半导体有多种类型,又有不同容量、速度和作用,但最广泛使用最常见的是NAND闪存(Flash),因此针对此类芯片的任何一次进步都有可能影响到各个行业。威锋网 4 月 24 日消息 日前,SanDisk 和东芝宣布,已经完成了迄今为
东芝、闪迪今天同时宣布了世界上最先进的15nm NAND闪存工艺,很快就都会投入量产。东芝会在4月底抢先开始批量生产15nm工艺的闪存颗粒,地点在位于日本三重县四日市业务部的Fab 5。这是东芝最先进的闪存晶圆厂,目前拥
[摘要] 据悉,长安逸动混动版车型将在2月份上市,该车百公里油耗仅为5.4L,将是比亚迪秦之后又一款自主品牌的混动力作。 新年伊始,2月市场又将有一批新车要与消费者见面,其中最引人注目的要数长安轿车自
【导读】过去几年,我们比较先进的工艺还是保持在60nm、45nm,但是从2013年开始,28nm、32nm成为主流的先进工艺,特别是28nm,将每年保持高增长的态势。邱善勤预测:32nm、20nm是过渡型工艺,不是主流,到2017年20nm
晶圆代工厂联电今天宣布,55nm嵌入式高压制程生产的小尺寸面板驱动IC,累积出货已逾1500万颗。联电表示,客户55nm小尺寸面板驱动IC产品2012年底首次设计定案(tapeout),短短1年累积出货1500万颗,展现联电在工程与制
晶圆代工厂联电今天宣布,55nm嵌入式高压制程生产的小尺寸面板驱动IC,累积出货已逾1500万颗。联电表示,客户55nm小尺寸面板驱动IC产品2012年底首次设计定案(tapeout),短短1年累积出货1500万颗,展现联电在工程与制
[摘要] 长安逸动混动版车型将于今年2月份上市,这款车型的百公里油耗为5.4L。 日前,记者从长安汽车处得到消息,长安逸动混动版车型将会在2月份上市,这款车型百公里油耗为5.4L。据悉,该车在外观上与2014
三十多年来,半导体工业绕来绕去都绕不开“摩尔定律”,但是随着工艺的提升,业内专家表示摩尔定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示过15年后摩尔定律就不管用了,日前他在IEDM国际电子元件会议上同样做
三十多年来,半导体工业绕来绕去都绕不开“摩尔定律”,但是随着工艺的提升,业内专家表示摩尔定律快要失效了。博通公司CTO Henry Samueli此前就表示过15年后摩尔定律就不管用了,日前他在IEDM国际电子元件会议上同样
三十多年来,半导体工业绕来绕去都绕不开“摩尔定律”,但是随着工艺的提升,业内专家表示摩尔定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示过15年后摩尔定律就不管用了,日前他在IEDM国际电子元件会议上同样做
12月12日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在江苏南京举办以“推动整机与芯片联动,打造集成电路大产业链”为主题的“2013中国集成电路产业促进大会暨第八届‘中国芯’颁奖典礼”。会议期间,受邀采访到
12月12日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在江苏南京举办以“推动整机与芯片联动,打造集成电路大产业链”为主题的“2013中国集成电路产业促进大会暨第八届‘中国芯’颁奖典礼”,慧聪电子网记者受邀参
12月12日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在江苏南京举办以“推动整机与芯片联动,打造集成电路大产业链”为主题的“2013中国集成电路产业促进大会暨第八届‘中国芯’颁奖典礼”,慧聪电子网记者受邀参
元器件交易网讯 10月31日消息,据报道,台湾旺宏电子(Macronix)的75nm 16MB 1.8V NOR闪存芯片通过三星电子验证,2014年开始出货量将增加。根据市场观察家表示,三星一直是华邦电子(Winbond)主要的NOR闪存客户。此
台积电45奈米及以下制程营收表现出众。IC Insights指出,45奈米及以下先进制程将是今年晶圆代工厂最主要的营收成长来源;其中,台积电预估将达103亿美元,占总体营收比重高达51%,是格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)的四倍
近日,俄罗斯政府已经宣称在西伯利亚陨石坑下发现大量的高品质钻石,储量达到了数万亿克拉。据媒体报道,这样的储量能够在未来的3000年里满足世界钻石市场的需求。那么,未来钻石价格会不会像白菜一样呢?而作为世界
缩小半导体工艺尺寸能走多远?推动半导体业进步有两个轮子,一个是工艺尺寸缩小,另一个是硅片直径增大,而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看,2013年应该进入14纳米节点,观察近期的报道,似乎已无异议,而且
推动半导体业进步有两个轮子,一个是工艺尺寸缩小,另一个是硅片直径增大,而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看,2013年应该进入14纳米节点,观察近期的报道,似乎已无异议,而且仍是英特尔挑起大樑。尽管摩
缩小半导体工艺尺寸能走多远? 推动半导体业进步有两个轮子,一个是工艺尺寸缩小,另一个是硅片直径增大,而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看,2013年应该进入14纳米节点,观察近期的报道,似乎已无异
美国加州创业公司Crossbar, Inc.经过长期沉默后突然爆发,宣布了自主研发的全新大容量、高性能非易失性存储技术“Crossbar Resistive RAM”(电阻式记忆体/RRAM),号称可在200平方毫米大小(基本上就相当于个