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瑞晶预计提前转进30纳米制程
DRAM报价直逼历史低价，在DRAM产业笼罩一片低气压时，瑞晶的制程转进速度仍是一马当先，原本预定2011年底前旗下所有产能都全数转进30纳米制程，日前目标已提前达阵，但因母公司尔必达(Elpida)应部分客户需要40纳米
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瑞晶预计提前转进30纳米制程
DRAM报价直逼历史低价，在DRAM产业笼罩一片低气压时，瑞晶的制程转进速度仍是一马当先，原本预定2011年底前旗下所有产能都全数转进30纳米制程，日前目标已提前达阵，但因母公司尔必达(Elpida)应部分客户需要40纳米制
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台积28纳米制程 战力加分
台积电投入28纳米制程脚步加快，位于中科园区的晶圆15厂第一期厂房，将提前在近日投产，新厂规划产能5万片以上，全数为28纳米制程，不仅为台积电战力加分，也让中科成为全球最先进的半导体制程重镇。业界指出，三星仍
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台积28纳米制程 战力加分
台积电投入28纳米制程脚步加快，位于中科园区的晶圆15厂第一期厂房，将提前在近日投产，新厂规划产能5万片以上，全数为28纳米制程，不仅为台积电战力加分，也让中科成为全球最先进的半导体制程重镇。 业界指出，三星
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TSMC2011年第三季每股盈余新台币1.17元
TSMC今(27)日公布2011年第三季财务报告，合并营收为新台币1,064.8亿元，税后纯益为新台币304亿元，每股盈余为新台币1.17元(换算成美国存托凭证每单位为0.20美元)。 与2010年同期相较，2011年第三季营收减少5.1%
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TSMC2011年第三季每股盈余新台币1.17元
TSMC今(27)日公布2011年第三季财务报告，合并营收为新台币1,064.8亿元，税后纯益为新台币304亿元，每股盈余为新台币1.17元(换算成美国存托凭证每单位为0.20美元)。与2010年同期相较，2011年第三季营收减少5.1%，税后
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毛利率受「汇」 台积Q4不降反升
台积电昨（27）日公布第三季每股税后纯益1.17元，前三季每股纯益3.96元，估本季营收季减1.4%到3.2%，但受惠于新台币贬值与产能利用率提升，毛利率不降反升，估达43.5%到45.5%，季增至少1.5个百分点，营业利益率也将回
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联电：Q4本业维持获利
晶圆代工大厂联电（2303）昨（26）日举行法说会，第3季税后净利达19.5亿元，季减38.8％，每股净利0.16元，符合市场预期。对于第4季展望部份，联电执行长孙世伟表示，欧美债信及中国市场通膨问题未获解决前，市场能见
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展讯跻身全球五大手机芯片商 40纳米出货量超千万
在日前召开的“2011展讯TD客户大会暨手机产业高层圆桌论坛”上，展讯通信市场副总裁康一透露，基于40纳米制程工艺的SC8800G系列芯片整体出货量已经超过1000万。据康一介绍，展讯目前已形成了以SC8800G系列芯片及解决
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展讯跻身全球五大手机芯片商 40纳米出货量超千万
在日前召开的“2011展讯TD客户大会暨手机产业高层圆桌论坛”上，展讯通信市场副总裁康一透露，基于40纳米制程工艺的SC8800G系列芯片整体出货量已经超过1000万。据康一介绍，展讯目前已形成了以SC8800G系列
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尔必达技术宣言紧咬三星 20纳米世代量产时间拉近
尔必达(Elpida)曾在2011年第2季中因为抢先宣布成功开发25纳米制程DRAM芯片，差点与一向技术领先的三星电子(SamsungElectronics)擦枪走火！三星半导体事业部社长权五铉曾表示，尔必达25纳米DRAM是否能量产要再观察；巧
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首款40纳米芯片TD手机商用 采用展讯芯片
9月2日消息，展讯全球首款40纳米TD-SCDMA/HSPA多模芯片已正式商用，一款三星手机已采用该芯片。三星电子于近日发布了TD手机三星Galaxy S2，据悉该款高端手机采用了展讯全球首款40纳米TD-SCDMA/HSPA多模芯片SC8800G系
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首款40纳米芯片TD手机商用 采用展讯芯片
9月2日消息，展讯全球首款40纳米TD-SCDMA/HSPA多模芯片已正式商用，一款三星手机已采用该芯片。 三星电子于近日发布了TD手机三星Galaxy S2，据悉该款高端手机采用了展讯全球首款40纳米TD-SCDMA/HSPA多模芯片SC8800G系
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展讯宣布在TD-SCDMA市场取得领导地位
北京时间8月23日晚间消息，展讯通信(Nasdaq:SPRD)今天宣布，该公司已在中国TD-SCDMA(时分同步的码分多址技术)市场上取得领导地位，TD-SCDMA是中国移动采用的3G标准。展讯通信称，该公司拥有基于先进的40纳米平台的低
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国产手机芯片实现技术领先
本报讯(记者古晓宇实习记者付晶晶)昨天，国产芯片厂商展讯通信董事长兼CEO李力游在接受记者采访时透露，该公司研发的40纳米芯片技术明年将应用于所有芯片产品，而国外其他厂商的最先进产品还只有45纳米水平。 据
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展讯年内将推出40纳米LTE芯片
8月16日，展讯董事长兼CEO李力游在接受专访时透露，展讯将于今年年底前推出基于40纳米技术的LTE芯片。在3G芯片方面，展讯今年1月份曾推出了全球首款采用40纳米技术的商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G。李力游
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展讯将于年内推出40纳米LTE芯片
8月16日消息，展讯董事长兼CEO李力游今天下午接受网易科技采访时透露，在今年年底前，展讯有望推出基于40纳米技术的LTE芯片。李力游介绍，与目前业界较为普遍的65纳米、45纳米通信芯片相比，采用40纳米技术意味着通信
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李力游：展讯将于年内推出40纳米LTE芯片
展讯董事长兼CEO李力游近日接受网易科技采访时透露，在今年年底前，展讯有望推出基于40纳米技术的LTE芯片。李力游介绍，与目前业界较为普遍的65纳米、45纳米通信芯片相比，采用40纳米技术意味着通信芯片的性能、集成
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展讯董事长李力游：年内将推出40纳米LTE芯片
8月17日消息，展讯董事长兼CEO李力游在接受搜狐IT专访时透露，展讯将于今年年底前推出基于40纳米技术的LTE芯片。在3G芯片方面，展讯今年1月份曾推出了全球首款采用40纳米技术的商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC88
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市场不景气 联电估Q3营收季下降达1成
晶圆代工厂联电（2303）昨日举行法说会，联电执行长孙世伟表示，由于功能性手机、电视等终端需求成长力道减弱，半导体需求减缓现象可能会持续数季，联电估第三季营收较上季季减11-13％，产能利用率将降至71-73％左右
