随着全球能源需求的不断攀升,提高效源效率成为降低二氧化碳排放,确保能源可靠供应的重要手段。为此,德国半导体和太阳能行业的6家合作伙伴携手开展了NEULAND项目。该项目由德国联邦教育与研究部(BMBF)资助,旨在
随着全球能源需求的不断攀升,提高效源效率成为降低二氧化碳排放,确保能源可靠供应的重要手段。为此,德国半导体和太阳能行业的6家合作伙伴携手开展了NEULAND项目。该项目由德国联邦教育与研究部(BMBF)资助,旨在
MILMEGA有限公司总经理 Pat Moore 氮化镓并非革命性的晶体管技术,这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。 与现有技术相比,
一条完整的LED产业链由几个环节构成,从上游的衬底材料、外延片和芯片制造,到中游的封装,再到下游的应用,技术特征和资本特征差异很大,行业进入门槛逐步降低。据媒体报道,我国LED产业具有典型的不均衡产业链结构,2008年
一条完整的LED产业链由几个环节构成,从上游的衬底材料、外延片和芯片制造,到中游的封装,再到下游的应用,技术特征和资本特征差异很大,行业进入门槛逐步降低。据媒体报道,我国LED产业具有典型的不均衡产业链结构,2008年
美国麻省理工学院(MIT)的研究人员利用氮化镓(gallium nitride,GaN)材料做成的晶圆片,制造出一种内含硅晶体管的芯片;虽然该种芯片大部分的晶体管仍是以硅制成,但其余的氮化镓晶体管性能更高。 目前的研究人员试图
据美国工程物理科学委员会(Engineering and Physical Science Council)消息,剑桥大学氮化镓中心研究出一种发光二极管(LED)的新制法,可使其造价降低90%,并有望在五年内将家庭电费减少75%。 90年代以来,用于制
据美国工程物理科学委员会(Engineering and Physical Science Council) 消息,剑桥大学(Cambridge University)氮化镓(Gallium Nitride GaN)中心研究出一种发光二极管(LED)的新制法,可使其造价降低90%,并有望在
今天,OKI公司宣布将开始预备为无线基站研制的增强型伪同晶高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN-HEMT)。这种晶体管的使用,将有效降低3G移动电话和PHS基站以及城域网基站的规模与能耗。 GaN-HEMT拥有3-10W/mm...