晶体管
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间歇振荡器工作原理
间歇振荡器工作原理 在图8 - 9(a)中, 晶体管工作于共发射极方式, 其集电极电压通过变压器T反馈回基极, 而变压器绕组的接法应实现正反馈。 当电路一接通, 立即产生强烈的自激振荡, 晶体管迅速进入饱和工作区, 集电极
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恩智浦推出超高频晶体管BLF888A
恩智浦半导体NXP Semiconductors今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470 - 860MHz完整超高频带DVB-T信号
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法机构将于明年9月启动基于20nm FDSOI的300mm多项目晶片研究计划
法国两家半导体研究机构CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他们将在一项定于明年9月份启动的300mm多项目晶片研究计划中采用基于20nm制程的全耗尽型SOI工艺制作这种芯片。这次 多项目晶片研究计划是由欧洲一
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120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管（恩智浦）
恩智浦半导体宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470 - 860MHz完整超高频带DVB-T信号，平均输出功率120W，效
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与非门组成晶体管速测器电路图
图中所示是用CMOS反相器组成的晶体管速测器.CMOS电路采用J330,该电路在设计上考虑到要驱动TTL门电路,故输出电流可达10MA以上.该晶体管速测器既可测晶体管的好坏,还可自动指示出晶体管的类型,基极位置或二极管的极性等
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116 A闸流晶体管控制电路
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晶体管存贮时间测试电路
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光电隔离器驱动 1A 晶体管集成电路
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台积电宣布已开发出22/20nm Finfet双门立体晶体管制程
据electronicsweekly网站报道，台积电公司近日宣称已经开发出一套采用Finfet双门立体晶体管技术制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已经采用这种制程造出了面积仅0.1平方微米的SRAM单元(内含6个CMOS微晶体管)，据称这种
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非一般的晶体管
“一个蝴蝶可以刮起一阵风，一个士兵可以开始一场战争”，那么一项伟大的发明呢？1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。于是乎，大名鼎鼎的、
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低噪声放大器的设计与仿真
论述了在射频电路仿真软件ADS中实现低噪声放大器的整个设计过程，包括低噪声放大器的晶体管的选取、输入输出匹配网络设计以及实现形式等。结合版图与系统结构框图，论述该设计的微调小岛与扇形开路支节等结构应用，同时指出结构尺寸设计的理论依据。最终以图形方式给出满足指标要求的设计结果。
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人造皮肤可感知触摸 用于制造有触摸功能机器人
据9月12日出版的《自然·材料》杂志报道，两个独立的美国研究小组近日以不同方法分别研发出了可感知轻微触摸的人造皮肤。新的人造皮肤最终可用于制作假肢或具有触摸功能的机器人。 这两种系统均可检测到低于1千帕斯卡
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美Rice大学研发出存储器芯片新技术
美国Rice大学宣布研发出全球第1个仅需两个端点的存储器芯片技术，并可使用最普通的矽原料。此技术除可容易应用至现有的半导体制程外，更可望帮助摩尔定律(Moore’s Law)继续延伸。Rice 大学化学教授James Tour及
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采用压电振荡器的白光LED供能方法
接收单电池供电的LED驱动器正受到广泛关注。为由低电压电源产生能够点亮白光LED的高电压，主要需要某种电子振荡器，最简单的为压电蜂鸣 器。压电转换器特殊地用于振荡器和驱动白光LED(图1)。压电模片或弯曲板组成压电
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利用Virtex-5 FPGA实现最低功耗解决方案
过渡至65纳米工艺的FPGA具备采用更小尺寸工艺所带来的优势：低成本、高性能和更强的逻辑能力。尽管这些优势能够为高级系统设计带来激动人心的机会，但65纳米工艺节点本身也带来了新的挑战。例如，在为产品选择FPGA时
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阮华德：未来半导体发展已无法依循摩尔定律
近来在半导体制程微缩的进展速度逐渐趋缓下，观察未来的产业走势，明导国际(MentorGraphics)董事兼执行总裁阮华德(WaldenC.Rhines)表示，未来10年内，制程微缩将遇到经济效益上的考虑，半导体产业将不再完全依循摩尔
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阮华德：未来半导体发展已无法依循摩尔定律
近来在半导体制程微缩的进展速度逐渐趋缓下，观察未来的产业走势，明导国际(Mentor Graphics)董事兼执行总裁阮华德(Walden C. Rhines)表示，未来10年内，制程微缩将遇到经济效益上的考虑，半导体产业将不再完全依循摩
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利用Virtex-5 FPGA实现最低功耗解决方案
过渡至65纳米工艺的FPGA具备采用更小尺寸工艺所带来的优势：低成本、高性能和更强的逻辑能力。尽管这些优势能够为高级系统设计带来激动人心的机会，但65纳米工艺节点本身也带来了新的挑战。例如，在为产品选择FPGA时
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支持三维构造及30:1纵横比AMAT发布用于20nm工艺以后的CVD技术
美国应用材料公司（AMAT）发布了支持20nm工艺以后的存储器及逻辑IC的新CVD技术“Eterna FCVD（Flowable CVD）”。在20nm以后的工艺中，即使采用与目前相同的存储器单元构造和晶体管构造，随着微细化的发展，隔离元件
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新型纳米晶体管可直接探测细胞内部
据美国物理学家组织网、英国《自然》杂志网站8月12日报道，美国哈佛大学化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管，外膜覆有一层磷脂双分子层，能非常容易地进入细胞内部进行检测，而不会对细胞造成任何可见
