晶体管
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开启电子设备新时代 美制造出不适用半导体的晶体管
据国外媒体报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。几十年来，电子设备变得越来越小，科学家们现已能将数百
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美首次制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。几十年来，电子设备变得越来越小，科学家
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美首次制造出不使用半导体的晶体管
据报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。几十年来，电子设备变得越来越小，科学家们现已能将数百万个半导
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联电完成14nm制程FinFET结构晶体管芯片流片
在Synopsys 的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现
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新材料将令芯片更小 硅时代进入倒计时
硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材
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联电完成14nm制程FinFET结构晶体管芯片流片
在Synopsys的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这
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联电完成14nm制程FinFET结构晶体管芯片流片
在Synopsys 的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现
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III-V族化合物或将在2017年取代硅
加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热门替代材料包括锗和半导体
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联电完成14nm制程FinFET结构晶体管芯片流片
在Synopsys 的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现
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伊利诺伊大学研发新型微电池
微电池是指由同一钢筋提供阴极和阳极的锈蚀电池，阳极为钢筋未生锈部分，阴极为钢筋上铁的氧化物，微型电池中应用最普遍、用量最大的是纽扣式锌－氧化银电池。随着电子元件的小型化，特别是晶体管和集成电路的出现而
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美科学家制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。几十年来，电子设备变得越来越小，科学家
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新材料将令芯片更小 硅时代进入倒计时
硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材
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新材料将令芯片更小 硅时代进入倒计时
硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材
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属于硅芯片天下的日子屈指可数了
加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热门替代材料包括锗和半导体
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属于硅的日子屈指可数
加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料
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自开关电源电路图
所提出的稳压电源电路的主要特征之一是，虽然固定电压稳压器LM7805的电路中使用时，其输出电压是可变的。这是通过连接一个公共端子稳压器IC和地面之间的电位。对于每一个10
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电阻封装形式
电阻的封装电阻的PCB封装常用的有：RES1，RES2，RES3，RES4;封装属性为axial系列电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4贴片电阻的封装0603表
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一款晶体管光电控制器电路
一款晶体管光电控制器电路
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东芝开发全球首款多层单元结构MROM单元
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布开发全球首款掩膜式只读存储器(MROM)单元，以提供更好的单元电流特性，并且单元尺寸不会增加。这一进展是通过采用多层单元结构实现的，该结构还可以保证高速运转。详细
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抗辐射晶体管3DK9DRH的贮存失效分析
摘要：为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH贮存失效的原因，利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体管3DK9DRH的一种贮存失效分析。结果表明晶体管存在工艺问题，内部未进行水汽控
