2006年6月20日,北京讯——近日,在纽伦堡举行的电子功率器件、智能传送、电源质量博览会(PCIM)上,英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)首次展出IHM/IHVB系列的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。运用这个全新的模块,用
3月22日,英飞凌(Infineon)科技在上海PCIMChina2006会议期间,举办了电源/功率半导体媒体见面会,公司高级经理李立扬介绍了购并eupec后的情况,以及电源产品地位和优势。 公司之所以取得这样的成绩,与购并专业功
2006年5月26日–英飞凌科技宣布首款E-GOLDvoice芯片在其德勒斯登厂首度制造及测试便获得成功,而且已经用于GSM网络的电话通信。E-GOLDvoice是行动电话技术中整合度最高的芯片,在8x8平方亳米的面积内结合行动电话所有
2006年5月24日香港讯–在香港举办的亚洲区世界宽带论坛(BroadbandWorldForum(BBWF)Asia)中,英飞凌科技公司于宽带家电及设备和家庭网络之类别获颁国际工程联盟(IEC)的InfoVision奖。英飞凌此次凭其运用最先进的半导
2006年5月17日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司宣布推出第一批采用其先进的65纳米CMOS工艺生产的手机芯片。在德国杜伊斯堡、慕尼黑和印度班加罗尔进行的复杂测试表明,该芯片从始至终运行良好。采用该芯片的手机
英飞凌总裁兼CEO Wolfgang Ziebart日前表示:有一些人相信,不远的将来,半导体设计工作的绝大部分将在中国、印度和其它新兴国家完成,但成本控制并不是关键所在。他在接受EE Times独家采访时表示,与客户近距离接触
英飞凌科技公司(Infineon)日前宣布,如果市场条件允许的话,从内存产品部剥离出来的全新子公司奇梦达股份公司(Qimonda AG)计划在今年下半年进行首次公开募股(IPO)。英飞凌监事会在今天的会议上批准了这一提案。
据日前在三星电子(Samsung Electronics Co. Ltd.)、Hynix Semiconductor Inc.和英飞凌科技(Infineon Technologies AG)之间发生的DRAM价格操纵案件律师透露,三星电子、Hynix和英飞凌同意支付总额1.6亿美元的罚金,以
芯片制造商英飞凌透露,手机中整合的CMOS芯片制造工艺已经达到了65纳米,而整合该技术的手机将会在2006年晚期大规模上市。英飞凌表示,65纳米手机芯片技术已经通过了初步的测试工作,这些芯片将在33平方毫米的芯片上