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新海宜子公司LED外延芯片项目获补助1431万
12月24日晚间，新海宜公告称，公司控股子公司苏州新纳晶光电有限公司于2013年12月24日收到通知，苏州工业园区将对其“高亮度氮化镓基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科技项目给予1430.70万元资助。
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RFHIC成为EDI CON 2014黄金赞助商
2013年12月23日 - Horizon House出版物和《微波杂志》中文版宣布，RF和微波元件设计和制造领域的全球领导厂商RFHIC将作为黄金赞助商将参与于2014年4月8日至10日在中国北京的北京国际会议中心举行的2014年电子设计创新
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RFHIC成为EDI CON 2014黄金赞助商
Horizon House出版物和《微波杂志》中文版宣布，RF和微波元件设计和制造领域的全球领导厂商RFHIC将作为黄金赞助商将参与于2014年4月8日至10日在中国北京的北京国际会议中心举行的2014年电子设计创新会议(EDI CON 2
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三安光电全资子公司获得8000万元财政补贴
三安光电12月16日晚间公告表示，经第七届董事会第三十次会议决议，决定公司全资子公司厦门市三安光电科技有限公司新增国际先进的20台单腔机或者5台四腔连体机氮化镓MOCVD设备及扩充部分LED芯片产线。 厦门市政府及厦
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如何使用氮化镓:氮化镓场效应晶体管的驱动器和版图的考虑因素
我们在之前的文章讨论了氮化镓场效应晶体管的优势，以及它具备可实现更高效率和更快开关速度的潜力，为硅MOSFET器件所不可能实现的。本章将探讨如何利用氮化镓场效应晶体管
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宜普公司推出内含氮化镓场效应晶体管演示板 专业高音质并可实现96%效率
EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管，展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。21ic讯
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三大发明人首聚谈未来十年：与新技术同行
在日前举办的第十届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL2013)上，蓝光LED发明人中村修二教授、黄光LED发明人George Craford教授及OLED发明人邓青云教授齐聚一堂，他们从自己对技术和产业的角度阐述半导体照明新技术的未
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2013年，全球GaN LED出货量超过1000亿个单位
IMS Research（已被全球领先的信息与分析公司IHS Inc.收购）分析师认为今年氮化镓（GaN）LED的出货量超过1000亿个单位——相当于地球上的每个人拥有15个单位。IMS Research创建于1989年，总部位于英
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技术：氮化镓(GaN)上整合LED和功率电晶体
伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(GaN)上整合LED和功率电晶体。研究人员称这项创新将敲开新一代LED技术的大门，因
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中村修二：谁将成为半导体照明的下一代？
11月11日下午，第十届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL2013)正式拉开帷幕。在开幕式的论坛环节中，获得全球半导体照明突出贡献奖之一的蓝光、绿光和白光LED发明人，美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生为在场
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中村修二：谁将成为半导体照明的下一代？
11月11日下午，第十届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL2013)正式拉开帷幕。在开幕式的论坛环节中，获得全球半导体照明突出贡献奖之一的蓝光、绿光和白光LED发明人，美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生为在场
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中村修二：激光照明或成下一代半导体照明
2013年11月11日下午，第十届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL2013)正式拉开帷幕。在开幕式的论坛环节中，获得全球半导体照明突出贡献奖之一的蓝光、绿光和白光LED发明人，美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生
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Bedwyr Humphreys:开发高质量、低缺陷密度半极化和非极化氮化镓模板
技术改进是永恒的话题，在11月10日下午于北京昆泰酒店召开的CHINASSL2013材料与装备技术分会上，来自赛伦光电Bedwyr Humphreys就为与会听众带来了如何《开发高质量、低缺陷密度半极化和非极化氮化镓模板》的报告。
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中村修二：下一代半导体照明
在业界热烈的欢庆声中，2013年11月11日下午，备受全球瞩目的半导体照明产业年度盛会——第十届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL2013)正式拉开帷幕，来自全球半导体照明业界各方专家学者、政府领导、行业精英齐聚京
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解读LED衬底技术“巨头”苏州纳米以小成大
LED半导体照明网讯 “工业园区的房子比城区还贵，这不太可能吧？”“最近几年来这里的人才越来越多，房价当然也跟着水涨船高。”在苏州东隅，有这样一片神奇的土地：以仅占苏州3.5%的面积，创造了全市15%的
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如何使用氮化镓：增强型氮化镓晶体管的电学特性
对于一直使用功率MOSFET器件设计产品的功率系统工程师来说，使用更高效的增强型氮化镓晶体管并不困难。虽然两种器件的基本工作特性非常相似，如果想发挥这种新世代器件的最
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解读GaN on GaN LED破效率与成本“魔咒”
发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源，耗电量仅约同亮度传统光源的20%，并具有体积小、寿命长、效率高、不含汞等环保与健康特性，且现今LED商品效率已超出每瓦110流明，LED应用领域更是无限宽广。尤其在照明、笔
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甘子钊：氮化镓基LED研究的实践与探索
LED半导体照明网讯 中国半导体照明产业发展特别快。在这种情况下，要注意吸取历史教训。历史上包括改革开放以后，我们很多新兴产业并不是启动的太晚，但因为没有联合起来，最后落后了，例如光纤通讯。希望在
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GTAT将探讨HVPE氮化镓(GaN)系统的关键元素
LED半导体照明网讯 GT Advanced Technologies将出席于2013年10月16至17日在台湾台北举行的LED Forum Taipei 2013。届时，GT首席技术官Raghavan博士将与与会者一同探讨高效氢化物气相磊晶(HVPE)氮化镓(GaN)系
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21ic新闻大爆炸：新理论改进塑料半导体 有助研制弯曲屏
新理论改进塑料半导体性能 有助研制弯曲屏据报道，消费者一直希望拥有能弯曲的智能手机和平板电脑，但现在的芯片、显示器等电子元件一般由金属和无机半导体组成，因此，科学家们尝试着用塑料(聚合物)研制出柔性电子设
