晶体管

应用材料公司拓展RFPVD技术实现22纳米晶体管触点制造

近日，应用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系统的应用组合，实现了镍铂合金（NiPt）的沉积，将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键，但

Finfet+平面型架构混合体：传Intel近期将公布22nm节点制程工艺细节

据消息来源透露，Intel公司近期可能会公开其22nm制程工艺的部分技术细节，据称Intel的22nm制程工艺的SRAM部分将采用FinFET垂 直型晶体管结构，而逻辑电路部分则仍采用传统的平面型晶体管结构。消息来源还称Intel&ldq

传Intel近期将公布22nm节点制程工艺细节

据消息来源透露，Intel公司近期可能会公开其22nm制程工艺的部分技术细节，据称Intel的22nm制程工艺的SRAM部分将采用FinFET垂 直型晶体管结构，而逻辑电路部分则仍采用传统的平面型晶体管结构。消息来源还称Intel“很

应用材料发布突破性的3D晶体管技术

应用材料公司日前发布新的Applied Centura Conforma系统，采用突破性的投影等离子体掺杂技术（ConformalPlasma Doping），可实现先进的用于下一代逻辑和存储芯片的3D晶体管结构。

Applied Materials发布突破性的3D晶体管技术

Applied Materials日前发布新的Applied Centura ConformaTM系统，采用突破性的投影等离子体掺杂技术（Conformal Plasma Doping），可实现先进的用于下一代逻辑和存储芯片的3D晶体管结构。Applied Materials Unveils

功率MOSFET雪崩击穿问题分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在

采用晶体管的稳压稳流型直流电源电路图

新型功率器件MCT关断模型的研究

摘要：介绍了新型功率器件MCT（MOS控制晶闸管）的基本结构，工作原理。详细地探讨了MCT在关断情况下的建模，采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系，并利用MATLAB/Simulink仿真证明了结论的

采用晶体管的稳压稳流型直流电源电路图

四晶体管组倍增幅度器调制电路

节能成为芯片厂商未来发展的重中之重

最新一代的图形处理器集成了30亿个晶体管，耗能约为200瓦。这个数字确实令人印象深刻--迄今为止你可以想象人类的大脑就等同于一万亿个晶体管，耗能仅为20瓦，远远低于点亮一个电灯泡的能耗。半导体制造商希望在他们应

中国将用龙芯代替美制x86芯片

中国的超级电脑将用自主研制的龙芯代替美国设计的x86芯片和GPU协同处理器。在本周IEEE举行的国际固态电路会议上，龙芯首席设计师胡伟武介绍了龙芯的最新发展计划。中国于2002年起投资50亿美元开发龙芯处理器，32位的

晶体管多路控制有线对讲机

ISSCC：平面型体硅技术仍将是22/20nm节点主流

经过一轮唇枪舌剑之后，大牌芯片厂商们终于对逻辑芯片产品22/20nm节点制程的有关问题达成了较为一致的意见。在刚刚举行的2011年国际固态电路会议 (ISSCC2011)上，IBM,台积电，Globalfoundries等厂商均表示将继续在22

平面型体硅技术仍将是22/20nm节点主流 Intel保持缄默

经过一轮唇枪舌剑之后，大牌芯片厂商们终于对逻辑芯片产品22/20nm节点制程的有关问题达成了较为一致的意见。在刚刚举行的2011年国际固态电路会议 (ISSCC2011)上，IBM,台积电，Globalfoundries等厂商均表示将继续在22

瑞士开发新半导体材料“辉钼矿” 称功耗为硅的十万分之一

有一种新开发的半导体材料辉钼矿(molybdenite，MoS2)，其功耗据说仅有硅材料的十万分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶体管。瑞士洛桑理工学院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人员并指出，这

英特尔斥资50亿建新厂 主攻14nm

近日，美国总统奥巴马在英特尔总裁兼首席执行官Paul Otellini的陪同下，参观了英特尔位于俄勒冈州Hillsboro的芯片制造工厂，芯片巨头表示，将会在美国建立新的芯片制造厂，用于生产英特尔下一代14nm晶体管和300mm晶圆

英特尔斥资50亿建新厂 主攻14nm晶体管

近日，美国总统奥巴马在英特尔总裁兼首席执行官Paul Otellini的陪同下，参观了英特尔位于俄勒冈州Hillsboro的芯片制造工厂，芯片巨头表示，将会在美国建立新的芯片制造厂，用于生产英特尔下一代14nm晶体管和300mm晶圆

瑞士开发新半导体材料“辉钼矿” 称功耗为硅的十万分之一

有一种新开发的半导体材料辉钼矿(molybdenite，MoS2)，其功耗据说仅有硅材料的十万分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶体管。瑞士洛桑理工学院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人员并指出，这

数字式晶体管在线测试电路