哈佛大学化学教授Charles Lieber和MITRE公司的首席工程师Shamik Das最近共同设计并创建了一个用纳米线晶体管材料制成、可重复编程电路。他们把496同样的电路连接起来,发现整个系统具备标准逻辑计算机的功能。这种纳
大家都知道几天前高通正式发布了现有Scorpion核心的下一代移动微处理器krait产品系列,这款新产品由于较早地采用了28nm制程,因此引起了 各方的注意。不过,与大家的期望相反,不久前高通曾经在IDEM大会上表示其大
东芝展出的300mm晶圆(点击放大) 展板(点击放大) 东芝在“nano tech 2011国际纳米科技综合展及技术会议”(2011年2月16~18日,东京有明国际会展中心)上公开了集成有作为新一代逻辑LSI的基础元件而备受期待
北京时间2月19日凌晨消息,英特尔今天宣布,将斥资50亿美元,在美国亚利桑那州建设一座工厂。此举将为当地创造大约4000个工作机会。这座新工厂将于今年年中开工建设,计划于2013年完工。它将生产英特尔下一代14纳米线
哈佛大学化学教授Charles Lieber和MITRE公司的首席工程师Shamik Das最近共同设计并创建了一个用纳米线晶体管材料制成、可重复编程电路。他们把496同样的电路连接起来,发现整个系统具备标准逻辑计算机的功能。这种纳
据美国物理学家组织网2月10日(北京时间)报道,美国哈佛大学和麦特公司(Mitre Corp)科学家携手研发出世界上首块可编程的纳米处理器,该纳米线路不仅能够进行电子编程,还能实现一些较基本的计算和逻辑推理功能,朝着复
晶体管制造一般是用玻璃作基底材料,这有利于在多变的环境下保持稳定,从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网1月27日报道,美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管,性能极为稳定
瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响,适当设定针对RTN的设计余度。该公司已在&ldquo
IBM、三星联合宣布,双方将在新型半导体材料、制造工艺和其他技术的基础性研发上展开广泛合作,尤其是涉及到了20nm乃至更先进的工艺。 三星已经同时加入IBM领衔的半导体研发联盟(SRA),三星的研发人员也将于IBM
场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点,而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性,即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼),一般的晶体管是不容易做到这一点的,电子管是根本不可能达到这
美国物理学家组织网11月23日报道,美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上,制造出一块纳米晶体管,其电学性能优异,在电流
英美科学家联合研制出1000内核超快速处理器
在未来的几十年里,芯片制造商将不能通过把更小的晶体管集成到一块芯片上,来制造出速度更快的硅制芯片,因为太小的硅制晶体管容易破裂,同时非常昂贵。 人们研究的材料想要超越硅,就需要克服许多挑战。如今
SehatSutardja是fabless公司MarvellTechnologyGroup的总裁及CEO今年半导体业不断传出好的消息,然而近期己经出现杂音,著名fabless公司Marvell的总裁SehatSutardja担心将影响到未来10年的整个电子工业。摩尔定律实际
Sehat Sutardja是fabless公司Marvell Technology Group的总裁及CEO 今年半导体业不断传出好的消息,然而近期己经出现杂音,著名fabless公司Marvell的总裁 Sehat Sutardja担心将影响到未来10年的整个电子工业。 摩尔定