中芯国际总部6月3日发布消息称,与中芯北京、北京工业发展投资管理及中关村发展集团成立合资公司,加快二期项目建设。中芯国际二期项目于去年9月在开发区奠基,将建设2条产能各为3.5万片的生产线,技术水平为45-40纳
本报讯(记者李惠欣)中芯国际总部6月3日发布消息称,与中芯北京、北京工业发展投资管理及中关村发展集团成立合资公司,加快二期项目建设。 中芯国际二期项目于去年9月在开发区奠基,将建设2条产能各为3.5万片
中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,今日于上海举办其2013年暨第五届先进技术专题研讨会。此次研讨会以40纳米及28纳米IP解决方案为主题,旨在促进中芯国
威盛电子及子公司威信科电(WonderMedia)宣布抢进低价平板计算机市场,新推出40纳米ARM Cortex-A9双核心处理器VIA WM8880,并与深圳最大ODM厂普方达合作,开出不含存储器公板(PCBA)仅99元人民币的超级震撼价。业者
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证券交易所:SMI,香港联交所:981),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,今日于上海举办其2013年暨第五届先进技术专题研讨会。此次研讨会以40纳
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证券交易所:SMI,香港联交所:981),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,今日于上海举办其2013年暨第五届先进技术专题研讨会。此次研
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证券交易所:SMI ,香港联交所:981),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,今日于上海举办其2013年暨第五届先进技术专题研讨会。此次
中芯国际集成电路制造有限公司(\\"中芯国际\\",纽约证券交易所:SMI ,香港联交所:981),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,今日于上海举办其2013年暨第五届先进技术专题研讨会。此次研讨会以4
晶圆代工厂联电(2303)昨(8)日举行法说,第1季税后纯益65.9亿元,创近十季来新高,每股税后纯益(EPS)0.52元,其中,业外获利有60亿元来自收购和舰的附加商业价值利益回冲。法人预期,这意味着联电当初购买和舰的
晶圆代工厂联电(2303)昨(8)日举行法说,第1季税后纯益65.9亿元,创近十季来新高,每股税后纯益(EPS)0.52元,其中,业外获利有60亿元来自收购和舰的附加商业价值利益回冲。 法人预期,这意味着联电当初购买和
联电(2303)昨日召开法说会,尽管联电今年还是40纳米制程为主力,28纳米制程年底拚个位数百分点,联电认为,28纳米将是强劲且生命周期很长的制程,20纳米制程不会成为主流,联电将在28纳米之后直攻14纳米,预计2015
联电(2303)昨日召开法说会,尽管联电今年还是40纳米制程为主力,28纳米制程年底拚个位数百分点,联电认为,28纳米将是强劲且生命周期很长的制程,20纳米制程不会成为主流,联电将在28纳米之后直攻14纳米,预计2015
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微
英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司日前宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机
灿芯半导体宣布与客户合作开发的40纳米芯片设计项目数量累计达到十个,这些项目均基于中芯国际的40纳米制造工艺。 灿芯半导体开发的先进技术芯片广泛应用于高成长的移动设备领域,如智能手机。灿芯半导体的40纳
近期市场上有关台积电(2330)被对手格罗方德(GlobalFoundries)、联电等低价抢单、或是大客户大砍第2季投片量等利空消息频传,台积电虽不对市场传言有所评论及回应,但设备业者表示,并无砍单或抢单问题,其实只是
联华电子与闪存解决方案领导厂商Spansion日前共同宣布,将展开40纳米工艺研发合作,整合联华电子40纳米LP逻辑工艺,以及Spansion eCT (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式电荷撷取闪存技术。此份非专属授权协议包含
晶圆代工二哥联电(2303)昨(4)日宣布,与快闪存储器厂美商飞索(Spansion)签订技术研发与授权协议,双方将共同开发集成逻辑与快闪存储器技术,以推动高效能低功耗电子产品的问世。联电及飞索将展开40纳米制程研发
联华电子与闪存解决方案领导厂商Spansion日前共同宣布,将展开40纳米工艺研发合作,整合联华电子40纳米LP逻辑工艺,以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式电荷撷取闪存技术。此份非专属授权协议包