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用集成驱动器优化GaN性能
将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。
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让我们一起实现氮化镓的可靠运行
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能够大大增加这项高能效技术的市场渗透能力。
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EPC推出全新网上氮化镓产品选型指南，可简化高性能功率转换系统的产品选型
采用先进氮化镓晶体管及集成电路(IC)的功率系统设计工程师现在可以利用互动式、网上参数选型工具，替他们的功率转换系统找出基于氮化镓器件的最优解决方案。
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氮化镓何去何从？EPC 公司推出关于氮化镓技术的6个视频应用于工业及消费类产品
宜普电源转换公司制作了6个视频，于网上分享采用eGaN® FET及集成电路(IC)并面向最终用户的应用。这些视频展示出氮化镓技术如何改变了我们的生活方式及挑战功率系统设计工程师如何在他们的新一代功率系统设计中发挥氮化镓场效应晶体管的卓越性能。
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派更半导体推出支持氮化镓功率放大器频率的新型单片相位和振幅控制器
正如Cisco视觉网络指数 (VNI) 预测，到了2019年，每个月将有五百万年的视频内容在互联网上传播。这意味着每一秒就有将近一百万分钟的视频在流动或者下载。为了迎合消费者的需求，有线电视行业在2013年10月宣布了DOCSIS 3.1标准，以期提供数千兆的流通量。这一标准为该行业制定了一个远大的目标。
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Panasonic 高效GaN 电源解决方案 登陆Mouser
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Panasonic氮化镓(GaN)解决方案。为满足现代电源的效率和功率密度设计需要，设计工程师一直在寻找GaN技术等可替代传统MOS技术
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氮化镓功率技术大热，Transphorm创新HEMT结构“剑走偏锋”高压器件
氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士
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名利兼收！中村修二以紫色LED打造完美白光
一般我们所见到的白光LED，是由蓝色LED芯片激发黄色萤光材料而成，发光波长与色温较不均匀，不易提高平均演色性评价指数(Ra)。Soraa公司则是以紫色LED芯片，搭配红、绿、蓝三色萤光材料组成白光LED，能输出所有可见光波长范围中的光，而且Ra值较高。
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宜普电源转换公司（EPC）出版《无线电源手册》第二版
《无线电源手册》第二版是全新增订本，旨在帮助工程师如何发挥氮化镓功率晶体管的卓越性能以设计出面向无线电源传送系统的高效放大器。宜普电源转换公司宣布推出《无线电源
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宜普电源转换公司（EPC）出版关于如何发挥氮化镓晶体管优势的实用指南--《DC/DC转换手册》
宜普公司的《DC/DC转换手册》与工程师分享如何在数据通信设备及其它功率转换应用中利用氮化镓(GaN)功率晶体管提高效率及功率密度。
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飞思卡尔推出首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓射频功率晶体管
飞思卡尔已实现该器件的量产，该器件完美结合了高效率、高增益及射频输出功率飞思卡尔半导体公司日前推出了其首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓(GaN)射频功率晶体管。新产品A2G22S160-01S在无线基础设施应用所使用的
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宜普电源转换公司推出具有宽间距的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET） 小尺寸可以承载大电流
全新氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2029)进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装，可易于实现高
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小尺寸承载大电流！ 宜普电源转换公司推出宽间距氮化镓场效应晶体管
采用全新100 V EPC2104半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下，系统效率可超过97%;而在22 A、500 kHz开关频率下，系统效率则接近97%。宜
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宜普电源转换公司推出单片式氮化镓半桥器件
EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率，以及推动48 V转至1 V并在300kH
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“变形”LED制作有新招：氮化镓植于石墨烯
目前，许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度，易于改变形状。与此同时，不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因，二者却很难优势互补，功能优异
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英飞凌欲以约30亿美元现金收购美国国际整流器公司股份
英飞凌科技股份公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 及美国国际整流器公司 (NYSE:IRF) 今日宣布，两家公司已签订一项最终协议，据此英飞凌将以每股 40 美元的价格收购国际整流器公司的股份，该项交易将全部以现金完成，价
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宜普电源转换公司推出高性能氮化镓功率晶体管
氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可
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宜普电源转换公司推出采用高频氮化镓场效应晶体管
21ic讯 由于氮化镓场效应晶体管具备卓越性能例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及尺寸短小，它是高度谐振并符合Rezence (A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件，可提高该系统的效率。宜普电源转换公司宣布推
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半导体所高性能GaN外延材料研究取得进展
【导读】半导体所高性能GaN外延材料研究取得进展 中国科学院网2006年9月12日报道：近日，由中国科学院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“高性能氮化镓(GaN)外延材料研究”通过了专家鉴定。
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RFMD RFMD ® 宣布提供氮化镓 ( G aN) 晶圆代工服务
【导读】RFMD RFMD ®，氮化镓 ( G aN) 晶圆代工服务 设计与制造高性能半导体元件的全球领导厂商 RF Micro Devices 代工服务业务部门利用 RFMD 在化合物半导体技术及制造方面的行业领先地位，提供高可靠性
