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使用氮化镓(GaN)提高电源效率
如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。
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落地、开工、投产，新一批半导体项目汇总
近日，一批半导体项目落地、开工、投产，涉及第三代半导体氮化镓、存储封测、以及硅晶圆外延片等领域。60亿，第三代半导体氮化镓项目落地福州近期，4个重大产业项目落地福州长乐区，涉及新材料、大数据、第三代半导体等，投资额超396亿元，其中包括第三代半导体氮化镓项目。据福州新闻网报道，第...
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Microchip持续扩大氮化镓（GaN）射频功率器件产品组合
全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求
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文章 | 使用氮化镓(GaN)提高电源效率
注：原载于Bodos功率系统，2021年11月22日作者：DougBailey，PowerIntegrations市场营销副总裁如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工...
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PI产品营销总监Chris Lee：利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源
注：原载于电源网订阅号，2021年10月26日目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自PowerIn...
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e络盟开售InnoSwitch™3系列IC，进一步扩大Power Integrations产品阵容
InnoSwitch3系列IC采用PowiGaN™技术，在各种负载条件下的效率均高达 95%，且在封闭式适配器应用中无需散热片就可实现高达100W的输出功率
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环旭电子宣布投资氮化镓系统有限公司，加码功率电子战略
中国上海2021年11月24日 /美通社/ -- 今日，环旭电子（上海证券交易所股票代码：601231）的全资子公司环鸿电子股份有限公司与氮化镓系统有限公司（GaN Systems Inc.，简称“氮化镓公司”）签订了一份股份认购协议，并成为氮化镓公司新一轮融资的战略投资者。 ...
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环旭电子投资氮化镓系统有限公司，加码功率电子战略
（全球TMT2021年11月25日讯）环旭电子的全资子公司环鸿电子股份有限公司与氮化镓系统有限公司（GaN Systems Inc.，简称“氮化镓公司”）签订了一份股份认购协议，并成为氮化镓公司新一轮融资的战略投资者。氮化镓公司是一家功率半导体公司，从事第三代半导体氮化镓（Ga...
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纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场
增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性
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PI产品营销总监Chris Lee：利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源
注：原载于电源网订阅号，2021年10月26日目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自PowerIn...
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有没有必要买氮化镓充电器
大家觉得氮化镓充电器好用吗?有什么推荐的品牌吗?
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氮化镓有什么用
关于氮化镓充电器
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氮化镓和普通充电器的区别
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。
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利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源
目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自Power Integrations，包含内部集成PowiGaN™开关的InnoSwitch™4-CZ零电压开关(ZVS)反激式控制器和提供有源钳位解决方案的ClampZero™产品系列。这些新IC可用于设计效率高达95%且在不同输入电压条件下保持恒定的反激式电源。
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市值超16亿美元，这家氮化镓企业成功上市
美东时间10月20日，GaN功率半导体厂商NavitasSemiconductor（“纳微半导体”）成功在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS”。有媒体报道称，纳微半导体的市值已超16亿美元（16.17亿美元）。资料显示，纳微半导体成立于2014年，是全球知名的氮化镓功率芯...
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PI新款氮化镓快充参考设计:进一步缩小快充体积
快充设计范例：DER-928PI于近期推出了一款USBPD快充设计范例报告（DER-928），这款设计范例使用了两颗PowiGaN芯片实现了30.3W/in³的功率密度。设计范例用使用了高效率ACF拓扑，使用新款InnoSwitch4-CZ零电压开关和ClampZero芯片芯片组...
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EPC扩大了 40 V eGaN®FET的产品陈容， 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件
EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN® FET），器件型号为 ，专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。
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多款内置PI PowiGaN芯片氮化镓充电器成为京东畅销产品
八款热销产品任你选~
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ST 和Exagan开启GaN发展新篇章
氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4 eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。
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意法半导体针对高能效功率变换应用，推出新的 45W和150W MasterGaN 产品
中国，2021 年 8 月 27 日——为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
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