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英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
【2024年11月20日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。
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资本加速涌入!GaN和SiC时代即将到来
随着全球科技产业的飞速发展，半导体材料作为信息技术的基石，正经历着前所未有的变革。其中，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表，正凭借其出色的性能吸引着大量资本的涌入。这标志着GaN和SiC时代即将到来，将为电子、通信、能源等多个领域带来革命性的变化。
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化解第三代半导体的应用痛点：策略与实践
第三代半导体，以其独特的宽禁带特性，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，在功率电子、射频电子和光电子器件领域展现出了巨大的应用潜力。然而，尽管这些材料在性能上远超传统半导体，其广泛应用仍面临诸多挑战和痛点。
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解锁多个“业界第一”，PI推出全新1700V氮化镓开关IC
为了填补开关IC市场高压电源技术的空白，近日PI公司扩充了旗下产品组合，推出了一款额定耐压为1700V的氮化镓开关IC——InnoMux™-2 1700V IC，旨在为业界提供更高能效、更低成本的解决方案。
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CGD和QORVO将彻底改变电机控制解决方案
评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC， 为氮化镓技术树立新标杆
1700V额定耐压的氮化镓InnoMux-2 IC可在1000VDC母线电压下实现高于90%的效率， 并通过三路精确调整的输出提供高达70W的功率
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德州仪器扩大氮化镓半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍
德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品 新闻亮点： 德州仪器增加了 GaN 制造投入，将两个工厂的 GaN 半导体自有制造产能提升至原来的四倍。 德州仪器基于 GaN 的半导体现已投产上市。 凭借德州仪器品类齐...
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英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率
【2024年10月21日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。
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英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平 德国慕尼黑和奥地利菲拉赫2024年9月12日 /美...
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英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
【2024年9月11日，德国慕尼黑和奥地利菲拉赫讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今天宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。
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罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。
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Peregrine 推出支持氮化镓功率放大器频率的新型单片相位和振幅控制器
在当今快速发展的通信技术领域，高效、稳定的功率放大器及其配套控制设备是确保数据传输质量和效率的关键。近日，Peregrine Semiconductor(派更半导体公司)凭借其强大的技术实力和创新精神，成功推出了两款支持氮化镓(GaN)功率放大器频率的新型单片相位和振幅控制器(MPAC)——PE46130和PE46140。这两款产品的问世，不仅为无线通信、雷达技术等领域的发展注入了新的活力，还进一步巩固了Peregrine在射频解决方案领域的领先地位。
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探索硅掺杂对块体 GaN 热导率的影响
宽带隙半导体材料氮化镓 (GaN) 具有出色的电气和光学特性，可用于各种电子和光电设备。然而，与其他半导体相比，其固有热导率明显较低。硅掺杂可以显著影响块状氮化镓 (GaN) 的热导率。
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什么是氮化镓充电器?如何选择氮化镓充电器?
氮化镓基发光二极管，电子学术语，GaN 是一种宽带隙化合物半导体材料，具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一。
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Nexperia将在汉堡投资2亿美元
扩大研发和生产能力，支持未来技术的发展
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GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期
功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革，目前热门的宽禁带（WBG）功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——氮化镓（GaN）功率器件应用从快充起步已获得显著的商业化进展，EV的逆变器则率先采用了碳化硅（SiC）。
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Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产
该笔交易有利于高电压、高功率氮化镓技术的持续发展
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英飞凌荣获群光电能“氮化镓战略合作伙伴奖”
【2024 年 5 月6日，德国慕尼黑和台湾新北市讯】全球电源供应器制造商及电力电子行业领导者群光电能 （Chicony Power; TWSE：6412）（以下简称群电） 宣布其年度合作伙伴奖项得主，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）脱颖而出，荣获2023年度“氮化镓战略合作伙伴奖”。
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Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件
该SiP系列现已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，为支持新一代适配器和充电器拓展了功率等级
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陕西光电子先导院携“新质生产力”成果亮相慕尼黑上海光博会
2024年慕尼黑上海光博会于3月20-22日举行，陕西光电子先导院科技有限公司携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓（GaAs）IPD晶圆、氮化镓（GaN）HEMT晶圆4项成果亮相，展位上的各项产品吸引了众多参观者驻足、交流。
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