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电源设计说明：分析用于高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件
在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正将精力集中在这些类型的组件上，以创建高效转换器和逆变器。
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Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室
加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm (Nasdaq: TGAN)宣布在中国深圳开设新的办事处。作为一家外商独资企业(WFOE)，Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作，另外，该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室，并同时支持全球研发工作。深圳办事处将由Transphorm现任亚洲销售副总裁Kenny Yim管理，他同时也担任中国区总经理一职。Transphorm亚洲区应用部门主管Chun Hung Ho 将在深圳办事处协助Kenny，Chun Hung是Transphorm任职七年的资深员工。
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好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值，让工程师放心无忧采用氮化镓。
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关于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在内的外延设备发展状态，释放分子束外延的潜力
对更强大和更节能设备的空前需求刺激了对砷化镓、氮化镓和碳化硅等化合物半导体的需求。这种材料需要通过外延生长的超纯薄膜。尽管分子束外延 (MBE) 是三种外延设备之一，长期以来一直被认为是利基市场，但它已准备好过渡到批量应用。
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用于新一代电动汽车的 SiC MOSFET功率器件介绍
电动和混合动力汽车的设计人员致力于提高能量转换效率，这些设备配备了紧凑型封装和高热可靠性电力电子模块组装，并降低了开关损耗。
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EPC 在意大利开设基于 GaN 的电机驱动设计应用中心
新兴电子应用需要能够从更紧凑的平台中获得更高性能的电机设计。设计人员很难满足基于传统硅 MOSFET 和 IGBT 的电机驱动器电路的新要求。随着硅技术达到功率密度、击穿电压和开关频率的理论极限，设计人员控制功率损耗变得更加困难。这些限制的主要影响是在高工作温度和高开关率下的次优效率和额外的性能问题。
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注意栅极驱动器的 DC/DC 转换器电源使用
这有点像灰姑娘或丑小鸭的童话故事：多年来，各种类型、大小和速度的处理器都是一般媒体关注的迷人主题以及主要的研发投资。与此同时，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——显然被低估了，并且作为本应乏味的功率利基市场的一部分在背景中萎靡不振。
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3000万美元芯片资金到账，氮化镓芯片将迎新王
据业内信息报道，Global Foundries公司于获得了3000万美元的芯片法案基金，而该笔资金还只是今年综合拨款的一部分。Global Foundries公司表示将用这些钱来支持氮化镓芯片的研发，并希望成为制造的全球领导者。
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关于氮化镓实际使用的热管理方面讨论
所以，我想说这个概念是完全可扩展的。因此，我们可以为低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或为高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通过简单地重塑设计，它可以扩展到低电压，但这个概念是成立的。这就是我们基本上认为我们已经实现了最初目标的方式。
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我们如何看待未来几年的 GaN?
我们如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的价值呢?我们期望在哪里看到下一波增长?
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Dieter Liesabeths将加入VisIC担任产品高级副总裁
（全球TMT2022年10月12日讯）作为汽车应用氮化镓（GaN）解决方案的全球领导者，VisIC Technologies LTD公司宣布： Dieter Liesabeths将加入公司，担任产品高级副总裁。Dieter在半导体行业拥有超过30年的丰富经验，他的加入将推动氮化...
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氮化镓技术讨论，第二部分
目前有几个 GaN 器件概念。那么你能告诉我哪些是主要的，从设计的角度来看你的发展方向是什么? 所以我想说有很多概念，远不止两个，但不知何故，我们可以谈论极端：所谓的Cascode GaN和所谓的增强模式GaN。由于我的第一家公司，级联 GaN 实际上是第一个诞生的。当功率 GaN 研究的先驱 International Rectifier 首次开始开发基于级联的 GaN 解决方案时，我就在那里。
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南邮王永进团队研制出同质集成光发射光接收器件的氮化镓光电子芯片 | 《电子与信息学报》佳文速递
光电子集成本质上是采用兼容的制造工艺，将驱动、光发射、光波导、调制、光探测、放大等器件做在一块芯片上，实现逻辑电路与光子回路的融合集成，芯片内采用光子进行信息传输，与集成电子芯片相比，实现芯片内信息传输速率、容量的飞跃，并降低功耗和热效应。
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栅极驱动器的重要性，第一部分
碳化硅和氮化镓开关器件是所有电源电路中主要使用的元件。尽管它们在运行速度、高电压、处理电流和低功耗等固有特性方面取得了优异的成绩，但设计人员将所有注意力都集中在此类设备上，而常常忘记将自己的精力投入到相关的驱动器上。
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GaN半桥电源集成电路最大限度地提高性能，降低成本
氮化镓是一种具有较大带隙的下一代半导体技术，已成为精密电力电子学发展的关键。它比硅快20×，可以提供高达3×的功率或充电，其尺寸和重量是硅器件的一半。
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宽带隙材料满足 EV 功率和效率要求
碳化硅和氮化镓技术在过去几年中取得了巨大的发展，被证明是商业上可用的节能技术。来自领先半导体公司、大学和机构的讲师解释了宽带隙半导体如何实现清洁能源制造、高科技、创造就业和节能。
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与科创板共同成长，中微公司迎来上市三周年
多元化产业布局，以"硬科技"推动硬实力持续跃升 上海2022年7月22日 /美通社/ -- 科创板开市三周年之际，作为科创板首批上市的25家企业之一的中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称"中微公司"，上交所股票代码：688012）...
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老化测试提高了 SiC 和 GaN 的可靠性
新型宽带隙半导体(如碳化硅和氮化镓)在市场上的扩散对传统的老化和测试系统提出了挑战，因为裸片尺寸越来越小，并且组件可以承受更高的电压和温度。
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电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析
在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。
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SiC 和 GaN：两种半导体的功率器件发展
在过去的几十年中，碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，工业部门现在有望超过 40 亿美元。
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