晶体管
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英特尔奔腾4芯片涉嫌侵犯专利遭起诉
AVM公司在特拉华州美国地区法院对英特尔推出起诉，指控英特尔侵犯了它的一项芯片设计专利。AVM称，它拥有一项名为“动态逻辑电路”的技术专利，美国专利编号是5,859,547。这项专利是关于使用高速和低功率动
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采用四只晶体管的调幅电路
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采用三只晶体管的调幅电路
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采用运算放大器和达林顿晶体管的恒流源
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采用双极性晶体管的基准电源
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采用互补晶体管的基准电源
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奔腾4芯片"动态逻辑电路"涉嫌侵权遭起诉
奔腾4芯片"动态逻辑电路"涉嫌侵权遭起诉
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半导体成本上升而价格继续下降
作者：Walden C Rhines，Mentor Graphics(EDA设计公司)的董事长及CEO，2008年它的销售额为7.89亿美元。在它的任期中公司的销售额增长一倍，自1999年以来在全球三家EDA公司(Big 3) 中其增长率是最快的。在加入Mentor之
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全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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采用运算放大器和达林顿晶体管的恒流源
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采用双极性晶体管的基准电源
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采用互补晶体管的基准电源
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全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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支持B类CPU卡的5 V接触式读写器设计
针对A类接口的读写器不能对B类CPU卡进行读写的问题,介绍一种可以对3 V的B类卡片进行读写的5 V 接触式IC卡读写器，阐述了其硬件电路结构和单片机固件程序，介绍了对其进行操作的简单上位机软件。实验结果表明，该读写器结构简单、性能稳定，对研制可同时操作3 V/5 V卡片的AB类接口设备有指导意义。
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SoC用低电压SRAM技术
东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑制SRAM的最
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台积电：14nm制程节点将用垂直型晶体管结构
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管（以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表）的计划。 其中来自
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以测试工序提高SRAM制造误差容限，东京大学与STARC开发
对晶体管制造误差导致的SRAM工作不稳定性，在芯片制造后的测试工序上加以改善的方法，由东京大学研究生院工学系研究科电气系工学专业副教授竹内健的研究小组与日本半导体理工学研究中心（STARC）联手开发成功。该项成
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台积电：14nm制程节点将用垂直型晶体管结构
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管（以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表）的计划。其中来自半导体
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蒋尚义：台积电14nm制程节点将转向使用垂直型晶体管结构
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管（以 Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表）的计划。其中来自半导体
