面十年来的领
新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要 应用材料公司在Applied Centura RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保持其在外延技术方面十年来的领
概述功率电子电路大多要求具有大电流输出能力,以便于驱动各种类型的负载。功率驱动电路是功率电子设备输出电路的一个重要组成部分。输入回路的电阻有差别,ULN2003是2.7k,ULN2004是10.5k。灵敏度也有差别,简单讲2003
据物理学家组织网7月4日报道,美国麻省理工学院(MIT)电子研究实验室(RLE)、哈佛大学以及奥地利维也纳技术大学的科学家们在最新一期《科学》杂志撰文指出,他们研制出了一种由单个光子控制的全光开关,新的全光晶体管
近日消息,美国麻省理工学院(MIT)电子研究实验室(RLE)、哈佛大学以及奥地利维也纳技术大学的科学家们在最新一期《科学》杂志撰文指出,他们研制出了一种由单个光子控制的全光开关,新的全光晶体管有望让传统计算机和