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孙钱：硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率LED的研发及产业化
2013年5月14日下午，在由国家半导体照明工程研发及产业联盟与英国励展博览集团共同主办的“2013上海国际新光源&新能源照明论坛”之 “新光源&新能源照明的应用”分会上，来自晶能光电有限公司孙钱博士做了题为《硅衬
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剑桥大学CCS系统实现6英寸硅晶片生长氮化镓外延
德国爱思强股份有限公司(Aixtron)日前宣布，剑桥大学在材料科学与冶金系的新设施中成功完成另一套多晶片近耦合喷淋头(CCS)MOCVD反应器的调试工作。据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的CCS系统将配置为可以处理一片6英
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剑桥大学实现6英寸硅晶片生长氮化镓外延
德国爱思强股份有限公司(Aixtron)日前宣布，剑桥大学在材料科学与冶金系的新设施中成功完成另一套多晶片近耦合喷淋头(CCS)MOCVD反应器的调试工作。据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的CCS系统将配置为可以处理一片6英
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宜普公司推出内含增强型氮化镓场场效应晶体管的EPC9005开发板
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含增强型氮化镓场场效应晶体管的EPC9005开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转而采用氮化镓技
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台港企业在南京共建12亿美元半导体项目
新华网南京4月6日电(记者 张展鹏)记者6日从南京市台办获悉，由台湾立升投资控股集团与香港企业共建的半导体项目已签约落户南京，项目计划总投资达12亿美元。 该项目位于南京经济技术开发区，由台湾立升投资控股
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台港企业在南京共建12亿美元半导体项目
新华网南京4月6日电(记者 张展鹏)记者6日从南京市台办获悉，由台湾立升投资控股集团与香港企业共建的半导体项目已签约落户南京，项目计划总投资达12亿美元。该项目位于南京经济技术开发区，由台湾立升投资控股集团、
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宜普推出全新内含100 V氮化镓场效应晶体管的开发板
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负
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宜普展示200V氮化镓场效应晶体管 可使设计功率系统变得容易
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器，可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管
21ic讯 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量
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TriQuint与Richardson RFPD合作提供广泛的创新氮化镓产品选择
21ic讯 TriQuint半导体公司和Richardson RFPD日前宣布，Richardson RFPD新建立的氮化镓技术中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint业内领先的广泛氮化镓 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和开关。TriQuint
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TriQuint与Richardson RFPD合作提供广泛的创新氮化镓产品选择
TriQuint自1999年起一直是氮化镓研发领域的先驱者，并在2008年推出首批商业产品和发布了氮化镓的代工。TriQuint通过广泛的氮化镓产品系列，和其出色的高频0.25微米碳化硅衬底氮化镓 (GaN on SiC) 代工服务，继续保持
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突破技术瓶颈AZZURRO量产8吋矽基板LED
AZZURROSemiconductors将正式投产8吋矽基氮化镓(GaN-on-Si)发光二极体(LED)。继2011年量产6吋晶圆后，AZZURROSemiconductors日前再度公开宣示，将于2013年第二季导入8吋矽基氮化镓LED晶圆生产，以迎合未来客户需求。
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高频氮化镓(eGaN)助力无线充电技术发展
增强型氮化镓电源管理器件的供应商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity™公司开发出采用高频氮化镓(eGaN®)的无线电源展示系统。WiTricity™公司的无线电源展示系统内含宜
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氮化镓基高亮度LED核心专利分析
目前，世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有：美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他综合性大公司(如NEC、Matsushita、
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美国能源部选定Soraa引领GaN基质研发项目
美国能源部(DOE)下属能源转换机构ARPA-E已经选定氮化镓对氮化镓(GaN-on-GaN)新成立公司Soraa来引领GaN基质研发项目。 新成立公司Soraa在二月份举办的照明策略大会(the Strategies in Light Conference)上毫无动静，但
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基于氮化镓的LED：成本效益更低
过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司，已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的Aixtron(爱思强)公司，并用于生产高亮度LED。普莱思正在利用自身的技术制造基于硅衬底的氮化镓晶片。“我们使用更薄的氮化镓
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LED球泡灯成本将显著降低
成本一直是LED照明一个主要障碍，妨碍著人们购买高能效LED球泡灯。现在，世界上最大的一家LED制造商欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors)表示，它已经完善技术，能显著降低LED的生产成本。白光LED的制备
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成本下降给力 LED灯泡廉价时代即将到来
成本一直是一个主要障碍，妨碍著人们购买高能效LED灯泡。现在，世界上最大的一家LED制造商欧司朗光电半导体公司（Osram Opto Semiconductors）表示，它已经完善技术，能显著降低LED的生产成本。 白色LED的制备，通常
